用PLD方法制备Li掺杂的p型ZnMgO

在玻璃衬底上用PLD方法成功制备出具有高度(0002)取向性的、晶体质量较好的Li掺杂为0.4%的p型 Zn0.8Mg0.2O薄膜.衬底温度对薄膜的电学性能及结晶质量有重要影响,实验表明:在500℃时薄膜的电学性能最好,其载流子浓度为5.1×1018cm-3,电阻率为6.58Ω·cm,霍尔迁移率为0.189cm2/(V·s),且制备出的薄膜在可见光区具有90%的高透射率及在室温下光学禁带宽度3.625eV.     

Na掺杂P型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光

在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.9多层量子阱结构作为有源层,Na作为P型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推进作用.     

MOCVD法制备磷掺杂p型ZnO薄膜

利用金属有机化学气相沉积方法在玻璃衬底上生长了掺磷的p型ZnO薄膜.实验采用二乙基锌作为锌源,高纯氧气和五氧化二磷粉末分别作为氧源及磷掺杂源.实验表明:生长温度为400～450℃时获得了p型ZnO薄膜,而且在420℃时,其电学性能最好,空穴浓度为1.61×1018cm-3,电阻率为4.64Ω·cm,迁移率为0.838cm2/(V·s).霍尔测试和低温光致发光谱证实了该ZnO薄膜的p型导电特性,并观察到薄膜位于3.354eV与中性受主束缚激子相关的发射峰.     

Na掺杂p型ZnO和ZnO/ZnMgO多量子阱结构基LED的制备与室温电注入发射紫蓝光

在硅单晶上,采用了环境友好的ZnO/Zn0.9Mg0.9多层量子阱结构作为有源层,Na作为P型掺杂元素,制备了ZnO发光二极管(LED).该LED在室温电注入条件下,实现了较强的紫蓝发光,且有效控制了缺陷发光.这项工作将为ZnO LED走向应用起到重要的推进作用.     

直流反应磁控溅射Al,N共掺方法生长p型ZnO薄膜及其特性

报道了利用直流反应磁控溅射以Al,N共掺杂技术生长p型ZnO薄膜 .ZnO薄膜在不同衬底温度下沉积于α Al2 O3 (0 0 0 1)衬底上 ,N来自NH3 与O2 的生长气氛 ,Al来自ZnxAl1-x(x =0 9)靶材 .利用XRD ,AFM ,Hall,SIMS和透射光谱对其性能进行了研究 .结果表明 ,ZnO薄膜具有高度c轴择优取向 ,4 5 0℃、6 0 0℃分别实现了p型转变 ,电阻率为 1e2 ～ 1e3 Ω·cm ,载流子浓度为 1e15～ 1e16cm-3 ,迁移率为 0.5～ 1.32cm2 / (V·s) .薄膜中Al原子促进了N原子的掺入 .实验还表明 ,p ZnO薄膜在可见光区域具有很高的透射率 (约为 90 % ) ,室温下光学带宽为 3 2 8eV     

生长参数对MOCVD法制备的p型ZnO薄膜性能的影响

研究了等离子体辅助金属有机化学气相沉积方法制备N掺杂p型ZnO薄膜过程中生长参数如衬底温度、射频功率、锌源流量对ZnO薄膜结晶质量和电学性能的影响.     

一种共轴微通道反应器设计及单分散生物质聚合物微珠的可控制备

采用不同尺寸的聚四氟乙烯(PTFE)微管为内外管、玻璃毛细管(glass capillary)或聚丙烯(PP)中空纤维为内管管头设计制作了一种共轴微通道反应器(N-CAMFR).以聚乳酸(PLA)/二氯甲烷(CH2Cl2)溶液和海藻酸钠(Na-alginate)水溶液分别作为分散相,在N-CAMFR内形成O/W和W/O乳液后,收集乳液并使其中的液滴固化,制备出单分散的生物质聚合物微珠(BPM).研究了固定管头尺寸时,改变连续相的流速及表面活性剂的种类对微珠尺寸的影响.结果表明,使用N-CAMFR制备微珠,反应过程流畅,所制得的微珠粒径分布均匀,其分散系数(f)可低至2.16%;通过改变内管管头的尺寸可方便地调控N-CAMFR的尺度,与传统微通道反应器相比,降低制作成本的同时拓宽了其应用的范围,而且降低了微通道反应器堵塞的几率.为粒径范围200~800μm的单分散聚合物微珠的可控连续制备提供了快捷绿色的新方法.     

衬底类型对于Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜性能的影响

利用直流反应磁控溅射技术分别在玻璃、n-〈111〉Si、氧化硅(SiO2/Si)、石英衬底上制得Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜。利用X射线衍射(XRD)、Hall实验、场发射扫描电镜(FE-SEM)和X射线光电子能谱(XPS)对不同衬底上生长的ZnMgO薄膜的性能进行表征。结果表明,Ga-N共掺杂p型ZnMgO薄膜具有高度c轴择优取向的结构特征。生长在玻璃、(111)Si和氧化硅衬底上的ZnMgO薄膜显示p型导电性,而生长在石英衬底上的ZnMgO薄膜显示n型导电性。生长在氧化硅片衬底上的共掺杂ZnMgO薄膜的晶体质量和电学性能最优,载流子浓度为2.28×1017cm-3,电阻率为27.7Ω·cm。而且其表面形貌明显不同于生长在其他衬底上的薄膜。Ga2p和N1s的XPS谱表明Ga-N共掺杂ZnMgO薄膜中存在Ga—N键,有利于N的掺入,从而易于实现p型生长。