激光二极管端面抽运Nd∶YAG的端面形变

研究了端面抽运Nd∶YAG晶体的抽运面形变场分布,采用一种新的测量端面形变场分布的实验方法———光束扫描法。让参考光沿晶体的端面小步距扫描,比较有无抽运光时各扫描点在探测面上光点位置的移动情况,通过几何分析与数值计算,可逐段得到端面的形变场分布。通过与理论上在理想模型下所求解的结果比较,发现实验值与理论值基本一致,晶体的端面形变场最大峰值处的抽运光在端面的聚焦位置处。另外发现端面的形变场分布的对称性受抽运光对称性影响,且曲线不光滑。该方法解决了端面抽运Nd∶YAG晶体的抽运面形变场分布难以测量的问题,且易于实现和操作。     

高重复频率二极管泵激光器窄脉宽调Q技术

文中介绍了二极管泵浦激光器谐振腔中的声光调Q技术,计算了超声波渡越时间及其对输出光脉冲的影响。在此基础上,设计的调Q二极管泵激光器在15W泵浦下,获得了脉宽7ns,峰值功率34kW,重复频率10kHz的脉冲输出。     

光纤束耦合LD输出光束的空间耦合技术研究

基于多模大芯径光纤的端面出射光场可视为高斯分布,光纤束耦合LD各纤芯出射的光束互不相干;对光纤束耦合LD输出光束通过空间耦合光学系统后的光强分布进行了数值模拟和实验研究,模拟计算结果和实验结果的规律基本吻合。结果表明,用单个薄凸透镜组成耦合系统时,耦合后的光束在焦平面上中心光强最大,光斑尺寸最小;随着薄透镜焦距的增大,焦平面上的光斑尺寸呈线性增大,而中心光强急剧减小。     

关于Nd∶YAG晶体R2 →Y3跃迁有效受激发射截面的讨论

文中对W. Koechner 先生所著的《Solid - State Laser Engineering》一书中关于Nd∶YAG晶体R2 →Y3 跃迁有效受激发射截面的描述进行讨论。     

一种改进型的Y 环双频带通FSS

针对传统的Y环分形双频FSS容易出现栅瓣的缺点,设计了一种改进型的Y环双频带通FSS。仿真分析了该FSS对不同入射角度以及不同极化方式入射波的频率响应特性;考虑到该结构具有若干几何参数,仿真并分析了各几何参数对FSS频率响应特性的影响。仿真结果表明该结构可实现Ku波段Ka波段双频工作,可有效消除栅瓣,并且具有较好的稳定性。在航空航天领域以及多频段卫星通讯领域有很大的工程实用价值。     

CCD探测器的饱和阈值的光谱特性研究

本文论述了用激光照射CCD探测器时的饱和特性 ,并通过实验测出了四种不同波长的激光对CCD的饱和阈值。结果表明 :光电探测器的饱和阈值与其光谱响应度和入射光波长有关。最后 ,对所得结果进行了讨论     

电热水器能耗数值计算及保温性能优化分析

电热水器中的能量传递过程主要包括电加热丝对内胆中水的加热过程,内胆中水的自然对流过程以及通过保温层的散热过程.本文采用多尺度数值模拟方法:用LBM确定保温材料导热系数作为基于连续介质的Fluent的输入数据,对发生在电热水器中的流动和耦合传热过程进行了数值模拟,并采用UDF来控制电加热丝的动态间歇加热工作过程,建立了模拟电热水器24 h固有能耗系数测试过程的数值模拟方法.采用该方法模拟得到的能耗系数与实验值符合良好,证明了该模型的准确性。同时模拟获得了电热水器中水在加热和散热阶段的流动特性、温度分布,以及各个区域的散热占比和热流密度。提出了优化电热水器保温隔热性能的判据,为电热水器保温结构的优化提供了依据.     

全固体腔内倍频Nd:YAG/SrWO4/KTP拉曼激光器

报道了以KTP晶体作为倍频介质,以Nd:YAG晶体作为激活介质,以SrWO4晶体作为拉曼介质的折叠腔型主动调Q腔内倍频拉曼激光器的输出特性,给出了输出黄光平均功率、脉冲能最、脉冲宽度随激光二极管(LD)抽运功率及脉冲重复率的变化关系.在输入抽运功率为12.6 W,脉冲重复率为20 kHz时,获得了1.4 W的590 nm激光输出,从LD到黄光的转换效率为11.1%.在输入抽运功率为12.6 W,脉冲重复率为10 kHz时,单脉冲能量为122 μJ,脉冲宽度为4.0 ns.相应的脉冲峰值功率为30.5 kW.     

基于WTK的分布式虚拟环境网络通信机制研究

分布式虚拟环境(Distributed Virtual Environments,DVEs),其网络通信模块的开发,技术复杂,工作量大。WTK支持分布式虚拟环境,可实现高效系统开发。介绍WTK的网络体系结构,重点分析了分布式虚拟环境的网络结构、通信模型,深入研究了状态更新消息传递机制。在此基础上,给出了一个基于WTK实现分布式虚拟环境的设计方案,并介绍应用程序仿真循环。     

MTM反熔丝单元的总剂量效应研究

对单个MTM(Metal-to-Metal)反熔丝单元的总剂量辐照效应进行了研究,模拟可编程器件实际应用环境,通过对不同尺寸、不同状态的MTM反熔丝单元在不同的偏置情况下进行总剂量辐照(总剂量达2 Mrad(Si)),得到MTM反熔丝单元关键参数随总剂量的变化情况。通过实验及数据分析,最终得到结论:MTM反熔丝单元不会因总剂量辐照而发生状态翻转。