纳米折叠InGaN/GaN LED材料生长及器件特性

在以自组织Ni纳米岛为掩膜制作的n-GaN纳米柱上,利用MOCVD方法外延生长了具有折叠InGaN/GaN多量子阱(MQW)的LED结构外延片,进而制作了LED器件.外延片上中下游的光致荧光测试,结果表明外延片具有很好的均匀性.用该外延片制作的LED的电致发光谱,随注入电流增加没有明显蓝移,这表明纳米结构能更好地释放应力,纳米柱上外延生长的多量子阱,具有较低的压电极化电场.正向工作电流20 mA时,LED器件的工作电压为4.6 V. 关键词： 纳米柱LED 光致发光 电致发光     

中性点经消弧线圈接地系统单相接地故障判定研究

我国在10KV-66KV电网中普遍采用中性点不接地或经消弧线圈接地方式。中性点经消弧线圈接地方式在降低了故障对电网设备损害程度的同时,也对电网的故障判定产生了一定影响。消弧线圈的接入使电网中性点更易受谐振过电压等现象影响而出现保护装置误动。为解决这一问题,对融合其他判据对中性点经消弧线圈接地系统单相接地故障的判定方法进行了研究。经试用表明,这种多判据共同确定故障的方法具有较高的故障判定准确率。     

预辅Al及AlN缓冲层厚度对GaN/Si(111)材料特性的影响

主要研究了采用高温AlN缓冲层外延生长GaN/Si(111)材料的工艺技术。利用高分辨X射线双晶衍射(HRXRD)分析研究了GaN/Si(111)样品外延层的应变状态和晶体质量,通过原子力显微镜(AFM)分析研究了不同厚度的高温AlN缓冲层对GaN外延层的表面形貌的影响。实验结果表明,AlN缓冲层生长前预通三甲基铝(TMAl)的时间、AlN缓冲层的厚度对GaN外延层的应变状态、外延层的晶体质量以及表面形貌都有显著影响。得到最优的预辅Al时间为10s,AlN缓冲层的厚度为40nm。在此条件下外延生长的GaN样品(厚度约为1μm)表面形貌较好,X射线衍射(XRD)双晶摇摆曲线半峰全宽(FWHM)(0002)面和(10-12)面分别为452″和722″。     

Metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetector based on GaN

A metal-semiconductor-metal (MSM) ultraviolet photodetector has been fabricated using unintentionally doped n-GaN films grown on sapphire substrates. Its dark current, photocurrent under the illumination with λ = 360 nm light, responsivity, and the dependence of responsivity on bias voltage were measured at room temperature. The dark current of the photodetector is 1.03 Na under 5 V bias, and is 15.3 Na under 10 V bias. A maximum responsivity of 0.166 A/W has been achieved under the illumination with λ= 366 nm light and 15 V bias. It exhibits a typical sharp band-edge cutoff at the wavelength of 366 nm, and a high responsivity at the wavelength from 320 nm to 366 nm. Its responsivity under the illumination with λ= 360 nm light increases when the bias voltage increases.     

表面处理对p-GaN欧姆接触特性的影响

研究了王水溶液对p-GaN欧姆接触特性的作用.在蒸镀欧姆电极之前采用王水溶液对表面进行处理,使p-GaN的比接触电阻从8×10-3降低到2.9×10-4Ω·cm2.利用X射线光电子谱(XPS)对p-GaN表面氧含量进行分析,结果表明王水可以有效地去除p-GaN表面的氧化物,从而改善p-GaN的欧姆接触特性.     

液液相变中的盐效应

完全互溶的双液系在一定条件下发生相变而成为部分互溶体系.六十年代,李俊甫等曾研究过盐的加入对相变条件的影响,提出了线性方程:T=T_0+Kx_x。(T_0,T分别为双液比固定时加盐前后体系的相变温度,x_s为盐的摩尔分数,K为常数).但至今尚无人从理论上证明其存在并加以计算.本文试从微扰理论出发证明该线性方程成立,并对部分体系进行计算。     

脊形InGaN激光器的温度分布及其对器件特性的影响

利用含时二维热传导模型分析了蓝宝石衬底上生长、制作的脊形InGaN激光器内波导层的温度分布和时间演化规律.由于较大的阈值电流和电压以及较差的衬底导热性能,脊形下波导层内会产生较高温升并在脊形内外形成较大的温度台阶.由于脊形波导的弱自建波导特性,这一温度台阶会对侧向模式的限制产生较大的影响.短脉冲工作下的时间分辨L-I测试以及时间分辨远场和光谱测试结果显示,脊形内外的温度台阶会改善波导对高阶模的限制,导致器件的阈值电流下降,斜率效率升高.而有源区的温升又会导致斜率效率的严重下降.     

直觉模糊GM(1,1)模型及其在灰色发展决策的应用

研究了以直觉模糊数为对象的GM(1,1)模型并运用到灰色发展决策方法。利用灰色系统理论中核和灰度的内涵,将直觉模糊数的犹豫度和记分函数结合构建了直觉模糊数序列 GM(1,1)预测模型,从而实现了直觉模糊数的预测。在此基础上结合变权原理提出了基于直觉模糊数的灰色发展决策方法。最后,算例分析说明了该方法的合理性和可行性。     

考虑双参照点和Choquet积分的新型研发机构绩效评估方法及应用

针对新型研发机构绩效评估值不确定、指标间存在关联、投资主体多元且有风险偏好、指标集权重未知等绩效问题,提出基于双参照点和Choquet积分的绩效评估方法。首先,结合新型研发机构的特点,构建绩效评估指标体系;其次,基于累积前景理论设计同行-期望双参照点;然后,构建指标间直接关联矩阵,依据K-可加模糊测度和平均边际贡献Banzhaf值优化求解指标集权重,代入Choquet积分方法和参照点权重公式计算各新型研发机构的综合绩效评估值,从而实现机构排序和问题分析。该方法考虑了新型研发机构的特点、数据不确定性、指标关联性、风险偏好性、权重未知性等因素,更加符合实际情况,案例验证了方法的有效性和实用性。     

基于分数阶傅里叶变换的Chirp浅剖精细探测方法

实现弱回波信号检测和高信噪比(SNR)浅剖图像获取是浅剖精细探测的首要任务。该文在分析分数阶傅里叶变换(FrFT)解卷积原理,推导时间量纲化变换公式的基础上,提出一种基于FrFT的浅剖精细探测新方法。该方法通过FrFT解卷积实现分数阶傅里叶域(u域)沉积层冲激响应求解,采用u域加窗滤波技术对带内噪声进行有效抑制,经时间量纲化变换实现高信噪比u域沉积层冲激响应包络信号至时域浅剖包迹的直接变换,得到高质量的浅剖图像。仿真实验和实测数据处理验证了算法的精细探测能力,算法性能优于脉冲压缩和自回归(AR)预测滤波方法。