SEBS-g-MAH对LLDPE结晶行为的影响

利用差示扫描量热法结合Avrami方程研究了线性低密度聚乙烯(LLDPE)、LLDPE与苯乙烯-乙烯-丁烯-苯乙烯嵌段共聚物(SEBS)共混体系及LLDPE与不同接枝率的SEBS共聚物接枝马来酸酐(SEBS-g-MAH)共混体系的非等温结晶动力学,探讨了SEBS-g-MAH对LLDPE结晶行为的影响.通过偏光显微镜(POM)观察了各体系的结晶形态.通过Gupta法、Jeziorny法和莫志深法分别对非等温结晶过程进行表征,结果显示:热塑性弹性体SEBS及其接枝物SEBS-g-MAH的加入阻碍了LLDPE分子链的规则排列,影响了链段在结晶扩散迁移过程中的规整排列速率,使得结晶速率变慢,对LLDPE晶体生长起了抑制作用.样品的Avrami指数均为1.1～1.5,说明LLDPE的结晶成核机理和生长方式没有改变.     

环形固体背散射探测器的最佳检测距离

当入射电子与物质相互作用后又能返回表面逸出，则这部份原入射电子称为背散射电子。通常以能量小于50eV的电子称为二次电子，大于50eV而小于E0的电子称为背散射电子，用背散射电子来扫描成像所获得的图像称为背散射电子像。     

高功率Q开关双脉冲红宝石激光器

本文叙述了双脉冲激光器的基本原理及调试方法，这个方法原则上可适用于其他类型KDP—Q开关高功率双脉冲激光器的研制（如钕玻璃，Nd：YAG双脉冲激光器）。     

多层溅射制备Wsix/Si薄膜的电阻率特性研究

利用多层溅射技术制备了ＷＳｉ_x／Ｓｉ薄膜，然后测量其平面电阻的退火行为，发现平面电阻在６００－７００℃之间退火后有陡降，这对应于非晶ＷＳｉ_x薄膜中Ｗ₅Ｓｉ₃四角相的形成。ｘ射线衍射和慢正电子湮没测量也证实了这一点。认为薄膜电阻率的突变反映了导电机制的变化，它和薄膜结构的变化有很好的对应关系。 关键词：     

电子材料分析中的能谱干扰峰

主要阐述了在电子元器件分析中用能谱仪作定性分析时常见的一些干扰峰和容易混淆及误判的一些谱峰。主要有和峰、逃逸峰以及一些在元器件材料分析中常遇到的元素特征峰之间的交错重叠的识别和判定方法，并把这些容易误判的谱线整理列成3种表格，以供参考，这些数据基本覆盖了在X射线能谱仪中可能出现的所有相关的谱峰。     

高温合金K5,K18杂质光谱分析的研究

一、前言众所周知,光谱分析一般都必须有相应的光谱标样。然而解决光谱标样并非易事。我们在分析高温合金K5、K18中Si、Fe、Mn、P、S杂质元素时,在没有相应的光谱标样条件下,采用高温合金GH49,利用控制试样法很好地解决了上述五个杂质元素的分析。二、实验部分K5、K18及GH49均为镍基高温合金,其组成差别不大、杂质元素Si、Fe、Mn、P、S的含量都很低。能否用GH49标准分析K5、K18中的杂质,其关键就在于这些杂质元素的蒸发与激发特性。因此首先应该研究这些杂质元素光谱线的蒸发特性与激发特性。     

辅助光斑对10μm半径级小尺度自聚引发谐波辐射的作用

本文的最新实验表明,单个10μm半径级的激光斑在预形成的激光等离子体中不能有效激励90°侧向3ω₀/2谐波发射。但配合同样尺寸的辅助光斑,在满足一定位置和角度条件下却容易引发这种发射。使用双等离振子衰变理论,结合动态自聚细丝模型分析了这一现象的起因。     

RbTiOPO_4晶体的电光性能

本文用干涉法测量了 RbTiOPO_4晶体的电光系数,结果为 r_(13)=9.7,r_(23)=10.8,r_(33)=22.5,r_(51)=-7.6,r_(42)=14.9(×10~(-12)m/V)。