基于X射线衍射仪的X光晶体本征参量的标定

X光晶体本征参量的实验标定是准确鉴定X光晶体种类和品质,研制各种类型晶体谱仪,X光线谱定量测量和高分辨X光单能成像的基础.基于X射线衍射仪,通过制作平面晶体样品架,采取控制X射线管电源、滤波片选取和厚度控制等措施,极大地抑制了Cu-Kβ及韧致辐射,使X射线管光源Cu-Kα单能化,提出了用滤片作为光源单能化的判据.对X光线谱测量中常用的X光分光晶体季戊四醇的晶格常量2d和Cu-Kα能点的积分衍射效率R_c进行了标定方法研究,其标定值分别为(0.874 25±0.000 42)nm和(1.759±0.024)×10^-4 Rad.基于X射线衍射仪的X光晶体本征参量的精密实验标定方法既快速高效,且十分方便和灵活.通过更换衍射仪的X射线管靶材,采取类似方法,可以标定其它能点的晶体积分衍射效率,可为X光晶体的本征参量库提供更多的标定数据.     

螺旋型波带片成像的空间分辨率研究

研究了1阶螺旋型波带片(SZP)的聚焦特性,提出了一种数值计算SZP空间分辨率的方法。通过数值计算获得SZP的聚焦特性曲线,计算出SZP对刀边图形的响应曲线,根据响应曲线并结合光学相干叠加原理,确定SZP的空间分辨率。理论分析得到模拟计算和实验结果的验证。     

X光二极管脉冲偏压施加技术

为了满足充气腔实验对探测器安全性能的要求,开展了X光二极管的脉冲偏压施加技术的初步研究。在8ps激光装置上,设计了一种新的基于信号发生器的同步方法,完成了X光二极管脉冲偏压加载工作方式的技术验证。脉冲偏压与直流偏压条件下,探测器上升时间与半高宽变化值不超过10%。脉冲偏压源主要指标确定为脉宽110μs,激光打靶零后2.11ms完成偏压卸载。     

二维层状异核金属配合物Nd_2Zn_3(EDTA)_2(H_2O)_(11)·12H_2O的合成和结构

合成并表征了一个新的二维异核金属配位高分子Nd2 Zn3(EDTA ) 2 (H2 O ) 11·12H2 O。每个Nd3 离子通过 3个羧酸桥联 3个不同的Zn2 离子 ,而每个Zn2 连接两个Nd3 ,组成 1个含有 6个稀土离子及 6个过渡金属的大环 ,环联在一起形成 1个二维的层。层间进一步由氢键联成三维网络。     

X射线分光晶体高阶衍射效率标定方法

包含高阶衍射的X射线分光晶体积分衍射效率是X射线光谱准确辨识、X射线分光晶体性能研究、X射线光谱定量测量和高分辨X射线单能成像的基础。基于X射线衍射仪,选择适当厚度的镍滤片和控制X射线管电压,极大地抑制Cu K及韧致辐射,将X射线管光源Cu K单能化。以常用的X射线分光晶体季戊四醇[PET（002）]为样品,对X射线分光晶体的高阶积分衍射效率进行标定其结果表明,在 Cu K能点,PET（002）晶体的积分衍射效率,二阶为一阶的14.36%,三阶为一阶的4.07%;Cu K1最大峰值比,二阶衍射为一阶的7.7%,三阶衍射为一阶的1.3%。基于X射线衍射仪的X射线分光晶体高阶衍射效率实验标定具有快速高效、方便灵活的特点。     

细胞内铜离子的双光子荧光成像

基于无荧光的螺环结构与具有荧光的开环酰胺的平衡反应,本文合成了一个能在水基的缓冲溶液中选择性地识别Cu²⁺的罗丹明衍生物FD2.当在HEPES缓冲溶液中加入10当量的Cu²⁺时,FD2的单光子激发荧光和双光子激发荧光的强度均表现出明显的增强;更为重要的是,运用双光子荧光显微技术可以选择性地对活细胞内Cu²⁺进行成像.     

神光Ⅱ升级装置X光针孔相机研制

针孔相机是激光焦斑及打靶瞄准精度监测的主要工具。针对神光Ⅱ升级装置开展针孔相机的研制工作。通过各项参数和结构的优化设计,完成神光Ⅱ升级装置针孔相机诊断系统的设计、研制和集成调试,并进行性能测试实验。结果表明:针孔相机探测能区到达1.0～5.5 keV,空间分辨力优于20 m,放大倍率5.13～9.99。针孔相机可用于神光Ⅱ升级装置开展激光焦斑及打靶瞄准精度监测工作。     

X射线成像板衰退曲线标定

在实验室衍射仪平台上,开展了以富士公司SR-2025型成像板为样品的标定实验,获得了该样品随时间变化的信号强度衰退曲线.实验以铜靶X射线管为光源,经过三羟甲基甲胺晶体(Trihydroxymethylaminomethane,TAM)分光得到Cu-Kα单能特征辐射.在实验环境温度为(20±1)℃、光源稳定、成像板空间响应均匀、信号强度线性响应等条件下,在不同时刻对成像板上不同位置进行曝光,扫描后获得成像板对单能特征X射线的衰退曲线.对测到的衰退曲线进行数值拟合及不确定度分析,发现其与国外的研究结果符合得较好.实验数据表明,X射线光源的不稳定性为0.7%,成像板的空间非均匀性小于1%,并且对信号强度呈优异的线性响应;在Cu-Kα的8 027.84eV能点处,成像板的衰退曲线呈指数形式η(t)=0.368 84·exp(-t/159.647 56)+0.633 72缓慢衰减,在可见光屏蔽良好条件下曝光125min后X射线信号仍有80%的强度.     

高性能X光二极管的研制

 作为X光测量的重要器件,X光二极管的研究和改进工作一直颇受重视。通过对储能系统和输出系统的重点研究与优化设计,研制出了新型超快响应X光二极管（XRD-Ⅱ）,并在8 ps短脉冲激光装置上对探测器的性能进行了研究。实验结果表明:XRD-Ⅱ的阻抗匹配特性得到提高,耐压能力达6 kV,上升时间达40 ps,半高全宽达80 ps。标定实验给出的灵敏度结果也说明其灵敏度得到了保证。超快响应X光二极管的成功研制可大大提高X光诊断的时间分辨力,为实现精密定量诊断提供有利条件。