Mg,Sn共掺对ZnO薄膜光电性能的影响

采用溶胶-凝胶旋涂法在石英衬底上制备了不同Mg,Sn掺杂比例的ZnO薄膜,研究了不同Mg,Sn比例对ZnO薄膜微观结构、表面形貌和光电性能的影响及其内在机制.结果表明:Mg,Sn掺杂后薄膜仍保持六方纤锌矿结构并沿(002)方向择优生长,掺入2;的Mg后,晶粒有所长大,保持2; Mg不变,随着Sn的掺入,薄膜晶粒减小,但薄膜的致密度、表面平整度以及薄膜晶粒均匀性却有明显的改善;适量Mg,Sn掺杂,一方面,因Mg,Zn离子的金属性差异和Sn4+替位Zn2+晶格位置提供两个自由电子使薄膜载流子浓度增加产生Burstein-Moss效应,另一方面,因晶粒尺寸变小产生量子限域效应,薄膜禁带宽度增大,同时可见光透过率也有着明显提高;Mg,Sn共掺杂使薄膜结晶变好,载流子迁移率增大,同时载流子浓度上升,ZnO薄膜电阻率呈现较大幅度的下降.     

固相萃取净化及超高效液相色谱-串联质谱法测定橡胶制品中的13种N-亚硝胺

建立了固相萃取(SPE)净化、超高效液相色谱-串联质谱(UHPLC-MS/MS)测定橡胶制品中13种N-亚硝胺的方法。样品于密闭萃取瓶中于60 ℃下用甲醇超声萃取30 min,C₁₈固相萃取小柱对萃取液进行净化,经C₁₈色谱柱分离,最后用电喷雾正离子(ESI⁺)和多重反应监测模式(MRM)对13种N-亚硝胺进行定性、定量测定。实验中对样品前处理、色谱分离条件和质谱检测条件进行了优化。在优化的实验条件下,橡胶样品中添加N-亚硝基二甲胺(NDMA)与N-亚硝基-二乙基胺(NDEA)为500 μg/kg、其他组分均为50 μg/kg时,各组分的相对标准偏差(RSD,n=7)小于10%;在实际样品中的加标回收率为70.7%~117.0%;方法的检出限(LOD,以10倍标准偏差计)为0.5~500 μg/kg。方法可应用于橡胶制品中13种N-亚硝胺的测定。     

电化学认识模型及其在高三原电池复习教学中的应用

综述了关于高中原电池教与学的已有研究,分析了电化学知识要求和学生电化学认识特点,从电化学的本体维度、认识维度和问题维度,构建并提出了高中电化学认识模型,并在高三原电池复习教学中进行了应用,针对分析型任务和设计型任务进行对比性教学实验。通过对学生电化学认识发展的前后测及其对比统计分析,并结合学生访谈对教学效果进行了检验,在此基础之上进一步分析和概括了基于电化学认识模型建构的原电池复习教学有效策略。     

脂质纳米颗粒的制备及在基因治疗中的应用

基因治疗已经成为人类治疗疾病的一种重要手段.然而,为了将基因药物用于临床,需要更加复杂的递送系统.脂质纳米颗粒(LNPs)系统是目前领先的非病毒递送系统,在治疗诊断学方面取得了许多令人鼓舞的进展,其具有实现基因药物临床治疗应用的潜力.由于LNPs纳米尺寸的优势及类脂化合物的生物相容性和生物降解性,LNPs能够克服阻碍基...     

牵引传动系统仿真数据压缩设计与实现

地铁机车牵引传动系统仿真模型复杂、仿真时间长、仿真精度高,与其相关的数据量非常大。若要实现对地铁机车的牵引传动系统的仿真分析,同时存储仿真分析结果,就必须删除系统仿真产生的冗余数据。结合南京地铁西延线地铁机车牵引传动系统仿真软件——TSim产生海量数据的问题,该文提出了一种有针对性的自适应在线压缩算法。该压缩算法根据牵引传动系统仿真产生的数据结构的不同,对仿真数据做了特殊处理并设计了相应的子压缩算法。实验结果表明：该压缩算法能够在保证失真度最小的前提下,在最大程度上减少了仿真数据量,节省了存储的时间与空间,加快了后续处理速度,提高了牵引传动系统仿真的效率。     

基于线性判别局部保留映射的人脸表情识别

随着人机交互技术的发展,情感计算成为一个研究热点.局部保留映射(LPP)是一种最优的保持数据集局部结构的一种线性映射,它的特点是保留了样本的局部结构,但是它没有考虑判别信息,从而容易引起类间距离小的类别之间的重叠.本文提出了基于线性判别的局部保留映射(DLPP)算法并将其应用到表情识别问题中.与LPP相比,DLPP的改进之处在于将判别分析的思想引入LPP.同时考虑样本间的相邻关系和模式类之间的相邻关系,从而得到能正确分类的最优投影方向.在Yale人脸库和JAFFE表情库中的一系列表情识别实验结果表明,DLPP对于人脸表情识别更为有效.     

现代谱估计法中几种不同模型参数估计法的比较

为了克服经典的功率谱估计方法存在的方差大、分辨率低的缺点,产生了现代谱估计法。首先介绍了现代谱估计法中的几种模型参数估计法,通过仿真比较了其性能,并对模型阶次的选择作了分析,对实际的工程应用有一定的参考价值。     

In基复合半导体氧化物Cl2敏感特性的研究

Aiming at detecting Cl2 gas, this study was made on how to make In-based compound semiconductor oxide gas sensor. The micro-property and sensitivity of In-based gas sensing material were analyzed and its gas sensitive mechanism was also discussed. Adopting constant temperature chemical coprecipitation, the compound oxides such as In-Nb, In-Cd and In-Mg were synthesized, respectively. The products were sintered at 600 ℃ and characterized by the Scanning Electron Microscope （SEM）, showing the grain size almost about 50-60 nm. The test results show that the sensitivities of In-Nb, In-Cd and In-Mg materials under the concentration of 50 × 10^-6 in Cl2 gas are above 100 times, 4 times and 10 times, respectively. The response time of In-Nb, In-Cd and In-Mg materials is about 30, 60 and 30 s, and the recovery time less than 2, 10 and 2 min, respectively. Among them, the In-Nb material was found to have a relatively high conductivity and ideal sensitivity to Cl2 gas, which showed rather good selectivity and stability, and could detect the minimum concentration of 0.5 × 10^-6 with the sensitivity of 2.2, and the upper limit concentration of 500 × 10^-6. The power loss of the device is around 220 mW under the heating voltage of 3 V.     

The Bipolar Field-Effect Transistor: VII. The Unipolar Current Mode for Analog-RF Operation (Two-MOS-Gates on Pure-Base)

This paper reports the DC steady-state current-voltage and conductance-voltage characteristics of a Bipolar Field-Effect Transistor （BiFET） under the unipolar （electron） current mode of operation, with bipolar （electron and hole） charge distributions considered. The model BiFET example presented has two MOS-gates on the two surfaces of a thin pure silicon base layer with electron and hole contacts on both edges of the thin base. The hole contacts on both edges of the thin pure base layer are grounded to give zero hole current. This 1-transistor analog-RF Basic Building Block nMOS amplifier circuit, operated in the unipolar current mode, complements the 1-transistor digital Basic Build Block CMOS voltage inverter circuit, operated in the bipolar-current mode just presented by us.     

单边Lipschitz离散非线性系统的降阶观测器设计

本文对一类非线性系统的降阶观测器的设计问题进行研究, 基于单边Lipschitz条件和二次内积有界条件, 证明全阶观测器渐近稳定的充分条件也适用于降阶观测器, 即当满足全阶观测器的条件时, 降阶观测器也是渐近稳定的. 最后给出一个数值算例, 说明了所提结果的有效性.