基于分数阶巴特沃斯滤波器的1000kV特高压远传式SF6密度继电器

由于1000kV特高压设备所处电磁环境复杂,采用现有技术的远传式SF₆密度继电器抗干扰能力差,无法将设备信息准确远传,严重影响特高压设备在线监测。为解决这一问题,利用分数阶巴特沃斯滤波器设计了一种新型抗干扰远传式SF₆密度继电器。通过500kV及1000kV两类组合电器在三种情况下抗干扰试验、极端特殊情况下的电磁干扰试验,表明采用分数阶巴特沃斯滤波器的远传式SF₆密度继电器具有良好的最大抑制倍数,验证了本文方法的有效性、全面性。     

介绍热天平

1.什么是热天平? 人们很早就知道有些物质在加热过程中重量会起一定的变化;而变化的程度与温度有一定的关系。分析化学家在重量分析中也总结了这方面的经验,例如生成的沉淀须在一定的温度维持相当时间才能达到某个固定化学组成。冶金学家把金属放在一定温度和气氛下,测定重量的变化来研究金属的千腐蚀性。矿物学家应用黏土矿物如水铝石、高岭土等的加热脱水性质,作为鉴定矿物的方法。分析化学中把样品烘干或灼烧至恒重时须等到冷却后才能称重,所以相当费时。又如称氧化铝或氧化锆时,它们的吸水性甚强,在操作上遇到很大的困难。因为这些要求,分析化学家把天平和电炉联起来     

CrTiAlN涂层在800℃和900℃时对H13钢氧化性能的影响

为了提高H13钢的抗高温氧化能力,在H13钢表面沉积了一层CrTiAlN薄膜.采用XRD和SEM分析了H13钢氧化前后的相组成及其表、截面形貌.结果表明:涂层为柱状晶结构,主要有三部分组成:里层为Cr结合层,中间为CrN过渡层,外层是CrTiAlN梯度涂层.H13钢在氧化时,在其表面发生了Cr的选择性氧化,但是Cr含量低,未能形成连续的防护层,最终导致基体元素不断地氧化,生成了大量的α-Fe2O3颗粒.CrTiAlN涂层在800℃时具有良好的抗高温氧化性能,涂层氧化时主要是O向里扩散占优势,没有出现裂纹和剥落,而且观察到了“钉扎效应”.900℃时,涂层失效.     

基于微流体装置的微血管网内红细胞流动和分布特性的研究简

实体肿瘤血管具有扩张、扭曲、不规则分支以及分支间连接絮乱等特征. 为了考察这些特征对血液流动的影响,将肿瘤血管简化为垂直相互贯通的微血管网,借助微流体实验装置,以一定浓度的红细胞悬液作为流动介质,研究红细胞在微血管网中的流动和分布特性. 具体实验方案如下：首先,采用软刻蚀技术,在聚二甲基硅氧烷（polydimethylsiloxane, PDMS）上加工出微血管网;然后,采用微注射泵控制微血管网入口处的红细胞悬液流量,使用倒置显微镜和高速摄影系统观察并记录实验过程;最后,通过Matlab 软件包Piv-lab 及高速摄影配套软件对获得的视频图像进行处理,提取红细胞在微血管网中的流动和分布数据. 数据处理结果显示,红细胞在微血管网中的流动和分布特性受悬液内的红细胞压积（hematocit, Hct）的影响. 红细胞随悬液Hct 的不同呈现2 种运动轨迹：一种为仅沿着轴向微管道流动;另一种是从轴向微管道流入并穿过径向微管道,再进入另一侧的轴向微管道. 另外,入口流量相同时,红细胞在微血管网中的流动速度随Hct 变化呈现不同,Hct 为3% 和5% 的红细胞速度要明显高于Hct 为1% 的红细胞速度.     

个人计算机技术讲座Ultra320 SCSI

刚刚推出的“Ultra320 SCSI”接口,在其功效与支持功能上,可以说是更加强大、高级,是传输速度更快的新一代SCSI规格。其高效的传输能力,已超越目前最常见的ATA接口。想知道今后SCSI与ATA接口间,相关功能与实际应用上有什么不同之处,新一代SCSI接口有何突出之处?我们就在这里进行深入探讨。     

Magnetic properties of mixed Ising system with random field

A spin-1/2 and spin-3/2 mixed Ising system in a random field is studied by the use of effective-field theory with correlations. The phase diagrams and thermal behaviours of magnetizations are investigated numerically for the honeycomb lattice (z=3) and square lattice (z=4) respectively. The tricritical behaviours for both honeycomb and square lattices, as well as the reentrant behaviour for the square lattice are found.     

一种新型SGOI SiGe异质结双极型晶体管

为了改善SiGe异质结双极型晶体管(HBT)的电学特性和频率特性,设计了一种新型的SGOI SiGe HBT。在发射区引入了双轴张应变Si层。多晶Si与应变Si双层组合的发射区有利于提高器件的注入效率。利用Silvaco TCAD软件建立了二维器件结构模型,模拟了器件的工艺流程,并对器件的电学特性和频率特性进行了仿真分析。结果表明,与传统的SiGe HBT相比,新型SGOI SiGe HBT的电流增益β、特征频率fT等参数得到明显改善,在基区Ge组分均匀分布的情况下,β提高了29倍,fT提高了39.9%。     

高性能单纵模工作的InGaAsP/InP DFB—DC—PBH激光器

本文报导了具有双沟道平面隐埋异质结的InGaAsP/InP分布反馈激光器(DFB—DC—PBH LD′S)的激射特性,这种激光器具有端面倾斜和抗反射(AR)涂层结构。1.3μm波段的DFB—DC—PBH LD′S在室温时达到了超过55mw的高功率CW单纵模(SLM)工作和超过105℃时的高温度CWSLM工作,而在2Gb/s高速直接调制下得到了稳定的SLM工作。1.5μm波段的DFB—DC—PBH LD′S也显示出了极好的DFB激射特性,例如高于20mw的输出功率和超过75℃的高温CW SLM工作。也研究了1.3μmDFB—DC—PBH LD′S在实验中所得到的DFB—SLM工作,结果表明这种器件对光纤通信系统的实际应用带来了很大的希望。     

在半绝缘InP衬底上制作用于单片集成的InGaAs PIN光电二极管

用LPE方法在半绝缘InP衬底上制作适用于光电单片集成的InGaAs PIN光电二极管。这种光电二极管具有低的暗电流和高速响应的特点。这种光电二极管在-10V工作电压下,暗电流密度为2.5×10~(-6)A/cm~2。这个值是目前在这种材料系中所报导的最低值。在-5V工作电压下测得光电二极管的外量子效率在1.3μm波长处大于90%。在1.5μm波长处的外量子效率大于83%,这些器件的上升时间小于35PS,半峰值处全宽(FWHM)小于45PS。