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71.
漂移区纵向线性掺杂的SOI高压器件研究
总被引:1,自引:0,他引:1
陆生礼
孙智林
孙伟锋
时龙兴
《半导体学报》
2005,26(12):2286-2289
随着SOI层厚度的变化,当SOI层的厚度为2μm时,SOI LDMOS器件具有一个最佳的击穿电压.如果漂移区纵向的杂质浓度为线性分布,那么它的纵向电场就会为一个常数,击穿电压会达到最大值,而这种杂质浓度线性分布的漂移区可以通过热扩散得到.采用这种方法制得的SOI LDMOS的纵向击穿电压提高了43%,导通电阻降低了24%,这是因为它的表面浓度更高.
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