用SIPOS-SiO_2复合层对4H-SiCn~+pp~+结构钝化的分析

用半绝缘多晶硅(SIPOS)-SiO2复合层作为4H-SiCn+pp+结构的钝化层,克服了用多孔碳化硅或单纯用SiO2钝化的不足.在LPCVD淀积SIPOS层后,用900℃氧气氛退火代替了平常的热氧化,在SIPOS层上生长了一层SiO2.实际测量证实了这种新方法的合理性.分析了各主要工艺对钝化效果的影响,综合优化指出:在淀积SIPOS层时,掺氧量要高,而淀积温度不应太高.用此方法钝化的4H-SiCn+pp+结构,击穿电压接近理想值,反向漏电流明显降低     

非线性均匀传输线的暂态响应

在实际分布参数电路中,损耗和非线性特性往往同时存在。基于作者的教学和科研经历,本文利用有限差分法数值计算了场效应晶体管沟道这一非线性均匀传输线在高频正弦电源激励下的暂态响应过程,并采用傅里叶级数展开法得到了输出电压含有的谐波幅值。这一内容对于扩展线性均匀传输线知识,加强学生理论联系实际以及综合运用电路知识的能力,均具有较好的推动作用。     

无外加催化剂条件下的克脑文盖尔缩合反应与溶剂效应的研究

本文报道了无外加催化剂条件下以DMF为溶剂芳香醛与丙二腈或氰基乙酸乙酯进行克脑文盖尔缩合反应, 此法产率较高。讨论了影响溶剂效应的一些因素。     

基于用户注册信息的地理化查询系统研究

业务部门迫切需要了解用户的分布流动状况和话务情况以用于指导业务的发展,经常会有一些需要特别关注的指标和位置区域有很高的关联度。基于用户注册信息的地理化查询系统研究的意图就是把这些指标在地图上直观地表现出来,并支持地图上任意区域和指标之间一系列相互关联的查询操作。     

一类具有非线性发生率的SEIR疾病模型的稳定性和分支分析

考虑医院治疗的因素,给出了一个具有非线性发生率和非线性康复率的SEIR模型,讨论该模型的无病平衡点和地方病平衡点,证明向后分支的出现;进一步通过应用Lyapunov函数给出了它全局稳定性的分析.所得结果改进和扩展了文献中的相应结果.     

WiMAX技术发展与应用分析

文章首先介绍了IEEE802.16e的新增功能和WiMAX核心网的发展,然后分析了WiMAX存在的问题,接着探讨了WiMAX的技术定位和应用模式,最后分析了与3G联合组网的可行性方案。     

离散时间点格神经网络珠开关电流电路实现

本文将原连续时间电压域点格神经网络模映射到离散时间电流域，并采用开关电流技术来墩散时间ＣＮＮ的ＶＬＳＩ设计。给出基本积木块的实现电路，并进行了连通片检测方面的简单应用研究。     

基于制冷循环的闭式喷雾冷却系统实验研究

喷雾冷却是一种高效换热方式,有着良好的发展前景,其主要优势在于单位质量流体冷却能力强、系统中工质用量少、换热表面温度分布均匀、系统稳定性强。本文设计了使用R134-a作为工质的基于制冷循环的闭式喷雾冷却系统,研究了不同质量流量、腔内压力和热流密度情况下的冷却性能。实验结果表明,喷雾冷却的换热能力优异,最大冷却热流密度达到130 W/cm~2,同时可将表面温度控制在45℃以下,可以保证电子器件的稳定高效运行。此外,系统工质流量及腔内压力存在最优值,且表面过热度对冷却效率有显著的影响。     

非对称异质双栅应变硅MOSFETs 二维模型研究

基于对二维泊松方程的精确求解,本文对全耗尽型非对称异质双栅应变硅MOSFET的二维表面势,表面电场,阈值电压进行了研究。模型结果和二维数值模拟器的结果很吻合。此外并对该器件的物理作了深入的研究。该模型对设计全耗尽型非对称异质双栅应变硅MOSFET器件有着重要的指导作用.     

A two-dimensional analytical model of fully depleted asymmetrical dual material gate double-gate strained-Si MOSFETs

On the basis of the exact resultant solution of two dimensional Poisson’s equations,a new accurate two-dimensional analytical model comprising surface channel potentials,a surface channel electric field and a threshold voltage for fully depleted asymmetrical dual material gate double-gate strained-Si MOSFETs is successfully developed. The model shows its validity by good agreement with the simulated results from a two-dimensional numerical simulator.Besides offering a physical insight into device physics,the model provides basic design guidance for fully depleted asymmetrical dual material gate double-gate strained-Si MOSFETs.