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352.
353.
InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究 总被引:2,自引:2,他引:0
在国产第一台CBE(Chemicalbeamepitaxy)设备上,用GSMBE(Gassourcemolecularbeamepitaxy)技术在国内首次研究了InGaAs/InP匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长,用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料,并用双晶X-射线衍射技术对样品进行了测试和分析.结果表明,我们在国产第一台CBE设备上用GSMBE技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好. 相似文献
354.
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356.
In_xGa_(1-x)As/InP应变量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化 总被引:1,自引:0,他引:1
本文研究了InxGa1-xAs/InP应变多量子阱中激子跃迁能量随In组分的变化.用国产GSMBE设备生长了五个样品,这五个样品的阱宽均为5nm,垒宽均为20nm,唯一的不同之处是阱层中的In组分不同,In组分从0.39变化到0.68.用X射线双晶衍射及计算机模拟确定出了各样品阱层中实际In组分.用光致发光谱(PL)、吸收谱(AS)、光伏谱(PV)确定出了样品中的激子跃迁能量.对量子阱中的激子跃迁能量随In组分的变化进行了理论计算.结果表明:对给定阱宽的量子阱,随着In组分的增大,量子阱中11H和11L激 相似文献
357.
我们对用GSMBE技术生长的In0.63Ga0.37AS/lnP压应变单量子阱样品进行了变温光致发光研究,In0.63Ga0.37As阱宽为1nm到11nm,温度变化范围为10K到300K.发现不同阱宽的压应变量子阱中激子跃迁能量随温度的变化关系与体In0.53Ga0.47As材料相似,温度系数与阱宽无关.对1nm的阱,我们观察到其光致发光谱峰为双峰,经分析表明,双峰结构由量子阱界面起伏一个分子单层所致.说明量子阱界面极为平整,样品具有较高的质量.考虑到组分效应、量子尺寸效应及应变效应,计算了In0.63G0.37As/InP压应变量子阱中的激子跃迁能量,理论计算结果与实验结果符合得很好 相似文献
358.
研究了低压化学气相淀积方法制备的n-3C-SiC/p-Si(100)异质结二极管(HJD)在300~480K高温下的电流密度-电压(J-V)特性.室温下HJD的正反向整流比(通常定义为±1V外加偏压下)最高可达1.8×104,在480K时仍存在较小整流特性,整流比减小至3.1.在300K温度下反向击穿电压最高可达220V.电容-电压特性表明该SiC/Si异质结为突变结,内建电势Vbi为0.75V.采用了一个含多个参数的方程式对不同温度下异质结二极管的正向J-V实验曲线进行了很好的拟和与说明,并讨论了电流输运机制.该异质结构可用于制备高质量异质结器件,如宽带隙发射极SiC/Si HBT等. 相似文献
359.
360.