T1系超导薄膜金属涂层的生长与特性研究

我们研究了T1-2212超导薄膜在带有YSZ／CeO2缓冲层和带有Ce02／YSZ／CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况．基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的，T1-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法．XRD实验结果表明。T1-2212薄膜都具有很好的C轴垂直于膜面的织构，并具有双向外延生长特性．在CeO2／YSZ／CeO2／Ni基带上制作的T1-2212薄膜的Tc达到102．8K，J,（77K,0T）达到2.6MA／cm^2；在YSZ／CeO2／Ni基带上薄膜Tc可达97．7K，Jc（77K,0T）也可以达到0．45MA／cm^2.     

约瑟夫森结参数对Shapiro台阶的影响研究

 采用PSpice电路仿真的方法,研究了结电容C较小的情况下,电阻电容并联约瑟夫森结模型的参数(临界电流I_c和正常态电阻R_n)对Shapiro台阶高度的影响.发现在射频电流较大的情况下减小R_n可以提高台阶的高度,而在射频电流较小的情况下增加R_n可以提高台阶的高度.保持R_n不变,取不同I_c绘制的台阶高度－射频电流幅度曲线表明,临界电流越大,曲线所对应的台阶高度也越大.研究结果对利用约瑟夫森结作为电压标准和THz信号检测具有指导意义.     

YSZ基片上Tl-2212超导薄膜的制备及其特性的研究

本文报道了在(001)掺钇氧化锆(YSZ)基片上生长高质量CeO2缓冲层和Tl-2212超导薄膜的制备方法,以及不同厚度的超导薄膜对其特性的影响.XRD和SEM测试表明,在经过合适条件退火的基片和CeO2缓冲层上,所生长的Tl-2212薄膜具有致密的晶体结构、优良的面内和面外取向.最佳样品的临界转变温度(Tc)和临界电流密度为(Jc)可以分别达到107.5 K和 4.24 MA/cm2(77 K,0 T).实验结果表明,采用该工艺所制备的不同厚度Tl-2212超导薄膜的主要指标能满足开发多种超导器件的要求.     

约瑟夫森结在射频辐照下的亚谐波台阶仿真研究

利用PSp ice软件,采用电路仿真的方法深入研究了约瑟夫森结在射频辐照下的I-V特性,观察到了亚谐波台阶的存在,得出了台阶高度与射频电流幅度的关系,结果对于约瑟夫森结在电压标准和射频检测等方面的应用有重要的参考价值。     

偏转线圈磁场的测量

本文介绍了用双线圈测量偏转磁场的方法。文中首先导出双线圈处于x(或y)轴任意两个位置求算场参数H0、H2、H4的普遍公式。当两个小线圈的灵敏度稍有差异时,该公式仍然有效。利用沿x(或y)轴测得的一系列数据进行回归分析,求得场参数的最佳拟合值,可适用于离轴较远的距离。     

电力企业营销管理存在问题及全新对策

电力行业在促进我国经济发展中发挥着十分巨大的作用,而电力营销作为电力企业的核心任务,对于提高电力企业经济效益具有十分重要的意义.在电力营销管理中,必须要了解目前电力企业营销管理中存在的问题,找到全新的对策,才能够促进电力营销工作的顺利展开.本文主要阐述了电力企业营销管理存在问题及全新对策.     

嵌入Fabry-Perot谐振腔的高温超导双晶约瑟夫森结的毫米波辐照特性研究

采用嵌入Fabry-Perot谐振腔的方式,研究了Tl2Ba2CaCu2O8(Tl-2212)高温超导薄膜双晶约瑟夫森结的毫米波辐照特性.重点研究了双晶约瑟夫森结与Fabry-Perot谐振腔的耦合特性,发现放置在谐振腔中的结的位置、角度、结的图形以及Fabry-Perot谐振腔中两镜面间的距离等对耦合都有很大的影响.通过精细调节这些参数,可使双晶约瑟夫森结与外加毫米波达到最佳耦合.在最佳耦合情况下,能观察到9级明显的夏皮罗台阶.利用Fabry-Perot谐振腔技术,解决了约瑟夫森结与毫米波的耦合问题,为高温超导约瑟夫森结的毫米波及太赫兹波的辐射和检测研究奠定了基础.     

高温超导双晶约瑟夫森结阵列毫米波相干辐射

研究了嵌入Fabry-Perot谐振腔的高温超导双晶约瑟夫森结阵列毫米波相干辐射的实验结果.相干辐射是通过约瑟夫森结阵列与基片(作为一个介质谐振器)和Fabry-Perot(FP)谐振器的共同作用实现的.由166个高温超导双晶约瑟夫森结串联阵列在77 K温度下产生的相干辐射,辐射峰的中心频率为75.84 GHz,功率大约为10 pW. 关键词： 高温超导薄膜 Fabry-Perot谐振腔 约瑟夫森结 毫米波辐射     

蓝宝石基片上制备大面积Tl2Ba2CaCu2O8超导薄膜

在2英寸双面蓝宝石基片上采用CeO₂作为缓冲层制备了高质量Tl₂Ba₂CaCu₂O₈(Tl-2212)超导薄膜.以金属铈作为溅射靶材,采用射频磁控反应溅射法生长了c轴织构的CeO₂缓冲薄膜,并研究了不同生长条件对于CeO₂缓冲层的晶体结构及表面形貌的影响.超导薄膜采用直流磁控溅射和后热处理的方法制备.扫描电子显微镜(SEM)图像显示,超     

在RABiTS基带上制备Tl-2212超导薄膜

我们研究了Tl-2212超导薄膜在带有YSZ／CeO2缓冲层和带有CeO2／YSZ／CeO2缓冲层的Ni金属RABiTS基带上的生长情况．基带上的缓冲层是采用PLD方法制备的，Tl-2212薄膜的制备采用了磁控溅射和后热处理两步方法．XRD实验结果表明，Tl-2212薄膜都具有很好的c轴垂直于膜面的织构，并具有双向外延生长特性．在CeO2／YSZ／CeO2／Ni基带上制作的Tl-2212薄膜的Tc达到102．8K，Jc（77K，0T）达到2．6MA／cm^2；在YSZ／CeO2／Ni基带上薄膜的Tc可达97．7K，Jc（77K，0T）也可以达到0．45MA／cm^2．