SnO2对锂铌钛系微波介电陶瓷性能的影响

用SnO2作为掺杂剂对LiNb0.6Ti0.5–xSnxO3陶瓷进行改性,研究了SnO2添加量对LiNb0.6Ti0.5O3锂铌钛体系陶瓷的烧结性能,显微结构和微波介电性能的影响。结果表明:随着SnO2添加量的增加,陶瓷体密度和介电常数基本保持不变;而Q·f值随SnO2的加入有所提高,而后随SnO2含量继续增加而快速下降;在1100℃的烧结温度下,当x为0.01时,获得微波介电性能优良的微波陶瓷,其εr为67.8,τf为+4×10–6/℃,Q·f为6780GHz。     

非局部AB-NLS方程的双线性B(a)cklund和Darboux变换与非线性波

非局部Alice-Bob系统可用来描述自然科学和社会科学中不同空间或时间的若干事件,这些事件在本质上是相互联系或者相互纠缠的.该文研究一个非局部Alice-Bob-Schr(o)dinger (AB-NLS)系统,它由著名的AKNS系统约化所得,是一个真正的可积两地系统.首先通过双线性方法获得该系统的双线性B(a)ck...     

GPS GPSⅢ卫星研制进展情况综合报道

本月初，美空军授予洛克希德·马丁公司2项定价合同共计1.2亿美元，用以生产第5、6、7、8共4颗GPSⅢ卫星。其中，第5、6两颗卫星的定价合同价值6200万美元，计划于2017年6月30日前完成卫星制造。卫星由2013联邦财政年度预算提供资金，并将在位于宾夕法尼亚新城的工厂建造。洛马公司目前执行的合同任务是生产首颗GPSⅢ卫星，空军计划采购32颗GPSⅢ卫星。     

纳米电子器件及其集成

对基于Top-Down加工技术的纳米电子器件如：单电子器件、共振器件、分子电子器件等的研究现状、面临的主要挑战等进行了讨论. 采用CMOS兼容的工艺成功地研制出单电子器件，观察到明显的库仑阻塞效应；在半绝缘GaAs衬底上制作了AlAs/GaAs/In0.1Ga0.9As/GaAs/AlAs双势垒共振隧穿二极管,采用环型集电极和薄势垒结构研制的共振隧穿器件，在室温下测得其峰谷电流比高达13.98，峰电流密度大于89kA/cm2；概述了交叉阵列的分子存储器的研究进展.     

ActiveX控件实现多媒体课件的网络化

为适应Internet/Intranet技术的发展和应用,讨论如何通过在原单机版的Authorware多媒体课件系统中引入ActiveX控件———Microsoft Web浏览器,实现该课件系统的客户机/服务器模式,使得多媒体课件中大量的图像、声音和AVI文件被局域网内多个用户共享,也节省磁盘空间。此外,比较了Authorware提供的一键发布和网络操作函数的网络化方法,从而体现使用ActiveX控件———Microsoft Web浏览器实现网络化的灵活性。最后,结合实例说明具体的实现过程。     

对CATV系统指标叠加与分配的探讨

针对全电缆系统与HFC系统两种网络结构对有线电视系统指标的叠加与分配进行了探讨，论述了它们的不同点，提出在HFC系统中应使用HFC的指标计算公式。     

InGaAsP/InGaP/AlGaAs大光学腔量子阱激光器的优化

本文对808nm InGaAsP/InGaP/AlGaAs材料的大光学腔结构激光器进行了理论优化.为确保激光器是单横模激射,我们使用传递矩阵的方法,分别计算了限制层和欧姆接触层厚度对TE2和TE0模式损耗的影响,对上下限制层和欧姆接触层的厚度进行了优化,其优化后的厚度分别为0.8,0.6和0.11μm.高折射率的欧姆接触层被低折射率的限制层和金属层包围形成了无源的次级波导,泄漏波在次级波导中形成了寄生模式.欧姆接触层厚度对模式损耗的影响是周期性的,当欧姆接触层厚度为该模式的λ1/4时发生第一次共振,发生共振的间隔为其垂直注入的泄漏波波长λ1的一半.     

甲氟哌酸的极谱伏安行为研究及其应用

本较详细研究了甲氟哌酸的极谱伏安行为。在０．０２ｍｏｌ／Ｌ氯化铵底液中，甲氟哌酸产生一个良好的还原峰，峰电位（Ｅｐ）为－１．４５０Ｖ。其导数峰高与浓度在９×１０＾－５－３×１０＾－７ｍｏｌ／Ｌ范围内呈现良好的线性关系，大多数金属离子和无机阴离子不干扰测定，用于甲氟哌酸合杨样品的测定，结果满意。本还用多种电化学方法和技术研究了还原峰电流的性质，并提出了电极反应的机理。     

磁浮轴承及其应用[Ⅰ]——直流控制式磁浮轴承及其应用

<正> 1.前言磁浮轴承有多种,分类方法也不尽相同,可大致分为: a、部分机械接触式; b、完全无控制式; c、交流控制式;     

只在右半平面收敛的指数级数的增长性及值的分布(英文)

本文研究只在右半平面内收敛的指数级数,引进了(R-H)级概念;推广了Anderson,J. M. 及Binmore K. G. 的一个不等式,并且利用所得结果研究了上述级数在某些水平半带形上的增长性以及在虚轴上的Picard点及Borel点,