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氨选择催化还原NOx(NH3-SCR)是重要的柴油车尾气脱硝技术.发展高效且稳定的催化剂是提升该技术指标、应对严苛排放标准的关键.近年来,以Cu-SSZ-13和Cu-SAPO-34为代表的金属离子负载分子筛催化剂材料因其较宽的活性温度窗口和高水热稳定性受到研究者的广泛关注.Cu-SSZ-13分子筛催化剂已被BASF公司商业应用.相较Cu-SSZ-13,Cu-SAPO-34具有更优的低温活性与高温水热稳定性,且合成成本低廉.但Cu-SAPO-34的低温耐水性差,当采用传统的金属离子负载过程进行反复多次离子交换时,存在分子筛结晶度下降(部分骨架结构塌陷)的风险.使用铜四乙烯五胺络合物(Cu-TEPA)作为模板剂和铜源一步合成Cu-SAPO-34可以避免反复的离子交换过程,但由于Cu-TEPA的模板导向能力过强,Cu负载量难以控制,而降低Cu-TEPA的投料量则会损失产品收率.同时,该方法合成的Cu-SAPO-34中含有大量硅岛,分子筛催化剂的水热稳定性显著降低.针对这些问题,本文提出利用一步合成的高铜含量Cu-SAPO-34作为前驱体与铜源合成C... 相似文献
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为了能够更加直接地比较EAST 中第一壁水冷结构的传热能力,给出在未来设计中的选型参考,利用模拟分析的手段对现有的以及正在研制的水冷结构进行了在相同的工况下传热能力的对比分析。通过比较水冷结构中不同材料的温度,得到传热能力的优劣,同时考虑各种材料的许用温度,结合工艺难度及工程造价等因素对各结构进行了整体比较。计算结果显示,就传热能力而言,钨串结构最好,焊接结构次之,螺栓连接结构最差。结合造价及工艺难度等条件可以看出,钨串结构仍是目前最适用于高热负荷区域的结构,W/TZM/C 作为第一壁材料的焊接结构适用于较低热负荷的区域,螺栓连接结构在未来发展中将会逐渐被取代。 相似文献
85.
本文主要研究考虑量子效应的高k栅介质SOIMOSFET器件特性.通过数值方法自治求解薛定谔方程和泊松方程,得到了垂直于SiO2/Si界面方向上载流子波函数及能级的分布情况,结合Young模型,在考虑短沟道效应和高庀栅介质的情况下,对SOIMOSFET的阈值电压进行模拟分析.结果表明:随着纵向电场的增加,量子化效应致使反型层载流子分布偏离表面越来越严重,造成了有效栅氧化层厚度的增加和阈值电压波动.采用高向栅介质材料,可以减小阈值电压,抑制DIBL效应.较快的运算速度保证了模拟分析的效率,计算结果和ISE仿真结果的符合说明了本文的模型精度高. 相似文献
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87.
在回顾电机中的洛伦兹力和麦克斯韦力基础上,本文通过理论解析介绍了无轴承电机产生稳定径向悬浮力的基本条件。笔者以二极悬浮控制四极无轴承电机为例,针对几个典型时刻产生出的径向磁悬浮力,对无轴承电机磁悬浮控制原理进行了图解分析。教学实践表明,采用本文解析推导和图解分析相结合的讲解方法,便于快速且深入地理解掌握无轴承电机这种新型电机的基本工作原理。 相似文献
88.
本文首次并建立了异质栅全耗尽型应变Si SOI (DMG SSOI) MOSFET的二维表面势沿沟道变化的模型.并对该结构的MOSFET的短沟道效应SCE (short channel effect),热载流子效应HCE(hot carrier effect),漏致势垒降低DIBL (drain induced barrier lowering)和载流子传输效率进行了研究.该模型中考虑以下参数:金属栅长,金属栅的功函数,漏电压和Ge在驰豫SiGe中的摩尔组分.结果表明沟道区的表面势引进了阶梯分布,正是这个阶梯分布的表面势抑制了SCE,HCE和DIBL.同时,应变硅和SOI(silicon-on-insulator)结构都能提高载流子的传输效率,特别是应变硅能提高载流子的传输效率.此外阈值电压模型能者正确表明阈值电压随栅长比率L2/L1减小或应变Si膜中Ge摩尔组分的降低而升高.数值模拟器ISE验证了该模型的正确性. 相似文献
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To reduce the self-heating effect of strained Si grown on relaxed SiGe-on-insulator(SGOI) n-type metal-oxide-semiconductor field-effect transistors(nMOSFETs),this paper proposes a novel device called double step buried oxide(BOX) SGOI,investigates its electrical and thermal characteristics,and analyzes the effect of self-heating on its electrical parameters.During the simulation of the device,a low field mobility model for strained Si MOSFETs is established and reduced thermal conductivity resulting from... 相似文献
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