基于皮秒激光诱导击穿光谱技术的镓酸锌薄膜的快速定量分析研究

采用射频磁控溅射方法在不同的溅射功率下制备了掺杂Ga元素的ZnO透明导电薄膜材料(ZnGa₂O₄, GZO),在GZO薄膜的制备过程中,溅射功率会对样品的组分配比产生影响,从而导致GZO薄膜的性能产生差异。文中利用皮秒激光诱导击穿光谱技术(PS-LIBS)对GZO薄膜进行了微烧蚀分析,对GZO薄膜的关键元素浓度比进行了快速定量分析研究。结果表明GZO薄膜的光学性能与元素谱线强度比之间存在一定的联系,随着溅射功率的增加,Zn/Ga的谱线强度比值与浓度比呈现出一致的变化,Ga元素的含量与样品的禁带宽度变化一致。同时,使用玻耳兹曼斜线法与斯塔克展宽法对等离子体温度与电子密度进行了计算。所有结果表明,PS-LIBS技术可以实现GZO薄膜关键组分配比的快速分析,为磁控溅射法制备GZO薄膜的工艺现场的快速性能分析、制备参数的实时优化提供了技术参考。     

RapidIO背板信号完整性测试方法

RapidIO背板的信号完整性优劣直接影响了RapidIO总线性能.结合行业规范,分解出Ra-pidIO背板信号完整性的相关指标要求,并推导出一套完整的背板测试方法,结合一个典型的背板系统.对测试方法进行了详细的分析说明.该套测试方法切实可行,可直接应用于类似的RapidIO背板测试.     

非线性规划神经网络模型

本文提出一种求解闭凸集上非线性规划问题的神经网络模型,给出了它的Liapunov函数,在适当的假设下,运用La Salle不变性原理证明了它的大范围渐近稳定性,并给出了计算机模拟。     

Cd1-xZnxTe太阳电池的一维数值模拟研究

具有禁带宽度在1.45～2.25eV连续可调特性的Cd1-xZnxTe(CZT)薄膜,用于顶电池在叠层薄膜太阳电池中有巨大的应用潜力。文章使用AMPS-1D对CdS/CZT结构的薄膜太阳电池进行模拟,研究了CZT与金属接触的背电极势垒、CZT薄膜厚度及掺杂浓度对CdS/CZT电池器件性能的影响。结果表明,需要采用功函数高(大于5.8eV)的金属作为背电极以消除背电极势垒;CZT薄膜厚度低于10μm时,增加厚度有助于增大电池短路电流;当CZT具有适当厚度(～6μm)时,对CZT层进行重掺杂(掺杂浓度1019～1021 cm-3)有助于获得更高效率的CdS/CZT电池。     

基于压缩感知观测序列的语音信号基音周期提取

语音信号的清浊音辨别及基音周期的提取是语音信号处理的重要组成部分。提出了一种基于压缩感知( CS)观测序列的语音基音周期提取方法,大大减少了基音周期提取的计算量。首先分析不同观测矩阵下观测序列的特征,选择了行阶梯矩阵作为所提方法的观测矩阵;然后对此观测矩阵下的观测序列做小波分解,对小波分解的低频系数采用自相关方法提取基音周期。仿真与分析表明,和传统方法比较,所提方法与传统方法基音检测准确度相当,且在语音含有高斯白噪声的条件下运行良好,但计算量仅约为传统方法的1/16。     

n-on-p结构深台面延伸波长InGaAs探测器的ICPCVD钝化工艺

采用ICP刻蚀(inductively coupled plasma etching)工艺制备了深台面n-on-p结构的可响应到2.4μm的延伸波长8×1元线列In Ga As探测器.器件表面采用ICP源激发的N2等离子体进行处理,然后再使用ICPCVD(inductively coupled plasma chemical vapor deposition)沉积一层Si Nx薄膜的钝化工艺.不同面积光敏元器件的电流—电压特性分析显示器件在常温和低温下侧面电流均得到有效抑制,激活能分析显示了器件优异的暗电流特性,在-10 m V偏压下,在200 K和300 K温度下暗电流密度分别为94.2 n A/cm2和5.5×10-4A/cm2.     

雷达维修保障系统效能评估研究

从现代雷达维修保障系统的根本任务和实现目标出发,建立了比较全面的新型维修保障系统效能评估指标体系。同时,针对雷达维修保障系统评估因素的模糊性和不确定性的问题,提出了一种用于评估雷达维修保障系统效能的多级模糊综合评判方法。通过实例评估,证明了该方法的合理性和有效性。最后指出了影响当前雷达维修保障系统效能的薄弱环节,并给出了改进措施。     

采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌

使用分子束外延方法,采用In束流保护下的调制中断生长技术,在(0001)蓝宝石衬底上生长GaN薄膜.利用反射式高能电子衍射(RHEED)对生长进行实时监控,并用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)法对GaN外延薄膜的表面形貌和晶体质量进行分析.实验结果表明:采用该技术生长的Ga极性GaN外延薄膜中的晶体表面残留Ga滴密度大大降低,GaN外延薄膜的表面形貌得到改善,其均方根粗糙度(RMS)由3nm降低为0.6nm,同时XRD双晶摇摆曲线测试的结果表明,GaN外延层的晶格质量也得到改善.     

基于即时通信动态配置的网络视音频互动业务平台

介绍了一种以互联网即时通信平台的动态配置为关键技术的、在以IP网络为基础的环境下实现互动视音频业务的技术途径。在面向IPTV环境下结合远程教育、公众参与娱乐、文化交流的新应用模式研究中,本文将即时通信资源的动态配置策略应用于视音频通信性能优越的Skype平台,构建了一个面向远程教育与娱乐内容相结合的应用平台“视讯英语”。该平台在IPTV等以IP技术为基础的媒体内容环境中具有很好的应用前景。