固体C70/Si异质结的界面电子态

用深能级瞬态谱和高频电容-电压技术研究了固体C70/Si异质结的界面电子态.研究结果表明在C70/Si的界面上明显存在三个电子陷阱Eit1(0.194)、Eit2(0.262),Eit3(0.407)和一个空穴陷阱Hit1(0.471),以及在C70/Si界面附近存在着固体C70的电子和空穴陷阱引起的慢界面态.结果还表明C70膜的生长温度对C70/Si的电学性质有重大影响,200℃生长的C70/Si界面远优于室温生长的.     

H掺杂对ZnCoO稀磁半导体薄膜结构及磁性能的影响

利用磁控溅射法,采用亚分子分层掺杂技术交替溅射Co靶和ZnO靶,在Si衬底上制备了不同氢氩流量比的H:ZCO薄膜样品,研究了氢氩流量比对薄膜结构特性和磁学性能的影响。所制备的薄膜样品具有c轴择优取向。由于H对表面和界面处悬挂键的钝化作用,随H₂流量比的增加,薄膜的择优取向变差。磁性测量结果显示,薄膜样品的铁磁性随着氢氩流量比的增大而增强。XPS结果表明,随着H含量的增大,金属态Co团簇的相对含量逐渐增加,而氧化态Co离子的相对含量逐渐减小。H:ZCO样品中的铁磁性可能来源于Co金属团簇,H的掺入促使ZnO中的Co离子还原成Co金属团簇,从而增强了薄膜样品的室温铁磁性。     

实现MIMO系统串行干扰消除迫零检测的快速递归算法

针对贝尔实验室分层空时架构中串行干扰消除迫零检测复杂度较高的问题,提出了一种低复杂度快速递归算法,并给出该算法的快速实现方案及其复杂度分析。理论分析与仿真结果表明,与快速递归算法(FRA)相比,所提算法具有低复杂度、易于实现和低存储需求等优势,且其误码性能在实际条件下接近最优,因此具有较高的实用性和良好的应用前景。     

NEXO Alpha 扬声器系统

原著及测试：AnselmGoertz．编译广东佛山华南专业音响工程有限公司林华冠收稿日期2000－12－111引言Alpha系统的雏形仅仅包括中／高频扬声器和一个2×18英寸低频扬声器。18英寸带通系统和10英寸驱动器号筒高频系统所组成的扬声器系统,分频点对整个系统的好坏起关键作用,而对这个分频点的处理对力素的开发者来说确实是一件头痛的事情。从其它扬声器系统可知,就声音和最大声压级而言,分频区是这种组合系统的弱点所在。力素却找到了对策,他们开发了B1音箱来弥补这一缺陷。B1是一个15英寸号筒式低音反射系统,能够产生强劲的效果和冲…     

嫦娥一号卫星CCD立体相机影像超分辨率重建算法

针对嫦娥一号卫星CCD立体相机空间分辨率不足的问题,运用最大后验概率估计法(MAP)实现了月表影像的超分辨率重建。介绍了嫦娥一号卫星CCD立体相机的成像模型,分析了图像获取过程中的主要影响因素,并建立了相应的超分辨率重建模型。基于该模型,首先采用误差-参数分析法估计嫦娥一号卫星CCD立体相机动态成像光学系统的点扩散函数(PSF);然后将估计的PSF应用到MAP算法所建立的目标函数中,采用共轭梯度法对目标函数进行最值求解;再通过VC软件平台编程实现了对单帧正视月表影像的超分辨率重建;最后从信息熵、清晰度和频谱等方面对重建图像进行评价,结果表明重建图像像质优良。     

数字集群系统区域覆盖技术

首先简要介绍了数字集群系统的发展背景,提出了数字集群系统的一般网络结构设计。结合路径损耗模型给出正常工作模式下的数字集群系统无线区域覆盖范围,并给出了不同的边缘通信概率的系统覆盖范围。     

互联网电视技术方案分析与比较

随着我国社会主义现代化的发展和社会各领域信息化进程的加快,互联网作为一种主流的信息技术已经深入到社会生产的各个领域.而互联网电视作为新兴的电视媒体,其发展规模在近年来也在不断扩大.通过对目前国外互联网电视的主流技术进行研究和分析,通过将不同技术进行比较,指出了各项技术的优点和不足.     

多线切割工艺断线问题的分析

在多线切割工艺中,镀铜金属线对硅单晶切割片的质量有着重要影响,成为多线切割工艺需要控制的重要辅料。断线问题一直是困扰多线切割工艺人员的主要问题之一,一直得不到有效的解决,从材料、设备、工艺以及人员等多个视角对断线问题进行了分析,并给出相应的解决措施。     

Growth of a-Plane InN Film and Its THz Emission

We report the growth of a-plane InN on an r-plane sapphire substrate by plasma-assisted molecular-beam epitaxy. It is found that the a-plane InN is successfully grown by using a CaN buffer layer, which has been confirmed by reflection high-energy electron diffraction, x-ray diffraction and Raman scattering measurements. The Hall effect measurement shows that the electron mobility of the as-grown a-plane InN is about 406 cm^2/V·s with a residual electron concentration of 5.7 × 10^18 cm^-3. THz emission from the a-plane InN film is also studied, where it is found that the emission amplitude is inversely proportional to the conductivity.