全文获取类型
收费全文 | 115篇 |
免费 | 23篇 |
国内免费 | 23篇 |
专业分类
化学 | 27篇 |
力学 | 5篇 |
综合类 | 1篇 |
数学 | 6篇 |
物理学 | 32篇 |
无线电 | 90篇 |
出版年
2024年 | 5篇 |
2023年 | 8篇 |
2022年 | 8篇 |
2021年 | 5篇 |
2020年 | 4篇 |
2019年 | 5篇 |
2018年 | 4篇 |
2017年 | 10篇 |
2016年 | 5篇 |
2015年 | 3篇 |
2014年 | 13篇 |
2013年 | 14篇 |
2012年 | 7篇 |
2011年 | 12篇 |
2010年 | 9篇 |
2009年 | 5篇 |
2008年 | 6篇 |
2007年 | 2篇 |
2006年 | 5篇 |
2005年 | 8篇 |
2004年 | 10篇 |
2003年 | 3篇 |
2002年 | 1篇 |
2000年 | 2篇 |
1999年 | 1篇 |
1997年 | 4篇 |
1996年 | 1篇 |
1986年 | 1篇 |
排序方式: 共有161条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
22.
为了进一步提高小尺寸金属氧化物半导体(MOSFET)的性能,在应变硅器件的基础上, 提出了一种新型的异质栅MOSFET器件结构.通过求解二维Poisson方程,结合应变硅技术的物理原理,建立了表面势、表面电场以及阈值电压的物理模型,研究了栅金属长度、功函数以及双轴应变对其的影响. 通过仿真软件ISE TCAD进行模拟仿真,模型计算与数值模拟的结果基本符合. 研究表明:与传统器件相比,本文提出的异质栅应变硅新器件结构的载流子输运效率进一步提高, 可以很好地抑制小尺寸器件的短沟道效应、漏极感应势垒降低效应和热载流子效应, 使器件性能得到了很大的提升.
关键词:
应变硅
异质栅
阈值电压
解析模型 相似文献
23.
24.
25.
26.
本文中研究了不同固溶处理后7055铝合金在3.5%NaCl溶液中的耐腐蚀行为,在3.5%NaCl溶液下进行了静态腐蚀试验及腐蚀磨损试验,并通过扫描电子显微镜对磨痕形貌进行分析.结果表明:固溶处理后试样的耐腐蚀性能均有不同程度的提高,其中以双级固溶处理试样的耐腐蚀性能最好.在动极化、开路电位以及阴极保护和阳极加速腐蚀试验中,固溶处理后材料自腐蚀电位正移,腐蚀电流密度减小,耐腐蚀磨损性能提高.在不同加载电位下,腐蚀电流密度和磨损率随着电位的增加而增大,在-1.2 V时摩擦系数最小.同时随着电位的升高,腐蚀作用促进了合金的磨损.在较低电位时,合金的腐蚀磨损机制主要是磨粒磨损;而较高电位下,合金的腐蚀磨损机制主要是黏着磨损和腐蚀磨损. 相似文献
27.
在2004年的“神光”-Ⅱ内爆实验中,设计了球壳内界面涂S、且氘燃料区中掺Ar的辐射驱动内爆靶球(图1),实验排布如图2所示:针孔阵列一晶体谱仪(PA--CS)置于正西水平方向;正东水平方向放置时间分辨的晶体谱仪(扫描晶体谱仪S—CS),测量靶球内爆中心和S线谱发射的时间过程;正南水平方向放置一台针孔阵列—X射线分幅相机(XFC),监测靶丸内爆压缩发光图像;闪烁体探测器在靶室外东南方向监测内爆中子产额:软X光能谱仪在水平东偏北方向监测腔内辐射温度。由数千个针孔组成的针孔阵列和平面晶体组成的二维单色成像系统的测量原理如图3所示。 相似文献
28.
29.
文章介绍了CDMA2000的最新技术发展路线、1xEV—DO的主要技术特点,重点对1xEV—DO Rev.A的技术增强进行了具体分析,并采用与Rev.0对比的方式,分析1xEV-DO Rev.A在承载能力、业务能力、覆盖和容量方面的性能表现。 相似文献
30.
业务部门迫切需要了解用户的分布流动状况和话务情况以用于指导业务的发展,经常会有一些需要特别关注的指标和位置区域有很高的关联度。基于用户注册信息的地理化查询系统研究的意图就是把这些指标在地图上直观地表现出来,并支持地图上任意区域和指标之间一系列相互关联的查询操作。 相似文献