宽带低噪声CMOS数字电视频率综合器

介绍了一块CMOS数字电视调谐芯片中的宽带PLL频率综合器。该芯片使用经典的单变频三波段结构,VCO通过片外谐振回路产生了从80MHz到910MHz的频率用于电视调谐。VCO模块采用了独创的稳幅机制来满足输出的幅度和相噪特性在宽带范围内的基本一致;同时对电荷泵的电流失配和输出噪声之间的关系进行了分析,优化了电流失配,同时获得了较好的输出噪声。该频率综合器采用3.3V 0.35μm CMOS RF工艺,满足了DVB-CQAM64数字电视的低噪声要求,实现了清晰的数字电视接收,最后给出了测试结果。     

面向片上系统的高性能SDRAM控制器设计

在分析了SDRAM存取原理之后,提出并设计了一种面向片上系统的高性能SDRAM控制器。该控制器采用数据写缓存方式降低了数据在存取内存时的等待时间;并引入了两组双通道预取指令缓冲器,每组双通道都用以减少取指令时的等待时间,采用两组的结构是为了增加指令预取的命中率;同时还使用了四路组关联的片上堆栈存储器来降低SDRAM的页失效频率,从而降低了因页失效而需要等待的时钟周期。实验证明,与传统的控制器相比,SDRAM的存取等待时间降低了63%,页失效频率降低了64%,总的指令执行平均时间为原来的40.5%。     

低抖动高分辨率线性DCO的设计

设计了一个低抖动、高分辨率的线性DCO.该DCO由9级单端倒相器构成,通过分析输出时钟抖动、分辨率与每级倒相器尺寸之间的关系,找到设计的最佳尺寸,最终实现版图.采用SMIC 1μm 1P8M CMOS 工艺,1.2 V电源供电,振荡频率为180～580 MHz,分辨率为10 ps,Hspicerf仿真结果表明,DCO输出时钟为505.67 MHz时,峰-峰值抖动为72.159 ps.     

MOSFET失配的研究现状与进展

特定工艺条件下的器件失配程度限制了射频／模拟集成电路的设计精度和成品率。电路设计者需要精确的MOSFET失配模型来约束电路优化设计,版图设计者需要相应的设计规则来减小芯片失配。本文介绍了MOSFET失配的基本概念;回顾了MOSFET模型的研究进展及相关的版图设计技术、计算机仿真方法;总结了MOSFET失酉己对电路性能的影响及消除技术。最后探讨了MOSFET失配的研究趋势。     

漂移区纵向线性掺杂的SOI高压器件研究

随着SOI层厚度的变化,当SOI层的厚度为2μm时,SOI LDMOS器件具有一个最佳的击穿电压.如果漂移区纵向的杂质浓度为线性分布,那么它的纵向电场就会为一个常数,击穿电压会达到最大值,而这种杂质浓度线性分布的漂移区可以通过热扩散得到.采用这种方法制得的SOI LDMOS的纵向击穿电压提高了43%,导通电阻降低了24%,这是因为它的表面浓度更高.     

减小等离子显示器电磁噪声的方法研究

根据等离子显示器的工作原理，讨论了表面放电型等离子体显示器在准备、寻址和维持放电发光三个阶段产生电磁噪声，以及驱动电路产生电磁哭声的原因，并针对电磁噪声的来源给出了相应的解决方法，大幅度地减小了等离子体显示器的电磁噪声，电磁辐射以及对其它电器的干扰。     

一种基于SCL结构的高精度差分型PFD的设计

介绍一种基于场效应管源级耦合逻辑(SCL)结构的高精度差分型鉴频鉴相器(PFD)的设计,包括构成PFD的SCL结构基本单元--SCL结构D触发器、与非门、倒相器和缓冲单元.仿真实验结果表明,该PFD不仅能够减小死区范围,提高鉴相精度到50 ps,而且具有速度快、功耗低(仅47 mW)的特点,在低抖动锁相环路设计中有着广泛的应用.     

基于电荷泵法的N-LDMOS界面态测试技术研究

详细研究了高压N-LDMOS器件的电荷泵(CP)测试技术,指出了高压N-LDMOS器件的特殊结构对其CP测试结果的影响,并解释了高压N-LDMOS器件的CP曲线不饱和的原因,同时对由于不同的源漏偏压造成的高压N-LDMOS器件CP曲线的变化进行了深入的理论分析。这些结论可以为CP法测量界面态密度提供实验指导,同时为更加准确地分析高压LDMOS器件的CP测试曲线提供理论指导。     

催化金属和场效应器件——有益的组合

催化金属栅气敏场效应器件的研究已有十多年了.通过使用催化金属栅的不同特性,目前已从最初的氢灵敏钯概场效应品体管(FET)发展了一类新的化学传感器,这些化学传感器不仅对氢敏感,而且对诸如乙醇、乙烯和氨等分子也灵敏,这些器件暴露于给定分子中时将     

开关功率变换器中的间歇现象 ——仿真与实验

 文章从电路耦合滤波的角度考虑,分析了一类间歇分谐波与间歇混沌现象产生的原理,确定耦合电路传导和辐射干扰是产生该现象的根源,并构造了一个开关变换器模型作为研究对象,仿真与实验均得到了相似的非线性现象,同时对不同的电路参数集,讨论并分析了其对间歇现象产生所起的不同影响,为变换器的稳定设计提供信息.该研究方法也可推广到其他非线性电路系统的类似研究中.