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Large-scale SiO2 photonic crystal for high efficiency GaN LEDs by nanospherical-lens lithography 下载免费PDF全文
Wafer-scale SiO2 photonic crystal (PhC) patterns (SiO2 air-hole PhC, SiO2-pillar PhC) on indium tin oxide (ITO) layer of GaN-based light-emitting diode (LED) are fabricated via novel nanospherical-lens lithography. Nanoscale polystyrene spheres are self-assembled into a hexagonal closed-packed monolayer array acting as convex lens for expo- sure using conventional lithography instrument. The light output power is enhanced by as great as 40.5% and 61% over those of as-grown LEDs, for SiO2-hole PhC and SiO2-pillar PhC LEDs, respectively. No degradation to LED electrical properties is found due to the fact that SiO2 PhC structures are fabricated on ITO current spreading electrode. For SiO2- pillar PhC LEDs, which have the largest light output power in all LEDs, no dry etching, which would introduce etching damage, was involved. Our method is demonstrated to be a simple, low cost, and high-yield technique for fabricating the PhC LEDs. Furthermore, the finite difference time domain simulation is also performed to further reveal the emission characteristics of LEDs with PhC structures. 相似文献
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We have carried out a theoretical study of double-5-doped InAlAs/InGaAs/InP high electron mobility transistor (HEMT) by means of the finite differential method. The electronic states in the quantum well of the HEMT are calculated self-consistently. Instead of boundary conditions, initial conditions are used to solve the Poisson equation. The concentration of two-dimensional electron gas (2DEG) and its distribution in the HEMT have been obtained. By changing the doping density of upper and lower impurity layers we find that the 2DEG concentration confined in the channel is greatly affected by these two doping layers. But the electrons depleted by the Schottky contact are hardly affected by the lower impurity layer. It is only related to the doping density of upper impurity layer. This means that we can deal with the doping concentrations of the two impurity layers and optimize them separately. Considering the sheet concentration and the mobility of the electrons in the channel, the optimized doping densities are found to be 5 × 10^12 and 3× 10^12 cm^-2 for the upper and lower impurity layers, respectively, in the double-5-doped InAlAs/InGaAs/InP HEMTs. 相似文献
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采用自行设计的水平冷壁低压化学气相沉积(LPCVD)方法在偏向〈1120〉晶向8°的n型4H-SiC(0001)衬底上进行了同质外延生长.在5.3×103Pa的低压下,外延膜生长速率超过3μm/h.电容-电压法测试表明在非有意掺杂外延膜中净施主浓度为8.4×10 15cm-3.Nomarski显微镜观察表明厚外延膜的表面光滑,生长缺陷密度很低.AFM测试显示表面均方根粗糙度为0.3nm,没有观察到宏观台阶结构.Raman谱线清晰锐利,表现出典型的4H-SiC特征.在低温PL谱中,近带边区域出现很强的自由激子峰,表明样品是高质量的. 相似文献
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在国产CBE设备上,用GSMBE方法首次在国内成功地生长出了具有不同阱宽(1~18nm)的高质量的In0.53Ga0.47As/InP匹配量子阱结构材料,低温光致发光谱测试结果表明:量子阱材料发光谱峰强且锐,每个阱的激子跃迁峰清晰可辨.当阱宽大于6nm时,阱中激子跃迁能量的实验值与理论计算值符合得很好;当阱宽小于6nm时,实验值小于理论值;对阱宽相同的窄阱而言,我们样品的实验值高于Tsang的实验值,当阱宽小于4nm时,阱中激子跃迁谱峰的半高宽小于当量子阱界面起伏一个分子单层时所引起的展宽值,表明量子阱的界面具有原子级的平整度;与1nm阱相应的低温光致 相似文献
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化学气相沉积(CVD)是微电子器件用SiC外延材料的主要生长技术. 为了获得高质量的4H-SiC外延材料,在偏向〈1120〉方向8. 的4H-SiC (0001) Si-面衬底上,利用台阶控制生长技术进行4H-SiC的同质外延生长. 表面形貌是SiC外延材料质量好坏的一个重要参数,为此研究了表面形貌与工艺参数的关系,探讨了4H-SiC外延膜的表面缺陷形成原因. 利用Raman散射技术研究了非均匀4H-SiC外延材料的多晶型现象. 相似文献
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