纳米加工和纳米电子器件

介绍了电子束曝光技术、EUV光刻技术和X射线光刻技术的进展;对各种纳米电子器件如单电子器件、共振隧穿器件和分子电子器件的研究现状及面临的主要挑战进行了讨论。     

镍中氢与缺陷互作用的正电子寿命和多普勒展宽研究

采用正电子寿命和多普勒展宽技术研究了退火、回复及冷轧镍中氢与缺陷的互作用．结果表明：冷轧镍充氢后正电子平均寿命和多普勒展宽S参数上升，并且寿命谱的两成分拟合出现一个390ps的长寿命分量；而退火及回复镍充氢后正电子平均寿命和多普勒展宽S参数均不改变．因此认为冷轧镍充氢后正电子参数（平均寿命和S参数）的上升取决于氢和空位的互作用，与氢和位错的互作用无关；氢空位对也可以作为聚集空位的核心 关键词：     

CT—1典型电路分析及维修(一)

在对比较典型的日产SANYO CLT35AMK_2(H)型模拟无绳电话机电路原理进行简要分析后,对该机通常易发生的故障提供分析和处理方法.     

VXI总线转换系统与被测印制板接口电路的设计

在电路印制板性能检测与故障诊断中,利用VXI总线模块仪器作为激励信号源,由于转换系统与被测单元间的不匹配,产生信号变形,影响了电路印制板性能的测试。本文针对这一问题进行了讨论,提出了改进措施,给出了实验结果。     

气流式加速度传感器的敏感机理

介绍了在研制气流式加速度传感器过程中，为对气流式加速度传感器进行建模，作者对气流式加速度传感器的工作机理进行了理论性探讨。在分析过程中以流体力学、传热学和惯性理论为基础并结合实验结果，建立了适合于气流式加速度传感器的气体运动方程和能量方程。同时还讨论了热线测量加速度的方法及根据实验分析了输入加速度对腔体内温度及传感器输出电压的影响，从而为进一步研究一系列气流式传感器的工作机理提供了方法。     

微导通孔工艺用附树脂铜箔

形成微导通孔的方法大致有:使用激光形成,等离子形成和光刻形成等三种。它们各有各的利弊,各公司目前正在进行这些技术的融合。其中最为引入注目的方法就是,采用附树脂的铜箔形成微导通孔。微导通孔工艺用附树脂铜箔是     

随机权函数非线性回归模型的异方差统计分析

在回归分析中，随机误差是否存在方差齐性是理论与实际工作者都十分关心的问题，方差齐性假设并不总是正确的，在线性和非线性回归中关于异方差的诊断问题已有许多讨论（[1],[2],[4],[5]）。本文在韦博成（1995）讨论了加权非线性回归模型的基础上，用随机系数的方法，讨论随机权函数非线性回归模型中的异方差检验问题，得到了方差齐性检验的似然比统计量和score统计量，同时，当模型存在异方差时，本文给出了估计方差的一种方法。