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91.
立方反射镜失调特性的研究 总被引:4,自引:2,他引:4
结合理想坐标系下立方镜镜面微小倾斜后其三个平面法线坐标,利用刚体微量转动的反射法线向量公式,获得非理想立方镜反射矩阵;为了研究在光斜入射时镜面倾斜对出射光方向的影响,利用立方镜绕顶点旋转等效于光斜入射的方法,计算出光束夹角δ与单一镜面偏差角ε和立方镜旋转角θ之间的关系式;对于理想情况下的立方镜,利用几何光学可以证明出射光与入射光不但平行,而且过顶点作任意截面交于两光线所得的两个交点关于顶点对称,从而计算出立方镜绕顶点以外任意轴旋转造成出射光束相对原出射光的偏移量与旋转角关系式,理论计算值与实验数据吻合得很好;介绍了立方镜的制作、调整及检测方法,偏差角的测量与计算。 相似文献
92.
提出了一种应用于流水线型模数转换器(ADC)的增益提高型套筒式全差分跨导放大器(OTA)的设计与分析方法.通过ADC的性能要求推导出OTA的设计指标.该设计中OTA的架构由主运放、增益辅助运放及共模反馈电路3部分子电路组成.设计采用SMIC CMOS 0.18mm工艺平台.该设计方法的实验结果表明:1pF负载下,跨导放大器.的直流增益达到145dB,单位增益带宽超过750MHz,相位裕度达到58°.闭环增益为4时,放大器在20ns内稳定到0.05%的精度. 相似文献
93.
94.
介绍了智能网(IN)与In-ternet互通(PINT)的系统原理,以及PINT和SPIRITS等两类互通业务的网络结构,给出了智能网与Inter-net互通的模型。讨论了智能网与In-ternet互通的实现,并给出了一个PINT业务实例-点击拨号业务。 相似文献
95.
提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm2/(V·s)和1.34×1012cm-2.首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法.研制出了单片集成E/D型PHEMTs,获得良好的直流和交流特性,最大饱和漏电流密度分别为300和340mA/mm,跨导为350和300mS/mm,阈值电压为0.2和-0.4V,增强型的fT和fmax为10.3和12.4GHz,耗尽型的fT和fmax为12.8和14.7GHz.增强/耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V. 相似文献
96.
铜电镀工艺后表面的不平整度通常取决于版图关键特征,包括线宽,线间距和金属密度。本文设计了一款测试芯片并在一家半导体厂加工制造。版图特征效应被真正的测试数据所检查和验证。通过分析金属蝶形、介质腐蚀、金属厚度和SEM照片,得出一些结论。线宽是决定表面形貌及产生铜金属蝶形和介质层腐蚀的最关键因素。经过铜电镀工艺发现,铜线越细铜生长的越厚,铜线越宽铜金属蝶形越大,发现了3种典型表面形貌。而且,通过测试数据,量化版图特征的影响并用曲率增强加速剂覆盖率的理论解释,这可以用于开发铜电镀工艺模型和开展可制造性设计研究。 相似文献
97.
利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜,研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN薄膜的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InAl-GaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)测量结果表明,随着生长温度的提高,InAlGaN外延层中In的组分单调降低,Al和Ga的组分都有所增加.扫描电镜(SEM)的测试结果表明,在较高温度下(600和590℃)生长的In-AlGaN存在裂纹,580℃生长的四元合金表面比较平整,在570℃温度下生长的InAlGaN表面存在很多颗粒状突起. 相似文献
98.
经缩聚反应合成了纳米胆甾型液晶材料,通过改变手性组分含量、手性化温度以及调节分子间纳米级螺距,使聚合物表现出不同的光学和波谱性能,制备出了随入射光的入射方向和观察方向不同而色彩变化、表面均匀的样品。实验表明,该材料在印刷、装饰、防伪等领域有广阔的应用前景。 相似文献
99.
对国内通行的电视节目生产全程网络化(简称电视台网)模式进行了技术分析,借助视频系统PQR测试方法,对网络化全链路的技术质量细节进行了实测,提供了大量测试数据,参照深圳广电集团全台网系统对网络平台的技术质量现状,存在问题,未来趋势进行了深入剖析,提出了改进全台网质量的技术措施和管理措施。 相似文献
100.
研制成功的RXFT-1型测试仪用来测试与评价热成象系统的最小可分辨温差(MRTD)及最小可探测温差(MDTD)。本文简述RXFT-1型整机设计的一些内容,包括仪器原理,观测方法及性能指标。 相似文献