回流温度曲线对CBGA植球空洞影响研究

随着陶瓷球栅阵列(CBGA)封装形式的产品被广泛应用,空洞对可靠性的影响受到重视。以CBGA256封装形式的电路产品为例,通过调节回流温度曲线研究空洞形成的机理和回流焊时间对空洞率的影响。研究结果表明,随着加热时间的增加,焊点空洞的数量呈现先降低后升高的趋势,而加热时间过长不利于助焊剂残留的排出造成空洞增多,而回流时间的增加有利于回流过程中熔化焊料内部空洞的溢出。     

海绵放线菌Nocardiopsis dassonvillei OUCMDZ-4534的活性天然产物

拟诺卡氏菌(Nocardiopsisdassonvillei)OUCMDZ-4534分离自西沙贪婪倔海绵(Dysideaavara),其发酵提取物表现出生物碱显色、系列紫外吸收及抑菌和肿瘤细胞毒活性.从其发酵产物中分离到12个化合物.通过质谱(MS)、紫外(UV)、红外光谱(IR)、电子圆二色谱(ECD)、核磁共振(NMR)和化学计算等方法,首次确定了外消旋体1中对映体的绝对构型分别为(3a S,7a S)-3a-羟基-3a,7a-二氢苯并呋喃-2(3H)-酮(1a)和(3a R,7a R)-3a-羟基-3a,7a-二氢苯并呋喃-2(3H)-酮(1b),其它化合物依次被确定为吩嗪(2)、1-羟基吩嗪(3)、1-甲氧基吩嗪(4)、1,6-二羟基吩嗪(5)、1-羟基-6-甲氧基吩嗪(6)、1,6-二羟基吩嗪-5-氧化物(7)、2-(4-甲基-2,6-二羟基-3,5-二氯)苯甲酰基-3-甲氧基-5-羟基苯甲酸甲酯(8)、N-(2-羟基苯基)乙酰胺(9)、N-(2-羟基苯基)苯甲酰胺(10)、(E)-3-(4-羟基)苯丙烯酸(11)和(E)-3-(4-羟基-3-甲氧基)苯丙烯酸(12).化合物1和9分别对A549和K562细胞有选择性抑制作用,半数抑制浓度(IC50)分别为0.47和0.46μmol·L-1;化合物4～8对K562、A549和MCF-7细胞表现出不同程度抑制作用,IC50值在0.02～1.48μmol·L-1之间;化合物11对K562细胞以及化合物12对K562和MCF-7细胞有较强抑制活性, IC50分别为1.14、0.88和0.62μmol·L-1.化合物7和8分别对烟曲霉(Aspergillusfumigates)和交替假单胞菌(Pseudoalteromonasnigrifaciens)有抑制活性,其最小抑菌浓度(MIC)分别为25.00和2.00μg·m L-1.化合物4～6和9还表现出对甲型流感H1N1病毒的抑制活性,IC50分别为0.04、0.15、0.06和0.30 mmol·L-1.     

3毫米波段低噪声GaAs PHEMT研究

阐述了毫米波段低噪声ＧａＡｓＰＨＥＭＴ课题的研究过程，报道了研究结果。研制出的器件最高振荡频率超过１５０ＧＨｚ，这是国内第一个频率进入３毫米波段的半导体三端有源器件。在Ｋａ波段有优良的噪声和增益性能。     

3毫米波段低噪声GaAs PHEMT研究

阐述了毫米波段低噪声ＧａＡｓＰＨＥＭＴ课题的研究过程，报道了研究结果，研制出的器件最高振荡频率超过１５０ＧＨｚ这是国内第一个频率进入３毫米波段的半导体三端有源器件，在Ｋａ波段有优良的噪声和增益性能。     

固体光致抗蚀工艺

讨论影响抗蚀剂性能若干基本因素的理论和作用,包括粘附问题、涂层厚度、热处理和光响应。     

梁式引线的化学镀金

贝尔实验室研究的化学镀金工艺已经成功地应用于硅集成电路梁式引线的制造。这种先进的镀金工艺以6微米/小时的速率把金有选择性地镀到衬底上的各个分立图形,在厚度10～12微米的范围内,其不均匀性≤10％。梁式引线的图形是用金属网膜掩蔽真空蒸发钛继而蒸发钯或者是用光刻和腐蚀工艺制成。已经证实这种工艺与硅器件上所采用的许多其它材料是相容的。梁式引线的特点是对于机械性能有严格要求,已发现能满足甚至超过系统的要求。由于这种工艺能够得到高的成品率,用之取代普通的梁式引线制造方法是很吸引人的。