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71.
用遗传算法(GA)重建二维连续介质介电参数的剖面分布,着重讨论了提高反演计算效率的方法.根据个体和群体的适应度实时调整交叉概率和变异概率;在交叉运算后,增加一次适应度的计算,通过计算后的适应度来决定个体的变异范围;产生下一代群时首先进行相似判断,淘汰相似个体中适应度低的个体;运用最优保存策略.该方法有助于加快收敛速度和减少计算量.数值结果表明,采用该方法可大大提高了反演的收敛速度,并有效地反演介质目标的介电参数分布. 相似文献
72.
基于Al2O3陶瓷、BN陶瓷和聚四氟乙烯三种基底建立了分段表面放电光泵浦源,对比研究了这三种表面放电光泵浦源的电学特性、辐射特性和烧蚀特性。利用放电波形计算了表面放电光泵浦源的等效电感、等效电阻和沉积效率,应用光谱法比较了它们的紫外辐射强度,并采用平均线烧蚀率评估了三种泵浦源的耐烧蚀性能。通过比较研究发现,在充电电压为13.5~26.8kV、间隙长度为8cm、放电室内混合气体气压为100kPa条件下,三种泵浦源中Al2O3陶瓷表面放电光泵浦源的沉积效率最高,大于82%;辐射光谱具有紫外增强效应,紫外辐射最强;平均线烧蚀率最小(小于0.15μm/shot),耐烧蚀性能最好。研究结果表明采用Al2O3陶瓷表面放电光泵浦源作为大功率重频XeF蓝绿激光器的泵浦源,可提高XeF蓝绿激光器的寿命。 相似文献
73.
比拟法是强电类“电磁场”教学的一个重要内容,本文首先分析某些现行“电磁场”教材利用比拟原理在推导平行平面场中关于分布电容和分布电感参数之间的比拟关系所存在的缺陷,同时详尽地给出了比拟关系的严格推证。该研究工作对本科生和研究生在学习过程中深化理解比拟法,提高理论素养也具有重要的意义。 相似文献
74.
75.
Hydrogenated microcrystalline silicon (\mu c-Si:H) films are
fabricated by very high frequency plasma enhanced chemical vapour deposition
(VHF-PECVD) at a silane concentration of 7% and a varying total gas flow
rate (Hk2+SiHk4). Relations between the total gas flow rate and the
electrical and structural properties as well as deposition rate of the films
are studied. The results indicate that with the total gas flow rate
increasing the photosensitivity and deposition
rate increase, but the crystalline
volume fraction (Xkc) and dark conductivity decrease.
And the intensity of (220) peak first increases then
decreases with the increase of the total gas flow rate. The cause for the
changes in the structure and deposition rate of the films with the total gas
flow rate is investigated using optical emission spectroscopy (OES). 相似文献
76.
一株Stysanus like sp.属南海红树内生真菌代谢产物的研究 总被引:1,自引:1,他引:0
红树林海岸是生物海岸的一种。红树植物是一类生长于潮间带的乔灌木的通称。红树植物的种属繁多,因受地理纬度的影响,红树林种属的多样性从南到北逐渐过渡到比较单纯,植枝的高度由高变低,从生长茂盛的乔木过渡到相对矮小的灌木丛。由于红树林内食物营养丰富,寄生于其中的真菌特别多,据称海洋中绝大多数的真菌均可在红树林找到。 相似文献
77.
C2V群寻基在矩量法求解二维电磁散射问题中的应用 总被引:1,自引:1,他引:0
针对横截面为双轴对称特征的散射柱,确定以柱各边的中心点共计4个群变换对称点,以此构成4个自然对称基函数.根据二维对称物体的对称特点构造出对称变换群,继而确定出该变换群的正规表示,将正规表示进行约化,根据所约化出的不可约表示,进而确定出以上述4个自然对称基的线性组合的线性独立归一的完备基,计算结果表明,以该基函数级数展开来描述散射体表面电流,具有收敛速度快、计算精度高等特点. 相似文献
78.
The Si on SiC heterojunction is still poorly understood,
although it has a number of potential applications in electronic and
optoelectronic devices, for example, light-activated SiC power
switches where Si may play the role of an light absorbing layer. This
paper reports on Si films heteroepitaxially grown on the Si face of
(0001) n-type 6H-SiC substrates and the use of B2H_6 as a
dopant for p-Si grown at temperatures in a range of
700--950~\du. X-ray diffraction (XRD) analysis and transmission
electron microscopy (TEM) tests have demonstrated that the samples
prepared at the temperatures ranged from 850~℃ to 900~℃ are
characterized as monocrystalline silicon. The rocking XRD curves
show a well symmetry with FWHM of 0.4339° Omega. Twin
crystals and stacking faults observed in the epitaxial layers might
be responsible for widening of the rocking curves. Dependence of the
crystal structure and surface topography on growth temperature is
discussed based on the experimental results. The energy band structure
and rectifying characteristics of the Si/SiC heterojunctions are
also preliminarily tested. 相似文献
79.
亥姆霍兹定理在电磁理论中具有重要意义。本文通过格林公式,处理奇异点和极限理论的应用,达到了证明的目的。此方法,从学生熟悉的公式入手,有益于学生对该定理的掌握。这对学生理解矢量场与场源关系,提高学生分析和解决问题的能力具有实际意义。 相似文献
80.
Quasi-hydrostatic Limit of LiF as a Pressure Transmitting Medium and Its Equation of States
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Quasihydrostatic limit of LiF as a pressure transmitting medium is investigated by synchrotron radiation x-ray diffraction combined with the diamond anvil cells technique up to 60 GPa at room temperature. The equation-of- state parameters of LiF are determined to be Vo = 65.7(2)A3 Bo = 58(3) GPa and B'0 = 4.9(2) in the silicon oil environment; Vo = 67.4(3) A3, Bo = 51(3) GPa and B'0 = 4.7(2) without pressure transmitting medium. The full width at half maximum of LiF (111) peak increases with the increase of pressure in two independent experiments. The pressure distribution in the sample chamber is estimated by line-scanning x-ray diffraction measurements across the chamber's center, which presents as homogeneous with Pmax - Pmin Of about 1 GPa below 40 GPa. 相似文献