一种适用于恒定导通时间控制的高性能定时器电路

本文提出一种适用于恒定导通时间控制的开启时间定时器电路。电路中采用与输入电源电压成正比的电流对电容充电,从而实现定时器的定时时间与输入电源电压成反比,解决了传统恒定导通时间控制中系统工作频率随输入电源电压变化的问题。为了获得高的定时精度,开启时间定时器中的比较器采用了自适应偏置技术,根据输入电源电压的情况动态地设置定时器中比较器的偏置电流。基于0.6μmCD工艺,对所设计开启时间定时器电路进行仿真验证。结果表明,本文所设计的开启时间定时器电路,能够始终保证高的定时精度。同时由于定时时间与输入电源电压成反比,在系统中引入了前馈,极大地提高了系统的线性响应速度。     

一种用于D类放大器的新型频率抖动电路

提出了一种用于D类放大器的新型频率抖动电路.采用流控模式和容控模式相结合,利用周期数字频率调制,使能量原本集中的频谱分散到离散频率点上,从而使频谱幅度降低,减小D类放大器EMI的辐射.基于0.5 μm CMOS工艺,对提出的频率抖动电路进行仿真验证.结果表明,频率抖动点具有很好的均匀性和线性度,并且D类放大器的EMI峰值幅度下降约13 dB;高频频谱连续,扩频效果显著,频率抖动电路面积约840 μm2,消耗的最大电流仅为1.2 μA.     

一种新型高精度斜坡补偿电路

针对采用高端功率MOSFET的导通电阻作电流取样电阻的同步整流电流模式降压DC-DC变换器,设计了一种新型高精度斜坡补偿电路.该电路采用有一定死区时间的同步整流,防止主功率管和续流管同时导通.死区过后,主功率管给电感充电,此时,续流管漏极寄生电容还在放电,造成电流采样误差.针对该问题,提出一种斜坡补偿电路,进行误差消除...     

一种基于ACOT的高效降压型DC/DC变换器

采用自适应恒定导通时间(Adaptive Constant On-Time,ACOT)控制模式,设计了一种高效的降压型DC/DC变换器。该电路结构简单,无需进行环路补偿,具有瞬态响应快、在全负载段内转换效率高、频率集中等优点。基于0.6μm 16VCD工艺,对设计的降压型DC/DC变换器进行仿真验证。结果表明,该变换器在轻载下的效率高于83%;在全负载范围内,最高效率达到97%;系统的工作频率不随输入电源电压变化,具有快速的瞬态响应速度。     

一种可用于浮动电源的高精度欠压锁定电路

提出了一种新型的欠压锁定电路。该电路结构简单,可用于浮动电源轨,具有精确的迟滞特性,占用面积小,且与CMOS工艺完全兼容。采用0.6μm 16VCDMOS工艺进行仿真、流片验证。Hspice仿真结果表明,其锁定阈值精度高、功耗低。芯片测试结果表明,该电路可用于浮动电源,所测得的欠压锁定阈值与设计值相吻合。     

连续输出全集成开关电容带隙基准电路

本文提出了一种新型的开关电容带隙基准电路。电路采用双通道开关电容求和电路,能够连续输出基准电压,同时采用输出缓冲电路降低电压过冲,无需片外滤波电容。本设计采用NEC 0.35μm CMOS工艺,使用Hspice仿真软件对电路进行仿真。仿真结果表明:在典型参数情况下,该电路能够连续输出过冲为50μV的基准电压,在-20℃～80℃范围内,其输出电压的温度系数为15.4ppm/℃。     

基于单周期控制的PWM电流控制系统设计与实现

针对无刷直流电机（BLDC）驱动器的电流控制问题,在本文中提出了一种改进的基于单周控制的低成本转子位置估算方法。该估算方法以真实反电势过零点的检测为依据,这些真实反电势过零点可直接通过检测相端和直流环节中点之间的电压来提取,无需电机中性点电压。电流控制系统通过一种低成本的通用自动电压调整微控制器（Atmega8）来实现。MATLAB仿真和实验测试结果均显示相比传统的滞环控制器方法,改进后的PWM（脉冲宽度调制）无刷直流电机电流控制系统在稳态和瞬态两种情况下表现出更好的性能。     

神经网络在太阳辐射传感器设计中的应用

为了测量太阳辐照度以便达到使光伏电站的效率最大化,提出了一种新的基于反馈神经网络的太阳辐照度测量方法,该方法可用来直接使光伏电站的效率最大化。所提出的传感器由一个光伏电池、一个温度传感器和一个低成本的微控制器组成。计算表明,提出的传感器设计成本较低,因而该装置在光伏电站的大型部署中是一个很好的替代品。使用实验样机对所提出的方法进行了验证,结果显示与商用装置相比,本文设计的传感器更够更加精确地跟踪光伏电站内的太阳辐照度。     

适用于高频开关芯片的快速瞬态响应LDO设计

设计了一种片外大电容快速瞬态响应低压差线性稳压器。该LDO电路基于跨导线性结构设计,在输出级引入推挽结构,有效地减小过冲的幅值和恢复时间,提高了LDO的瞬态响应速度;利用浮动缓冲器驱动功率管,有效地提高了LDO的电流效率;采用动态零点补偿技术,保证了LDO在全负载范围内的环路稳定性。该LDO电路基于0.35μm BCD工艺设计与仿真验证。结果表明,在1.2 V~3 V输入电压范围,LDO的输出电压为1 V,静态电流约为50μA,可提供0~300 mA的负载。在上升下降沿为500 ns、幅度为300 mA、轻载持续时间为50μs的负载瞬态跳变下,过冲和下冲均小于20 mV。电路满足高频负载跳变的应用需求。     

一种高速高可靠性低功耗的电平位移电路

为了满足MHz以上频率的GaN半桥栅驱动系统的应用需求,提出了一种高速高可靠性低功耗的低FOM电平位移电路。串联可控正反馈电平位移电路通过仅在转换过程中减弱正反馈力度,实现了低传输延迟和高共模噪声抗扰能力,同时采用最小短脉冲电路设计以降低功耗。该电平位移电路基于0.5 μm 80 V高压(HV) CMOS工艺进行设计与仿真验证,结果表明,电路具有960 ps的传输延时、50 V/ns的共模噪声抗扰能力和0.024 ns/(μm·V)的FOM值。