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为了降低能量收集系统的功率损耗,提出了一种基于占空比的无电流传感器最大功率点跟踪(Maximum Power Point Tracking,MPPT)系统。传统的MPPT方法需要进行直流测量或开路电压测量,本文提出的算法利用滞后切换信息预估发电机的输出功率,可以实现保持最大功率提取,无需进行直流测量。采用MSP430微控制器进行了实现,并调整MPPT算法以适合热电发电机的特性。滞后电压调节器能够将热电发电机输出电压维持在参考电平上,因此可以根据给定的温度条件下提取最大功率。实验分析结果表明,提出的MPPT能量收集系统结构简单、成本较低、功率损耗低,且适用于各类小规模可持续发电。 相似文献
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设计了一种新型自适应关断时间(AFT)模式Boost电路。不同于传统的采样输入/输出电压的自适应电路,该AFT模式Boost电路直接采用真实的占空比信息,设置了自适应比较点,解决了开关频率受负载电流影响的问题。基于0.5 μm CMOS工艺对电路进行仿真验证。结果表明,当输入电压在2.4~4.2 V、负载电流在0.3~1.2 A范围内变化时,该AFT模式Boost电路的工作频率稳定在967~972 kHz之间,频率变化范围仅为传统自适应电路的14.3%。 相似文献
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提出了一种低输入电压的快速瞬态响应片上低压差线性稳压器(LDO)。采用基于反相器的轨-轨输入运放作为误差放大器(EA)的输入级。EA后级采用大抽灌电流能力的STCB结构。LDO加入了高通耦合结构,实现了低输入电压和全负载范围下的快速瞬态响应。该LDO无需外加偏置网络就能实现自启动。在Dongbu 0.5 μm CMOS工艺下,LDO的输入电压为2.2~2.7 V,输出电压为2 V。仿真结果表明,在负载电容为100 pF、压差为200 mV的条件下,该LDO可稳定输出0.1~100 mA的负载电流,负载在0.5 μs范围内切换时的电压尖峰在310 mV以内。 相似文献
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功率管栅端寄生电容的存在使得LDO的电源抑制特性(PSR)在中高频段变差。在前馈纹波抵消技术的基础上,通过在误差放大器输出端与功率管栅端之间引入具有低输出阻抗的电压跟随器,拓展了PSR带宽,实现了中高频段的高电源抑制特性。采用箝位电路,进一步提高了重载下的环路增益,保证负载范围内LDO在中高频段均具有较高的PSR。基于0.5 μm CMOS工艺进行设计与仿真。结果表明,LDO的最大静态电流为80 μA,功率管的压差电压为150 mV,负载电流范围为50 μA~25 mA。在25 mA负载电流下,LDO的PSR在100 kHz时为-63 dB,在10 MHz时为-57.5 dB。 相似文献
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第三代宽禁带半导体GaN晶体管具有低导通阻抗、低寄生参数和更快的开关速度,有望取代传统Si MOSFET,成为未来高性能电源系统实现方案。GaN器件的优势在400 V以上高压系统中更为明显,可以实现更高的开关频率和功率密度,显著提高系统的转换效率,特别适合电源模块小型化发展趋势。介绍了200 V以下低压GaN驱动电路的应用和关键技术。分析了从低压系统拓展到400 V以上高压系统时需要作出的优化与改进。详细介绍了高压GaN系统中基于无磁芯变压器耦合隔离的隔离驱动技术和耗尽型GaN负压栅驱动技术。最后,总结了目前高压GaN驱动电路在工业领域的具体应用。 相似文献
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