一种新的IQ不平衡频域估计与补偿算法

针对正交频分复用（OFDM）系统中射频前端失真—同相/正交（IQ）不平衡影响系统性能的问题,提出了一种新型的IQ不平衡频域估计与补偿算法。通过同一个子载波上的两个不同导频信号,抵消信道的影响,以减小算法复杂度,便于实现。仿真结果表明,该算法既极大地降低了计算量,又取得了较好的估计与补偿性能,性能优于传统的算法。     

短程有序结构中宽带二次谐波产生的研究

本文从理论和数值模拟上分析了一种短程有序铁电畴结构中二次谐波的产生过程.这种短程有序结构是由一系列一定长度的周期极化铁电畴结构和任意长度的单畴结构交替构成.研究了结构参数对频率变化过程中频谱带宽和转换效率的影响.结果表明,转换效率可以通过增加短程有序结构的晶体长度得到提高,而频谱带宽的大小可以通过调节周期极化结构的长度加以控制.     

容量有限的多种货物库存策略

研究容量有限的多种货物的库存模型.考虑两种情况,第一种情况研究周期盘点条件下随机需求的库存系统,目标是给出库存策略使长期运行下的库存系统花费最小,针对这种系统,用负动态规划方法证明了修改的基本库存策略的最优性;第二种情况考虑周期盘点条件下随机需求有限周期的库存模型,证明了使得有限周期的系统费用最小的策略也是修改的基本库存策略.     

发光二极管芯片快速检测方法的研究

介绍了一种新的发光三极管(LED)芯片的检测方法及应用.该方法利用自行研制的掩埋双pn结(BDJ)光波长探测器同时测量LED芯片的有效波长及辐射强度,具有简单、快捷、动态范围宽、探测器体积小和便于系统集成的优点,在半导体照明最感兴趣的398～780 nm波长范围内,波长测量的重复精度及分辨率优于1 nm.据此方法,对红、绿、蓝、紫四种LED芯片发光的波长及辐射强度进行了实际测量,对红绿蓝三基色发光二极管合成白光的偏色进行了检测,并与光纤光谱仪测量得到的结果进行了比较.     

薄圆片石英晶体应力分布及谐振器力频实验

利用ANSYS有限元理论模型分析AT切石英晶体受沿x轴方向的对径力作用时晶片内的应力分布情况,并计算三电极位置处的应力变化比值。测试了三电极谐振器的基频振荡频率,并计算其相应的力频系数。通过比较ANSYS仿真分析的结果和实验所得结果,表明ANSYS仿真分析计算结果与实验结果基本一致,从而证明ANSYS仿真分析是可行的。因此,在同一晶体基片上设计谐振器时,可借助有限元分析手段,根据晶片内的应力分布情况,在有限空间范围内初步选择应力变化差异较大的位置设置电极,以此获得力频敏感特性显著的集成式石英晶体谐振器。     

用熵权模糊层次分析法的球载雷达模拟训练系统效能评估

对球载雷达模拟训练系统效能评估,能够了解达到规定目标的程度和发现当前系统存在的问题。以系统论为根据,构建了球载雷达模拟训练系统效能评估指标体系;基于熵权FAHP法,对系统中主要指标进行了评估,并对比了不同系统之间的参数,结合算例给出了最终的评价结果,为合理评价该系统效能提供了一种方法。     

基于模糊故障树的气球载雷达系统安全性分析

由于气球载雷达系统缺乏现场安全数据,无法沿用传统故障树方法对系统安全性进行分析,在气球载雷达系统安全性分析中给出模糊故障树分析方法。采用专家组评估和梯形模糊数相结合的原理得到故障树中基本事件发生的模糊概率,并使用梯形模糊数的中值计算基本事件的模糊重要度。最后,以系留气球球囊破损为例进行了算例分析,为合理分析气球载雷达系统安全性提供了一种方法。     

硅离子注入对全耗尽SIMOX材料总剂量效应的影响

Total dose hardened fully-depleted SOI materials are fabricated on separation by implanted oxygen （SIMOX） materials by silicon ion implantation and annealing. The ID-VG characteristics of pseudo-MOS transistors pre- and post-irradiation are tested with ^60Co gamma rays. The chemical bonds and the structure of Si in the buried oxide are also studied by X-ray photoelectron spectroscopy and cross-sectional high-resolution transmission electron microscopy, respectively. The results show that Si nanocrystals in the buried oxide produced by ion implantation are efficient deep electron traps, which can significantly compensate positive charge buildup during irradiation. Si implantation can enhance the total-dose radiation tolerance of the fully-depleted SOI materials.     

In基复合半导体氧化物Cl2敏感特性的研究

Aiming at detecting Cl2 gas, this study was made on how to make In-based compound semiconductor oxide gas sensor. The micro-property and sensitivity of In-based gas sensing material were analyzed and its gas sensitive mechanism was also discussed. Adopting constant temperature chemical coprecipitation, the compound oxides such as In-Nb, In-Cd and In-Mg were synthesized, respectively. The products were sintered at 600 ℃ and characterized by the Scanning Electron Microscope （SEM）, showing the grain size almost about 50-60 nm. The test results show that the sensitivities of In-Nb, In-Cd and In-Mg materials under the concentration of 50 × 10^-6 in Cl2 gas are above 100 times, 4 times and 10 times, respectively. The response time of In-Nb, In-Cd and In-Mg materials is about 30, 60 and 30 s, and the recovery time less than 2, 10 and 2 min, respectively. Among them, the In-Nb material was found to have a relatively high conductivity and ideal sensitivity to Cl2 gas, which showed rather good selectivity and stability, and could detect the minimum concentration of 0.5 × 10^-6 with the sensitivity of 2.2, and the upper limit concentration of 500 × 10^-6. The power loss of the device is around 220 mW under the heating voltage of 3 V.     

重庆通信服务公司召开2009年度财务工作座谈会

2009年7月15日,经重庆市工商行政管理局批准,中国通信服务重庆公司所属“重庆菲斯特信息网络有限责任公司”更名为“重庆市通信建设有限公司”,非法定简称为“重庆通建公司”。这标志着重庆区域内通信建设方面的主导企业诞生,也标志着“重庆信息产业工程有限公司”与“重庆菲斯特信息网络有限责任公司”两个企业强强联合的顺利完成。