退火对聚合物有机发光器件的影响

制作了结构为ITO／MEH—PPV／AI的单层聚合物有机发光器件(PLED),在镀铝电极前后分别对器件进行高于MEH—PPV玻璃化温度的退火处理。结果表明,镀铝电极后的退火处理可使器件的效率提高30％左右,器件的寿命增加40％左右;而镀铝电极前的退火处理对器件影响不大。     

MgF2单晶的THz光谱研究

利用THz时域光谱技术对MgF₂晶体(样品1)和MgF₂：Co晶体(样品2)在0.5—2.5 THz的吸收特性进行了研究.在0.5—2.5 THz波段，样品1吸收系数α(ν)随频率ν增加而增大，最大值为24 cm^-1.样品2的吸收系数比样品1大得多，Co掺杂使晶格吸收带边向低频移动，而且样品2在1.9 THz有吸收峰，吸收系数达到70 cm^-1，由此求出F^--Co²⁺离子键伸缩振动的键力常数K为3.40×10^-2　N/cm.这一结果表明，THz光谱分析有可能成为研究晶体化学键的一种重要手段.利用光学常数之间的关系计算了两个样品在0.5—2.5 THz的介电函数的实部ε₁(ν)，得到样品1的ε₁(ν)值在4.67至4.73之间，样品2的ε₁(ν)值在4.62至5.01之间. 关键词： THz辐射 光谱 2晶体')" href="#">MgF₂晶体     

类镍等电子系列离子M1,M2,E2禁戒跃迁特性的理论研究

利用基于全相对论框架下的多组态Dirac-Fock理论方法发展起来的程序包GRASP92和新发展的处理辐射跃迁过程的程序REOS99,计算了类镍等电子系列离子(Z=45-95)的基组态3s23p63d10 1S0以及低激发组态3s23p63d94l,3s23p53d104l和3s3p63d104 l(l=s,p,d,f)的能级及其向基态的M1,M2,E2禁戒跃迁概率.通过分析高离化类镍离子在特定的原子序数范围内由于存在能级交叉而产生的强组态相互作用,解释了高离化类镍离子禁戒跃迁概率的反常变化现象,探讨了禁戒跃迁概率受强组态相互作用影响而变化的一般规律.     

EPON技术是有线电视网拓展多功能信息业务的最好选择

现阶段电话通信网、计算机网、有线电视网(HFC)三大网络各有长短,各自承载着不同的信息传输业务,在未来的业务融合进程中,三大网络将是一个优胜劣汰的演进过程.……     

摆动式声多普勒效应实验仪

针对现有的声多普勒效应实验装置中存在的问题,设计并制作了摆动式声多普勒效应实验仪.该仪器能够分别进行声源运动和观察者运动的声多普勒效应实验,且可定量分析频偏和测量速度.本文详细介绍了该仪器的原理、构造、特点和实验过程,并对实验结果进行了较为全面的分析.     

雷达对通信系统的干扰特性

对雷达的辐射特性进行了阐述，分析了其对通信系统的干扰因素，提出了干扰预测方程和对系统进行管理的有关技术措施。     

微量元素铈对Cu0.9%Cr合金组织与性能的影响

采用石墨型铸造Cu0. 9%Cr,Cu0. 9%Cr0. 05Ce两种合金,并对合金固溶后在450℃进行不同时间的时效,利用光学显微镜、扫描电镜、导电率测量仪、电子拉伸试验机以及往复摩擦磨损试验机,研究微量Ce对Cu0. 9%Cr合金微观组织、强度、导电率和摩擦磨损的影响。结果表明:在时效前期,微量Ce的加入使Cu0. 9%Cr合金组织细化、Cr析出相增且更均匀分布,经450℃时效+4 h可达到抗拉强度峰值590 MPa,导电率达到83%IACS,且具有优异的耐磨性能;在时效后期,微量Ce的添加主要起到抑制过时效的作用,抗拉强度值下降缓慢、导电率平稳变化。     

MINDPORT’S IRDETO ACCESS智能卡中心产量达到400万张 并以每月100 000张的速度发送

ＩＲＤＥＴＯＡＣＣＥＳＳＢＶ的首席执行官ＧＲＡＨＡＭＫＩＬＬ谈到 :“ＩＲＤＥＴＯＡＣＣＥＳＳ智能卡中心每个月都生产并发售这个数量的卡 ,尽管如此 ,客户的季节性的需求仍然使卡供不应求。为了坚持不懈保持下去 ,你需要一个安全的、高效的和高质量的运作。我们为单位的业绩感到骄傲并且拥有ＩＳＯ90 0 0认证 ,向我们 2 0 0 0年的下一个目标不懈地努力。我们还拥有额外的能力可以服务于现有客户不断增长地需求以及那些我们与之合作的新客户。”智能卡中心在荷兰的ＨＯＯＦＤＤＯＲＰ以外运营 ,并将卡发送到世界上的 50多个国家。导致…     

镉对鱼类肾小管亚微结构及乳酸脱氢酶同功酶活性的影响

本文探讨底泥中镉对鱼肾小管上皮细胞亚微结构的影响和乳酸脱氢酶同功酶活性的变化,重点放在查明镉的剂量与肾细胞中毒病理学微细变化之间的关系。将试验用的鳙鱼分四组分别放入镉处理的水族箱中,每箱放养70尾,每天定时通氧和投放无污染的颗粒饵料。第一组为对照组;第二组含镉14.4mg/kg底泥;第三组含镉33.3mg/kg     

多功能程控心脏起搏器电路系统的全CMOS单片集成技术

本文介绍我们已开展的利用单片CMOS技术实现多功能程控心脏起搏器电路系统的研究工作.包括:(1)利用CMOS预放级或电压比较器实现心电波双向灵敏感知放大;(2)采用CMOS倍压电路(电源电压2.8伏),获得4.5—5伏起搏电压脉冲(脉宽体外调节);(3)极为稳定的任意设定起搏频率的获得与体外调整;(4)电源电压频率指针的实现;(5)利用MOS管压偏效应实现电源电压下降时的能量补偿方法;(6)利用CMOS磁敏感知电路替代干簧管作为体外编码信号的接收器,以消除触点噪声引起的误动作,实现全CMOS单片集成;(7)为起搏器电路低压、低功耗、高可靠要求而开发CMOS版图设计考虑及工艺措施.