二-(2-乙基己基)磷酸从盐酸介质中萃取铀(Ⅳ)的动力学研究

采用上升单液滴法研完了二-(2-乙基己基)磷酸-环己烷从盐酸介质中萃取铀(Ⅳ)的动力学。测定了不同萃取条件对萃取速率的影响,提出了速率方程,并对萃取反应机理进行了讨论。     

太赫兹超导动态电感探测器性能表征用零差混频系统研制

零差混频系统（Homodyne mixing system）对太赫兹超导动态电感探测器（Kinetic inductance detectors, KIDs）性能表征具有重要的作用。然而,零差混频系统仍存在混频器不平衡性、测量系统集成、干扰信号等问题。作者设计新型的单通道零差混频硬件系统,结合软件算法实现了测量系统的集成化、IQ混频器不平衡性校准、KID的性能表征;同时实现了在VNA（vector network analyzer）CW模式下的KIDs噪声测量;以及基于自相关算法的双通道零差混频硬件电路设计,有效的抑制了干扰信号。值得注意的是,这些研究成果被应用于表征KIDs 性能,对KIDs阵列设计起到了重要的作用。     

MP4播放器简介

介绍了MP4播放器的市场发展情况,对4种具体机型进行了比较,分析了MP4播放器目前所存在的问题.     

腊块密度的测定

本文介绍了比重比水轻的固体腊块的密度测定方法。     

国有大型企业质量体系的特点及审核要点

本文针对国有大型企业的特点提出审核其质量体系时必须注意的一些要点.     

φ250mm孔径脉冲激光束强度包络测量

一台激光远场CCD诊断装置,实验测得装置包含光能70％的远场焦点尺寸约为2．5倍衍射极限。在高功率脉冲激光系统激光输出1ns、200J／束下,测得远场发散角不大于14倍衍射极限,光束漂移量小于8s。     

金(Ⅰ)-膦桥配合物光催化苄氯偶联反应的机理

寻求对有机变换反应具有催化作用的新型催化剂,一直是人们研究的热点.利用配合物作为有机合成的光催化剂,[Ru(bipy)3]2+(bipy=2,2'-联吡啶)是被深入研究的例子之一.d10(次外层电子)金属配合物光谱学和光化学的研究已受到日益广泛的重视[1,2],作为有机变换反应的光催化剂,Kern等[3]曾报道铜(Ⅰ)的亚胺配合物.我们已发现,金(Ⅰ)和铜(Ⅰ)的膦桥双核配合物[Au2(μ-dppm)2]2+,[Cu2(μ-dppm)2(CH3CN)4]2+和[Au2(μ-dmpm)3]2+(dppm=双二苯基膦甲烷,即Ph2PCH2PPh2;dmpm=双二甲基膦甲烷,即Me2PCH2PMe2)对苄氯的碳-碳偶联反应[4]     

光致发光主客体配合物[Au2(μ-PNP)3](ClO4)2的谱学研究

光致发光配合物[Au~2(μ-PNP)~3](ClO~4)~2(PNP=2,6-双二苯基膦吡啶)具有一个空腔,作为一个主体配合物,当客体分子尺寸和性质特点匹配时,主客体分子相互作用,主体配合物光致发光性能和谱学性质发生变化。利用电子吸收光谱、^3^1P核磁共振波谱、发射光谱等方法,对不同客体分子存在下,配合物光物理性质改变情况作了深入的讨论。     

新杂环化合物6,20—二硫杂—13,27—二氯杂三环[23,3,0,0^11,15]—3,8,17,22—四

近年来,科学家先后从细菌分泌物中分离出几种含有环状"烯-二炔”的Calicheamicinγ1I[1～4]Esperamicin A1[5～7],Dynemicin A1[8]Neocarzinostatin 发色团[9～11],Kedarcidin发色团[12～13]等新型抗癌抗菌素,我们已做过评述[14].它们的"1,5-二炔-3-烯”部分经生物还原生成1,4-脱氢苯双自由基,从癌细胞DNA糖磷酯骨架上夺取氢原子,引起癌细胞DNA氧化断裂,杀灭癌细胞,因而有广泛的应用前景. 标题化合物是"烯-二炔”前体,以3,4-二(4′-甲磺酰氧-2′-丁炔基)四氢呋喃(1)为原料,在硫化钠作用下关环,得到了新杂环化合物(2).通过元素分析,红外光谱,质谱进行了分析,又进一步进行了1H NMR和13C NMR谱测定,并对其谱线进行归属,确证了结构.     

场引晶体管理论:Ⅺ.双极电化电流(薄及厚、纯及不纯基体,单及双MOS栅极)

场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场.自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场引晶体管,因电子电流理论用多余内部和边界条件,不可避免忽略空穴电流.多余条件,诸如电中性和常空穴电化电势,导致仅用电子电流算内部和终端电学特性的错误解.当忽略的空穴电流与电子电流可比,可在亚阈值区和强反型区,错误解有巨大误差.本文描述普适理论,含有电子和空穴沟道和电流.用z轴宽度方向均匀的直角平行六面体(x,Y,z)晶体管,薄或厚、纯或杂基体,一或二块MOS栅极,描述两维效应及电势、电子空穴电化电势的正确内部和边界条件.没用多余条件,导出四种常用MOS晶体管,直流电流电压特性完备解析方程:半无限厚不纯基上一块栅极(传统的Bulk MOSFET),与体硅以氧化物绝缘的不纯硅薄层上一块栅极(SOI),在沉积到绝缘玻璃的不纯硅薄层上一块栅极(SOI TFT),和薄纯基上两块栅极(FinFETs).