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物理学
4篇
无线电
7篇
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2000年
2篇
1998年
3篇
1997年
5篇
1996年
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11.
GaAs/AlGaAs HBT器件的S_2Cl_2钝化
总被引:1,自引:0,他引:1
曹先安
陈溪滢
李喆深
苏润洲
丁训民
侯晓远
钱峰
姚晓峨
陈效建
《半导体学报》
1997,18(1):76-80
本文采用了一种新的硫钝化方法处理GaAs/AlGaAs异质结台面型晶体管,大大改善了它的直流特性.并通过对其低温性能的研究和钝化过程的实时观测,证明了S2Cl2溶液能十分有效地改善GaAs的表面性质,从而降低了表面复合对器件性能的影响.这种钝化方法有可能发展成为GaAs器件制造中的一种实用钝化工艺.
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