思特奇预付费业务管理系统

在思特奇公司针对移动通信运营商的运营服务支撑系统（ＢＯＳＳ）全面解决方案中,思特奇预付费业务管理系统（ＳＩＴＥＣＨＰｒｅＰａｉｄＳｏｌｕｔｉｏｎ）就是随着移动通信业务的飞速发展,顺应提高运营商竞争力的需要,以及扩大市场占有率和服务种类的要求而及时...     

红外半导体材料HgMnTe的缺陷腐蚀

窄禁带、含Ｈｇ的Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体晶体的电性能受缺陷影响很大,蚀坑密度又是缺陷电学性质研究中重要的相关参数．本文从腐蚀机理出发,研究了ＨｇＭｎＴｅ的腐蚀工艺,探索出一种适合于ＨｇＭｎＴｅ的腐蚀液．从实验结果来看,该腐蚀液可显示不同晶面上的多种缺陷,如位错、晶界、孪晶、杂质和沉淀等,而且腐蚀质量高．以此为基础,我们还分析了ＡＣＲＴ和Ｂｒｉｄｇｍａｎ两种方法生长的ＨｇＭｎＴｅ晶体中缺陷的形貌特点及分布情况     

O(1D)与CF3Br的反应研究

研究了CF     

电离气体现象第十届国际会议简介(1971年9月13—18日于英国牛津举行)

电离气体现象国际会议于1953年在英国牛津举行第一次会议,以后每两年举行一次。去年在牛津举行了第十庙(庆祝)会议,各国参加人数共约750人;同出席人数分别为750人和1000人的1965年布加勒斯特会议和1967年维也纳会议相比,出席人数减少了一些。自从1965年贝尔格莱德会议以来,会议上的学术专题大体上没有什么变动,但是存在着要限制专题范围的趋势。例如第十届会议组织委员      

电子信息工程“Matlab基础”线上教学

在新的一年,新冠疫情防控形式仍然严峻,《MATLAB基础》课程采取了雨课堂与腾讯会议相结合的线上教学模式。文章主要从课程教学内容及目标、本课程特色及采取线上教学的优势、线上教学过程等方面进行了分析和思考。在授课过程中,由于老师学生无法实现面对面的教学互动,所以采用了随机点名以及开启弹幕等互动的方式,为了加深同学们的课堂印象以及提升课堂教学效果,课程还采用了讲义与软件双屏授课以及线上随机分享学生实操的方式,最终让学生们对所学课程有了更直观和深刻的认知。文章线上教学模式对于电子信息工程等工科专业进行编程课程学习及认知实践具有重要实践意义。     

电阻分压器-3 dB频率与上升时间的关系

 研究了无电感补偿和有电感补偿的一级和两级电阻分压器的幅频特性-3 dB频率与阶跃响应10%~90%上升时间的关系。无电感补偿一级分压器的-3 dB频率与阶跃响应上升时间之积为常数0.350;对无电感补偿两级分压器,该乘积在0.349附近很小范围内变动;对电感补偿一级分压器,该乘积由过冲决定,当过冲在0~10%范围内变化时,该乘积在0.35~0.29之间线性变化;对电感补偿两级分压器,该乘积随过冲和分压器参数变化,在不大于10%的确定过冲下,变化范围约为±10%;当两级分压器第一级的时间常数远大于第二级的时间常数时,可能难以在第二级进行有效的电感补偿。     

关于导函数连续性的注记

就可微函数的导函数的连续性归纳出一个命题：↓Af（x）∈D（a,b）,f′（x）∈C（a,b）＜=＞f′（x）在（a,b）中不存在第二类间断点。     

CdTe(110)表面原子与电子结构的第一性原理研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了CdTe(110)表面的原子和电子性质.结果表明,CdTe(110)理想表面在禁带中出现两个明显的表面态,弛豫后表层Cd原子和Te原子p态电子发生转移,Cd原子趋向于sp2平面杂化构型,Te原子趋向p3杂化的锥形构型.经过表面弛豫大大降低了表面能,增大了表面功函数,表面占据态和表面空态分别被推进价带顶之下和导带底之上,导致弛豫表面没有明显的表面态.     

化学气相沉积法制备ZnSe微球

采用化学气相沉积方法,以MiSe2为前驱体,制备出尺寸均匀、分散度好的ZnSe微球.通过XRD、EDS和FESEM对产物的结构、成分和形貌进行了测试与表征.结果表明:所得ZnSe微球为立方闪锌矿结构,直径在800～1000 nm之间,具有近于理想的化学计量比.变温光致发光谱研究表明,ZnSe微球在550～640 nm处存在与Zn空位及杂质能级相关的发光峰.     

退火处理对CdZnTe晶体光电性能的影响

研究了生长态CdZnTe晶体在经历了不同温度和时间的Cd/Zn和Te气氛退火后,其光电性能的变化规律.研究表明,在Cd/Zn气氛下退火180 h后,CdZnTe晶体中直径在5μm以上的Te夹杂的密度减小了1个数量级,晶体的体电阻率由1010 Ω·cm减小至～107 Ω· cm.同时发现,Cd/Zn源区的温度决定了退火后晶体在500～4000cm-1范围内红外透过率曲线的平直状态,这可能与晶体中的Cd间隙缺陷浓度相关,而与晶体中的载流子浓度和夹杂/沉淀相状态无关.在Te气氛下退火时,发现晶体的红外透过率的平直状态与晶体电阻率的对数lg(ρ)呈近似线性关系,同样可归因于退火过程中Cd间隙缺陷的浓度变化.