GaN基紫外探测器的研究与制备

报道了用MOCVD方法在GaAs衬底上制作p-GaN/InGaN/n-GaN结构紫外探测器.我们对器件进行了测试分析.根据器件光伏信号强度和相位的测量结果,我们得到了该器件的能带结构图.我们还发现Ni/Au电极与p-GaN之间的接触表现出肖特基接触的特性.该探测器在入射光波长为375nm处的响应度大约为7.4×10-3A/W.     

氮化镓基发光二极管的发光光谱和功率特性

用直流和脉冲电流的方法研究了氮化镓基紫色和蓝色发光二极管的发光光谱和功率特性.结果表明,紫色发光二极管的发光中心波长在直流情况下随电流的增加发生红移,在脉冲情况下随电流的增加发生蓝移;蓝色发光二极管的发光中心波长在直流和脉冲情况下都发生蓝移.两种发光二极管的功率在直流情况下会发生饱和,并随电流的进一步增加而急剧减小,以上现象可能是由于热效应和量子阱中的压电效应引起的.     

基于Vague集多准则决策的新的评分函数

评分函数是Vague集多准则决策过程中影响决策结果的一个重要因素.针对模糊环境下多准则决策问题,首先,指出现有文献所构造的评分函数的缺陷.其次,在整合前人工作的基础上,为同时兼顾真、假隶属度的绝对差距和未知度对决策结果的贡献,提出了一种新的评分函数,有效地解决了决策结果与直觉判断不符的问题,并在多方案的评分函数值相等时,给出了合理的决策规则,为决策者做出科学决策提供了一种方便有效的方法.最后,通过实例阐明新评分函数的有效性和优越性.     

基于非线性力反馈的血管介入手术训练系统

血管介入手术训练系统是利用虚拟现实技术帮助医生学员快速、高效、低成本地掌握血管介入手术技能的训练系统。由于国外商业产品存在较高技术壁垒且我国对本课题的研究起步较晚,导致系统存在血管形变仿真缺失、力反馈计算方法简单等诸多不足。针对这些问题研发了一套血管介入手术虚拟训练系统,实现了系统的血管与导丝柔性形变、血管碰撞检测、力反馈计算与导丝运动控制等功能。分别基于张量有限元和杆单元有限元构建了血管和导丝的物理模拟模型;研究了血管与导丝模型的碰撞检测方法;通过导丝前端碰撞模型与血管壁碰撞模型间的接触面积构造非线性力学方程,提出了非线性力反馈计算方法。实验结果表明,系统中血管张量有限元物理模型具有良好的柔性形变效果,为系统提供了较好的视觉反馈信息;非线性力反馈计算方法更好的模拟了导丝与血管间作用力的特性;系统实现了手术训练功能,并具有良好的实时性。     

Cu导线表面起伏程度对早期失效的影响

使用两种化学机械抛光剂得到的单层大马士革Cu导线表面起伏程度不同.扫描电镜观察到明显的缺陷出现在大起伏的Cu导线表面.这种表面缺陷导致早期失效比率剧增至几乎100%、电迁移寿命猛降至早期失效的量级、失效时间分布从多模变为单模,其相应的失效机制激活能为0.74±0.02 eV,这说明失效主要是由Cu原子沿导线表面扩散引起的.最弱链接近似被用来分析单根Cu导线:Cu导线被适当均分为若干相互串联、失效机制不同的Cu块,任何一个Cu块的失效都会使整根Cu导线失效.分析结果表明,虽然表面缺陷不是最快的失效机制,但大起伏Cu导线的表面缺陷密度是另一种的10 倍以上,这是其早期失效比率高和可靠性较低的主要原因.     

稀土硝酸盐与三缩四乙二醇-二-(8-喹啉基)醚固体配合物的合成

合成了三缩四乙二醇-二-(8-喹啉基)醚(Ⅰ)配体,并首次合成了与十四个稀土硝酸盐的固体配合物.用IR、TG、DTA等测试确定固体配合物组成为[Ln(NO_3)_3]_3(Ⅰ)_2(Ln=La、Ce、Pr、Nd)和CLn(NO_3)_3)_3(Ⅰ)·H_2O(Ln=Sm-Yb和Y).配体(Ⅰ)和配合物[La(NO_3)_3)]_3(Ⅰ)_2核磁共振谱分析表明,醚链上的质子向低场位移,喹啉环上质子向高场位移,这说明镧与配体(Ⅰ)中喹啉上的氮是直接配位的.     

高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析

制作了反向饱和电流为5.5×10-14 A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010 cm-2.     

Thickness measurement of GaN epilayer using high resolution X-ray diffraction technique

In this paper we propose a new method for measuring the thickness of the GaN epilayer, by using the ratio of the integrated intensity of the GaN epilayer X-ray diffraction peaks to that of the sapphire substrate ones. This ratio shows a linear dependence on the GaN epilayer thickness up to 2 μm. The new method is more accurate and convenient than those of using the relationship between the integrated intensity of GaN epilayer diffraction peaks and the GaN thickness. Besides, it can eliminate the absorption effect of the GaN epilayer.     

利用多角度海底反向散射信号进行地声参数估计

针对现有海底地声参数估计方法的不足,提出了利用相控参量阵浅地层剖面仪接收的多角度海底反向散射信号进行地声参数估计的方法,首先利用正下方和斜入射方向上沉积层上、下表面的差频反向散射信号进行沉积层厚度和声速估计,然后利用正下方沉积层上、下表面两个不同频率的差频信号的反向散射信号估计沉积层衰减系数,最后利用正下方沉积层上表面原频反向散射信号估计沉积层阻抗,计算沉积层密度从而解决和声速的耦合性,通过水池试验验证了该方法的有效性。