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在相同的生长条件下,分别在高质量的GaN 和 AlN 模板上生长InAlN外延层。 测试结果显示:本实验的两个样品的In组分均为~16%,但在AlN模板上生长的InAlN外延层的晶体质量和表面形貌都要优于在GaN模板上生长的样品。其中,在GaN模板上生长的InAlN样品的(002)和(102)峰摇摆曲线的半峰宽分别为309.3″和339.1″,样品表面的粗糙度为0.593 nm,v坑密度约为4.2108cm-2;而在AlN模板上生长的InAlN样品的(002)和(102)峰摇摆曲线的半峰宽分别为282.3″和313.5″,样品表面的粗糙度为0.39 nm,v坑密度约为2.8108cm-2 。综合以上结果可初步得知,在AlN模板上生长的InAlN外延层的晶体质量和表面形貌都要优于在GaN模板上生长的InAlN外延层,因此,相对于GaN模板来说,AlN模板更适宜高质量的InAlN 外延层的生长。 相似文献
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MBE生长高质量GaAs/AlGaAs量子阱激光器 总被引:6,自引:4,他引:2
我们利用分子束外延方法研制了GaAs/AlGaAs缓交折射率分别限制(GRIN-SCH)单量子阱和双量子阱激光器.对腔长为600μm的端面不镀膜的宽接触条型F-P腔激光器,阈值电流密度(平均值)分别为290A/cm2和240A/cm2.腔长在1200μm的双量子阱激光器的阈电流密度低达190A/cm2.对出光面和背面分别镀以增透膜和高反膜的宽接触条型(80μm).激光器,线性输出功率高达1.82W;出光面的斜率效率达到1.04W/A;利用湿法化学腐蚀所制备的脊形波导结构单量子阱激光器阈值电流最低可达8mA 相似文献
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Si(100)衬底上n-3C-SiC/p-Si异质结构研究 总被引:1,自引:1,他引:0
利用LPCVD方法在Si(100)衬底上获得了3C-SiC外延膜,扫描电子显微镜(SEM)研究表明3C-SiC/p-Si界面平整、光滑,无明显的坑洞形成。研究了以In和Al为接触电极的3C-SiC/p-Si异质结的I-V,C-V特性及I-V特性的温度依赖关系,比较了In电极的3C-SiC/p-Si异质结构和以SiGe作为缓冲层的3C-SiC/SiGe/p-Si异质结构的I-V特性,实验发现引入SiGe缓冲层后,器件的反向击穿电压由40V提高到70V以上。室温下Al电极3C-SiC/p-Si二极管的最大反向击穿电压接近100V,品质因子为1.95。 相似文献
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Mg-doped AlGaN and GaN/AlGaN superlattices are grown by metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD) Rapid thermal annealing (RTA) treatments are carried out on the samples. Hall and high resolution x-ray diffraction measurements are used to characterize the electrical and structural prosperities of the as-grown and annealed samples, respectively. The results of hall measurements show that after annealing, the Mg-doped AIGaN sample can not obtain the distinct hole concentration and can acquire a resistivity of 1.4 ×10^3 Ωcm. However, with the same annealing treatment, the GaN/AlGaN superlattice sample has a hole concentration of 1.7 × 10^17 cm-3 and a resistivity of 5.6Ωcm. The piezoelectric field in the GaN/AlGaN superlattices improves the activation efficiency of Mg acceptors, which leads to higher hole concentration and lower p-type resistivity. 相似文献
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