Cu导线表面起伏度对其早期失效的影响

不同化学机械抛光剂使单层大马士革Cu导线表面起伏程度不同.扫描电镜观察到明显的缺陷出现在大起伏的Cu导线表面.这种表面缺陷导致早期失效比率剧增至几乎100%,电迁移寿命猛降至早期失效的量级,失效时间分布从多模变为单模.其相应的失效机制激活能为0.74±0.02eV,说明失效主要是由Cu原子沿导线表面扩散引起的.最弱链接近似被用来分析单根Cu导线:Cu导线被适当均分为若干相互串联、失效机制不同的Cu块,任何一个Cu块的失效都会使整根Cu导线失效.分析结果表明,虽然表面缺陷不是最快的失效机制,但大起伏Cu导线的表面缺陷密度是另一种的10倍以上,这是其早期失效比率高和可靠性较低的主要原因.     

M/V-Al-2O3型催化剂的制备、表征及催化性能研究

采用等体积浸渍法制备了M/γ-Al2O3系列催化剂,M为NaOH、KOH、MgO,通过XRD、BET等测试技术对催化剂进行了表征,并将催化剂应用于二乙醇胺催化脱水制备吗啉反应中,实验考察了修饰剂及负载量、反应温度、压力等对催化剂活性的影响。结果表明,NaOH/γ-Al2O3、KOH/γ-Al2O3、MgO/γ-Al2O3催化剂具有高的催化活性及对吗啉制备的高选择性,其原因是此反应需要中强酸及弱酸中心,强酸中心易使催化剂表面积炭,经过NaOH、KOH、Mg(OH)2修饰的γ-Al2O3其强酸中心减少而中强酸和弱酸中心相应增加,从而提高了催化剂的活性、选择性和稳定性。     

大型客机零部件适航风险的贝叶斯网络推理研究

研究大型客机零部件适航风险的推理问题.基于适航取证中法规对飞机零部件适航的规定,研究了大型客机零部件适航的风险因素,建立了适航风险评价指标体系;构建了大型客机零部件适航风险推理的贝叶斯模型,采用区间数表征不确定的条件概率,结合云模型和模糊综合评价法确定先验概率;案例对某零部件适航的系统风险进行预测诊断.     

例谈高效求解高中数学不等式

不等式是重要的解题工具也是高考的重点、难点和热点,高考中学生在解决不等式问题的时候,不仅要保证解题的正确性,同时也要关注时间的长短,也就是说解题的效率往往是高三学生在高考中特别要注意的问题,同样也是我们高三一线教师要思考以及帮助学生解决的问题.笔者就通过几个例子展示一下     

Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长

采用Al N插入层技术在Si(1 1 1 )衬底上实现无微裂Ga N MOCVD生长.通过对Ga N外延层的a,c轴晶格常数的测量,得到了Ga N所受张应力与Al N插入层厚度的变化关系.当Al N厚度在7～1 3nm范围内,Ga N所受张应力最小,甚至变为压应力.因此,Ga N微裂得以消除.同时研究了Al N插入层对Ga N晶体质量的影响,结果表明,许多性能相比于没有Al N插入层的Ga N样品有明显提高     

固体催化剂活性表面的化学不均匀性

固体催化剂活性表面的化学不均匀性朱建军林西平＊（江苏石油化工学院化学工程系常州２１３０１６）关键词固体催化剂，活性表面，分形维，化学不均匀性１９９６－１０－２８收稿，１９９７－０３－１０修回中国石化总公司和回国留学服务中心资助项目本院九五届毕业生于晓...     

氮化镓基发光二极管的发光光谱和功率特性

用直流和脉冲电流的方法研究了氮化镓基紫色和蓝色发光二极管的发光光谱和功率特性.结果表明，紫色发光二极管的发光中心波长在直流情况下随电流的增加发生红移，在脉冲情况下随电流的增加发生蓝移；蓝色发光二极管的发光中心波长在直流和脉冲情况下都发生蓝移.两种发光二极管的功率在直流情况下会发生饱和，并随电流的进一步增加而急剧减小，以上现象可能是由于热效应和量子阱中的压电效应引起的.     

MOCVD法侧向外延生长高质量GaN

利用金属有机物气相外延法(MOCVD)，在GaN/蓝宝石复合衬底上，采用侧向外延生长技术制备出高质量的GaN外延膜，并对其进行扫描电镜、X射线双晶衍射、透射电镜测量和分析. 发现完全合并后的GaN外延层的表面平整，晶体质量较衬底有大幅的提高，透射电镜进行微区位错观察发现窗口区穿透位错大部分发生转向，侧向生长区下方的穿透位错被掩膜阻断.     

稀土硫氰酸盐与聚乙二醇固体配合物的合成与表征

在乙酸乙酯溶液中合成了十五种稀土硫氰酸盐与开环聚醚,三缩四乙二醇(简写EO4)的固体配合物.用元素分析,红外光谱,差热和热重分析,核磁共振,X射线粉末衍射及摩尔电导等方法对配合物进行了表征.配合物的组成为RE(SCN)_3·EO_4·H_2O.从TG-DTA分析表明,除镧的配合物外其他配合物在160℃—260℃能生成RE:EO_4为4:3的新配合物.     

GaN横向外延中晶面倾斜的形成机制

采用双晶X射线衍射(DC-XRD)研究蓝宝石(0001)衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因. 发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiN_x掩模层弯曲. 采用选择性腐蚀逐渐去掉SiN_x掩模层, 发现XRD中GaN(0002)w扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息. 该衍射信息起初为一个很宽的峰, 随着选择性腐蚀的进行, 会先分裂为两个峰, 最后当SiN_x掩模层全部腐蚀掉后, 其中一个衍射峰会消失, 而只剩下一个很窄的峰. 作者证实造成横向外延GaN 中晶面倾斜的原因有两个: 一是由于GaN与掩模层之间界面应力造成的弹性非均匀应变; 另一个是由于GaN中穿透位错的90°转向造成的塑性形变.