一种基于高压工艺的高精度电流采样电路

提出了一种用于大功率LED驱动芯片中的电流采样电路。采用电阻采样技术,运用高压、高增益、大带宽的运放,使采样电路具有高精度和快的响应速度。基于0.8μm 40 V BCD工艺,对提出的电流采样电路进行仿真验证。结果表明,在大功率应用下,该采样电路的采样精度高达99.68%,有很好的实用价值。     

一种低成本主边控制AC-DC充电控制器

设计了一种主边控制、工作于不连续模式的反激离线AC-DC锂离子电池充电控制器.采用新颖的恒流恒压控制方式保证充电精度,无光耦的应用拓扑能有效降低成本.基于0.5μm BiCMOS工艺模型,进行HSpice仿真验证.结果表明,恒流精度在±5%以内,充电终止电压精度在±1%以内.     

峰值电流升压型PWM变换器片内补偿网络设计

简要分析了峰值电流升压型PWM变换器环路补偿方式,提出一种新型补偿网络结构,在满足环路稳定要求的情况下,减小了所需补偿电容的数值,从而实现片内补偿,并提高了补偿网络的瞬态性能.仿真结果表明:该补偿网络可以使变换器稳定工作,补偿后,输出电压满足输出的稳定性要求.     

阈值可编程锂电池组过流保护电路设计

针对2~4节串联使用的锂电池组,提出一种阈值可编程的过流检测保护方案,该方案集合了充放电短路保护和过载保护的功能。设计了高增益比较器和DAC,实现对锂电池组灵活精确的检测保护。基于华虹NEC 0.5μm 40 V高压BCD工艺,对提出的过流检测电路进行仿真验证。结果表明,该电路可以对锂电池组的各种过流状态作出及时精准的判断,判断精度可达99.83%。提出的方案控制逻辑易于编程实现,支持5 mV到475 mV的比较阈值,可以广泛应用于锂电池保护芯片。     

基于TL494的逆变电源系统环路设计

介绍了一种基于TL494芯片、可应用于移动设备的高性能逆变电源.重点研究了一种能应用在通用PWM控制芯片上的新颖逆变电源环路反馈和补偿方案.该方案采用两级反馈,利用电流叠加原理,设计了电压采样、电流求和的反馈环路.在系统的成本、功耗、稳定性及失真度方面均得到改进.测试结果表明,该电路具有良好的性能.在30 V额定输入电压、15 Ω负载下,总环路增益为27 dB,效率为92％,失真度约为1％.     

一种新型高精度曲率补偿CMOS带隙基准源

本文提出了一种兼容标准CMOS工艺的高阶曲率补偿带隙基准源。通过利用电压电流转换器和基区-发射区间PN结的电压电流特性,获得正比于VTln(T)的补偿量,从而实现基准源高阶温度补偿。基于CSMC 0.5-μm CMOS工艺进行流片验证,实验结果表明该基准在3.6V电源电压下可以达到3.9 ppm/℃的温度系数,高达72 dB的电源抑制比,并且优于0.304mV/V的线性调整率。电路最大仅消耗42 μA供电电流。     

一种采用全温度曲率补偿的2.2-V 2.9-ppm/℃ BiCMOS带隙基准源

本文提出了一种兼容标准BiCMOS工艺的高阶曲率补偿带隙基准源。通过简单的架构产生了一种新型的指数曲率补偿和分段曲率补偿,从而实现了全温度范围内的温度补偿。基于0.6-μm BCD工艺进行验证,实验结果表明该基准在3.6V电源电压下可以达到2.9 ppm/℃的温度系数,高达85 dB的电源抑制比,并且优于0.318mV/V的线性调整率。电路最大仅消耗45 μA供电电流。带隙基准源的有效面积为260×240 μm2。     

一种基于开关电容的带隙基准电路

设计了一种基于开关电容的新型带隙基准源。该基准源利用开关电容放大器，减小运算放大器输入失调电压的影响，同时，采用基极电流消除技术和虚拟开关管，减小PTAT电压的误差，以及开关管断开时带来的寄生效应。仿真结果表明，该基准源电路具有良好的温度系数和线性调整率，属于离散时间带隙基准。     

一种高噪声抗扰度电容式电平位移电路

设计了一种适用于GaN半桥栅驱动的高噪声抗扰度的电容式电平位移电路。在浮动电源轨发生dV/dt切换和减幅振荡时,采用去耦开关完全消除了影响输出状态的共模噪声,采用动态开关减小了电路失配引起的差模噪声。利用电容耦合技术实现了高负压容忍度、亚纳秒级延时和低功耗。采用0.18μm高压BCD工艺进行电路设计。仿真结果表明,在50 V电平转换下,该电平位移电路的共模瞬态抗扰度达到200 V/ns, 200 V/ns转换速率下的失配容忍度达到30%,负压容忍度达到-5 V,平均传输延时为0.56 ns。     

一种用于电流模Buck变换器的电流采样电路

提出了一种用于峰值电流模Buck变换器的宽电压范围的高速电流采样电路。利用上功率管的导通电阻R_dson对电感电流信息进行采样,解决了R_dson的PVT参数漂移导致采样增益值不固定的问题。利用上功率管栅源电压检测电路设置屏蔽时间,解决了噪声干扰导致误触发的问题。PWM比较器设置在自举电容两端的浮动电源轨上,PWM比较器的输出可以跳过位移电路直接关闭上功率管,提高了电路的速度。采用0.35 μm 60 V BCD工艺对电流采样电路进行了验证。结果表明,在4~42 V的宽输入电压范围内,该电流采样电路能实现对电流信息的高速采样。当电感电流达到峰值后,驱动控制信号在15 ns内完成翻转。