Cs-He光学碰撞中的非绝热跃迁

激光激发Cs He碰撞复合物,测量了Cs(62P)精细结构布居数分支比,由此证实了发生在光学碰撞中的非绝热跃迁.激光频率从Cs(6P3/2)红翼30cm-1调至蓝翼30cm-1,在6P3/2的近翼,分支比与矢谐量有很大的关系.同时测量了Cs(6PJ)态的精细结构转移截面,截面值σ21=9.8×10-19cm2.     

SU(1,1)相干态场与四能级原子相互作用系统中的场熵演化特性

利用双模SU(1,1)相干态场与四能级原子相互作用系统的态函数导出了场熵的计算公式,研究了初始光场参量和原子与光场间的耦合系数对场熵演化的影响.数值计算表明:随着初始场q和ζ参量的增加,场熵的均值逐渐增加,振荡频率增大,场熵演化的周期性随ζ的增加渐趋明显,但振荡幅度却明显减小.同时,随耦合系数的增大,场熵演化曲线的均值变化不明显,而其振荡频率急剧增大,振荡幅度也有所减小且趋于稳定,场熵敏感于原子与光场耦合系数.     

热氧化制备纳米氧化锌薄膜的光致发光和室温紫外激光发射

利用低压 -金属有机汽相外延 (L P- MOCVD)工艺首先在二氧化硅衬底上生长硫化锌 (Zn S)薄膜 ,然后 ,将硫化锌薄膜在氧气中于不同温度下进行热氧化 ,制备出高质量的纳米氧化锌 (Zn O )薄膜 .X射线衍射 (XRD)结果表明 ,氧化锌具有六角纤锌矿晶体结构 .90 0℃氧化样品的光致发光 (PL )谱中 ,在波长为 3.3e V处观察到一束强紫外光致发光和相当弱的深能级发射 .紫外发光强度与深能级发射强度之比是 80 ,表明纳米 Zn O薄膜的高质量结晶 .在受激发射实验中观察到紫外激光发射 .     

Resonant Reaction in Rb-Cs Vapour Mixture Rb（5P1/2） ＋ Cs（6P3/2） → Cs（8S1/2）＋Rb（5S1/2）

We experimentally study energy-pooling collision in the Rb-Cs vapour mixture at low densities in a cell. Atoms are excited to Rb（5P1/2） and Cs（6P3/2） states using two single-mode diode lasers. To isolate the heteronuclear contribution in the fluorescence spectrum, a double-modulation technique is adopted. The excited-atom density and spatial distribution are mapped by monitoring the absorption of a counterpropagating single-mode diode laser beam, tuned to Rb（5P1/2 → 7S1/2） and Cs（6Pa/2 → 8S1/2） transitions, respectively, which could be translated parallel to the pump beams. The excited atom densities are combined with the measured fluorescence ratios to determine cross section for the energy-pooling process [i.e. Rb（5P1/2） ＋Cs （6P3/2） → Cs（8S1/2）＋Rb （5S1/2）]. The cross section is 3.79 × 10^-14 cm^2 ± 45%.     

用过氧化物氧化2,2,6,6-四甲基六氢吡啶类化合物形成硝酰化物的机制

用金属钠或有机碱金属化物还原有位阻的硝基烷类得到羟胺氧化物的盐类,再经过水解得到稳定的硝酰化物,业已有力地得到证实。使用高锰酸钾、间-氯过苯甲酸以及过氧化氢与磷钨酸或钼酸来氧化有位阻的仲胺也能产生硝酰化物。以过氧化氢加磷钨酸作为氧化剂来合成在生物学上做为自旋-标记研究之用的稳定自由基,已经显示出在制备上的重要性。下面一系列的化学变化就说明了这个反应的可能机制。     

用偏振敏感技术对光纤带光缆进行应力研究

本文介绍有关高密度光纤带光缆应力特性的实验结果，实验用两种技术进行的：偏振模色散法和偏振光时域反射法，它们之间的相关性和从理论上得出的数据表明：在这样的光缆中，双折射部分是决定性的。     

用正电子湮没技术研究纯镍多晶体疲劳过程中的晶体缺陷

对充分退火纯镍多晶体样品分组进行了恒应变幅拉-压疲劳试验和冷轧形变后,测量了正电子湮没参数;并选少数疲劳试样进行了电子显微镜薄膜衍射象观察。用多指数拟合方法从疲劳试样的正电子湮没寿命谱中分解出与正电子在小空位团中湮没相应的成份。这些寿命值在不同疲劳阶段分别平均为209,255和>300ps。其相对强度的变化与小空位团浓度增加然后尺寸增大的趋势相符合。从而,本文根据正电子湮没技术提供了纯镍多晶体疲劳过程中除大量位错外空位聚集的实验证据。利用简单三态正电子捕获模型估算了上述缺陷浓度。本工作还提供了用多指数拟合方法分解复杂寿命谱和用于简单三态捕获模型的例证。 关键词：     

硅光电子开关的应用

测得高功率激光系统内锁模脉冲信号比、普克尔盒电光开关能量隔离比,并同时监视预脉冲的位置和大小.显示出测量方法的简便、可靠和灵敏度高.