热释电红外电视测温的物理基础

在温度和辐射基本定律的基础上，讨论了利用物体辐射红外能量进行非接触式测温的一些基本要点，针对热释电红外电视这一特殊的红外成像系统的特点，提出了红外热电视测温的可能性及基本方法，     

多次曝光散斑干涉法实现光学图像相减

本文给出了利用重铬酸盐明胶全息干板可以多次曝光记录的特性,实现散斑多次曝光图像相减的方法.这种方法简单方便,且具有高质量的输出结果.实验与理论分析很好符合.     

基于两种光纤介质模型的长周期光纤光栅传感特性分析

仿真分析了单轴晶体光纤的两层介质模型与三层介质模型所得纤芯模有效折射率的差别,并基于该差别对长周期光纤光栅的外界环境折射率、温度和轴向应变传感灵敏度进行了仿真分析。结果表明,对两层、三层介质模型的纤芯模,尤其对薄包层光纤有效折射率有较大差别;用两层介质模型和/或材料的折变系数计算所得的长周期光纤光栅的外界环境折射率、温度和轴向应变灵敏度有较大的误差,需应用三层介质模型以及模式的有效折变系数进行准确计算。据此计算了上述3种传感灵敏度与光纤包层半径及包层模序数的关系。为长周期光纤光栅传感器的分析设计提供了指导。     

GPS GPSⅢ卫星研制进展情况综合报道

本月初，美空军授予洛克希德·马丁公司2项定价合同共计1.2亿美元，用以生产第5、6、7、8共4颗GPSⅢ卫星。其中，第5、6两颗卫星的定价合同价值6200万美元，计划于2017年6月30日前完成卫星制造。卫星由2013联邦财政年度预算提供资金，并将在位于宾夕法尼亚新城的工厂建造。洛马公司目前执行的合同任务是生产首颗GPSⅢ卫星，空军计划采购32颗GPSⅢ卫星。     

纳米电子器件及其集成

对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如：单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论. 采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件，观察到明显的库仑阻塞效应；在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件，在室温下测得其峰谷电流比高达13.98，峰电流密度大于89kA/cm2；概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.     

ActiveX控件实现多媒体课件的网络化

为适应Internet/Intranet技术的发展和应用,讨论如何通过在原单机版的Authorware多媒体课件系统中引入ActiveX控件———Microsoft Web浏览器,实现该课件系统的客户机/服务器模式,使得多媒体课件中大量的图像、声音和AVI文件被局域网内多个用户共享,也节省磁盘空间。此外,比较了Authorware提供的一键发布和网络操作函数的网络化方法,从而体现使用ActiveX控件———Microsoft Web浏览器实现网络化的灵活性。最后,结合实例说明具体的实现过程。     

对CATV系统指标叠加与分配的探讨

针对全电缆系统与HFC系统两种网络结构对有线电视系统指标的叠加与分配进行了探讨，论述了它们的不同点，提出在HFC系统中应使用HFC的指标计算公式。     

掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响

为有效利用多晶硅纳米薄膜研制MEMS压阻器件,本文对LPCVD多晶硅纳米薄膜应变系数与掺硼浓度的关系进行了研究,并利用扫描电镜和X射线衍射实验分析了薄膜的结构特点.结果表明:在重掺杂情况下,纳米薄膜的应变系数明显大于相同掺杂浓度下单晶硅的应变系数,而且掺杂浓度在2.5×1020cm-3左右时,应变系数具有随掺杂浓度升高而增大的趋势.对这种实验结果依据隧道效应原理进行了理论解释,提出了多晶硅压阻特性的修正模型.     

InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化

本文对808nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料的大光学腔结构激光器进行了理论优化.为确保激光器是单横模激射,我们使用传递矩阵的方法,分别计算了限制层和欧姆接触层厚度对TE2和TE0模式损耗的影响,对上下限制层和欧姆接触层的厚度进行了优化,其优化后的厚度分别为0.8,0.6和0.11μm.高折射率的欧姆接触层被低折射率的限制层和金属层包围形成了无源的次级波导,泄漏波在次级波导中形成了寄生模式.欧姆接触层厚度对模式损耗的影响是周期性的,当欧姆接触层厚度为该模式的λ1/4时发生第一次共振,发生共振的间隔为其垂直注入的泄漏波波长λ1的一半.     

数值分析渐变DBR对垂直腔面发射激光器谐振腔模的影响

通过数值分析研究了含线性渐变层的Al0.9Ga0.1As/AlyGa1-yAs/GaAs/AlxGa1-xAS DBR的光学特性及其对VCSEL谐振腔光学特性的影响,建立了渐变型DBR渐变层厚度与折射率的关系,通过特征矩阵法计算了突变GaAs/Al0.9Ga0.1AS DBR和渐变型DBR的反射谱和反射相移,分析了渐变层对DBR反射率和反射相移的影响.对渐变型DBR,要使VCSEL谐振腔满足中心波长相位匹配条件,还需要在DBR靠近谐振腔一侧的最前面增加一定厚度的渐变层,称为相位匹配层.通过计算,我们得到了使VCSEL谐振腔满足相位匹配条件时均匀层和相位匹配层的厚度.