治肺癌复方中铬,镍的形态分析

本实验对含１３味中药的治肺癌复方原药，头煎及二煎残渣和浸汁，经０．４５μ膜分离的颗粒物，可溶态，以及可溶态分别通过阳离子交换树脂，用三氯甲烷萃取后所得各自柱截留物，穿过物，有机相，水相等共１５个样品中铬，镍，按照中药微量元素初级和次形态分析的要求，进行分析测定，以此计算出一套形态分析参数和相关数据，为探讨中草约中微量元素的化学形态提供了新的信息。     

五角棱镜补偿法加工工艺研究

由于五角棱镜两B棱的投影夹角对第二光学平行差影响倍率较大且加工过程中无法测量该夹角,从而导致棱镜加工合格率较低。通过分析侧面垂直度误差及Δ45°对五角棱镜光学平行差的影响,提出一种新的五角棱镜加工工艺方法:利用最后一个加工面对前3个已加工面存在的角度误差进行一次性补偿,从而降低了对各加工面的加工误差要求。实践证明:该方法能够有效地提高五角棱镜加工的合格率和生产效率,减小加工难度,并能显著降低对加工和检测设备的精度要求。     

HD Photo的码率控制算法研究

HD Photo是微软公司开发的一种新颖的静止图像压缩算法和文件格式,并已通过JPEG组织提案,代号为JPEG XR,有望成为新的国际图像标准,其压缩性能堪比JPEG2000,计算复杂度却要低得多.然而,在目前公开的支持HD Photo的软件中,尚无一提供精确码率控制的功能.鉴于此,根据HD Photo格式的特性,提出了一种有效的基于二次R-D模型和线性回归预测的码率控制算法.实验证明,该算法能精确地控制图像的压缩大小,并且使图像质量接近于现有的DPK软件.     

The Bipolar Field-Effect Transistor:Ⅶ.The Unipolar Current Mode for Analog-RF Operation(Two-MOS-Gates on Pure-Base)

This paper reports the DC steady-state current-voltage and conductance-voltage characteristics of a Bipolar Field-Effect Transistor(BiFET) under the unipolar(electron) current mode of operation,with bipolar(elec-tron and hole) charge distributions considered.The model BiFET example presented has two MOS-gates on the two surfaces of a thin pure silicon base layer with electron and hole contacts on both edges of the thin base.The hole contacts on both edges of the thin pure base layer are grounded to give zer...     

First principles study of the Be-C co-doped MgB_2 system

We study the Be-C doped MgB2 system by the first principles method based on density functional theory. The compensation effect between electron type doping and hole type doping is shown in the total density of states on the Fermi level, the real part of optical conductivity, and the number of effective carriers. The compensation mechanisms are discussed. The critical temperatures for different systems are calculated.     

The Bipolar Field-Effect Transistor: ⅩⅢ. Physical Realizations of the Transistor and Circuits (One-Two-MOS-Gates on Thin-Thick Pure-Impure Base)

This paper reports the physical realization of the Bipolar Field-Effect Transistor (BiFET) and its one-transistor basic building block circuits. Examples are given for the one and two MOS gates on thin and thick, pure and impure base, with electron and hole contacts, and the corresponding theoretical current-voltage characteristics previously computed by us, without generation-recombination-trapping-tunneling of electrons and holes. These ex-amples include the one-MOS-gate on semi-infinite thick impure base transistor (the bulk transistor) and the impure-thin-base Silicon-on-Insulator (SOI) transistor and the two-MOS-gates on thin base transistors (the FinFET and the Thin Film Transistor TFT). Figures are given with the cross-section views containing the electron and hole concen-tration and current density distributions and trajectories and the corresponding DC current-voltage characteristics.     

双极场引晶体管:VI.CMOS电压倒相电路(双MOS栅纯基)

本文报告了硅互补金属氧化层硅（CMOS）电压倒相电路的直流稳态电压和电流转移特性和功率耗散. 这电路用一只实际的﹑纳米尺度的双极场引晶体管(BiFET)实现. 通过数字求解五个偏微分方程,可获得这些电学特性. 方程是基于这种器件结构：在薄纯硅基层的两表面上各有一个MOS栅,在这薄基的两端都有电子和空穴接触. 内部条件和CMOS边界条件用于三种势（静电势和电子及空穴电化学势）. 用一台装有Windows XP-PRO下的64位FORTRAN语言的双核个人计算机,快速地计算出一系列曲线.     

场引晶体管理论:XI.双极电化电流（薄及厚、纯及不纯基体,单及双MOS栅极）

场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场．自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场引晶体管,因电子电流理论用多余内部和边界条件,不可避免忽略空穴电流．多余条件,诸如电中性和常空穴电化电势,导致仅用电子电流算内部和终端电学特性的错误解．当忽略的空穴电流与电子电流可比,可在亚阈值区和强反型区,错误解有巨大误差．本文描述普适理论,含有电子和空穴沟道和电流．用z轴宽度方向均匀的直角平行六面体（x,y,z）晶体管,薄或厚、纯或杂基体,一或二块MOS栅极,描述两维效应及电势、电子空穴电化电势的正确内部和边界条件．没用多余条件,导出四种常用MOS晶体管,直流电流电压特性完备解析方程：半无限厚不纯基上一块栅极（传统的Bulk MOSFET）,与体硅以氧化物绝缘的不纯硅薄层上一块栅极（SOI）,在沉积到绝缘玻璃的不纯硅薄层上一块栅极（SOI TFT）,和薄纯基上两块栅极（FinFETs）．     

场引晶体管双极理论:Ⅹ.基本物理和理论(所有器件结构)

本文描述半导体场引晶体管器件物理和理论所用的根本原则,它适用电场中有两种载流子的器件.讨论边界条件对器件电流电压特性的重要性.作为例子,计算两种边界条件下的转移直流电压特性:电势边界给出很高、流进内禀晶体管、飘移限制抛物型电流,电化学势边界仿真电子和空穴接触,给出很低、越过势垒注入、扩散限制电流,具有理想、每量级60mV、指数型亚阈值区倾斜.双MOS栅薄纯基硅场引晶体管为典型结构.     

毫米波MIMO系统中稀疏度自适应的压缩感知信道估计

利用毫米波MIMO系统的稀疏特性,信道估计可以转化为稀疏信号重构的问题。解决毫米波MIMO稀疏信道估计问题时,传统的OMP方法需要信号的稀疏度作为先验信息,实际系统难以满足此需要。文中引入StOMP算法,根据信号已知的稀疏先验信息确定阈值,并结合动态的阈值调整,提出一种新的StOMP-D算法,实现了稀疏度自适应的毫米波MIMO信道估计。仿真结果表明,所提的方法与传统的LS方法比较,信道估计性能显著提高,并且与稀疏度已知的OMP方法性能十分接近,在稀疏度未知时有明显的优势。