n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合

采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱测试表明,键合工艺对材料质量影响不大.室温下界面的电流-电压特性表明,键合得到的n-GaAs/p-GaN异质结为肖特基二极管并且理想因子为1.08.n-GaAs和p-GaN材料直接键合的成功对于集成GaAs和GaN材料制备光电集成器件有重要意义.     

引上法单晶棒生长的直径自动控制

本文提出了硅单晶棒生长直径自动控制的一种新方法。关于等径控制已经有了几种光学方法,例如对晶体和金属材料的固液界面使用了高温辐射计或工业电视的方法。本文提出的方法,在不用任何光学设备的条件下,分别测定生长中的晶体棒的重量W,长度L,同时控制△W/△L恒定不变。因为这个比值与单晶棒的截面积成正比,所以也就能达到单晶棒的等径生长。本方法中还应用了一种新的控温系统。由一个热转换器感受加热器的功率,并使其自动恒定。如果电源功率波动,则热转换器     

GaN外延材料中持续光电导的光淬灭

研究了非故意掺杂和掺Si的n型GaN外延材料持续光电导的光淬灭.实验发现,非故意掺杂GaN的持续光电导淬灭程度远大于掺Si的n型GaN;撤去淬灭光后前者的持续光电导几乎没有变化,后者却明显减小;稍后再次加淬灭光,前者的持续光电导仍无变化,而后者却明显增加.作者认为两者持续光电导的形成都与空穴陷阱有关,用空穴陷阱模型解释了非故意掺杂GaN持续光电导的形成以及淬灭过程;掺Si的n型GaN的持续光电导是电子陷阱(杂质能级)和空穴陷阱共同作用的结果,并且在持续光电导发生的不同阶段其中一种陷阱的作用占主要地位.     

一种新型VLSI电路外部电光探测器

采用极化聚合物电光材料,设计制作出一种结构新颖的亚微米VLSI电路正面入射式外部电光探测器.通过在探测器中引入参考电极,实现了电压的标定测量;利用1 μm线宽指状电极的电场分布,验证了触立式极化聚合物电光探测器对电场具有较高的空间分辨率.实验证明,该新型外部电光探测器的空间分辨率可达0.5 μm,完全满足亚微米电路无损...     

0.1微米电子束曝光机成像系统的计算

系统介绍了０．１微米电子束曝光机系统的计算工作,并对每步都给出了程序实现的流程图,最终构成了总的程序计算框图。该程序具有一定的通用性,能对任何３级成像系统进行计算,最后对计算结果进行了定性的分析。     

农村有线电视双向网改造方式 EPON模式的初步分析

本文分析了EPON模式下农村有线电视双向网改造方式,选取了2个农村有线电视网络改造样本,以马鞍寺桥村双向网改造作为用EPON+EoC技术进行网改的代表,以柯岩河塔村作为用EPON+LAN技术进行网改的代表,对上述两个工程样本的技术、成本等方面进行网络质量测试和评估分析,并得出初步结论.     

TD-SCDMA HSDPA/R4业务同频互干扰的研究

HSDPA作为TD-SCDMA的增强型无线技术,为TD-SCDMA获取更高数据传输速率和更高容量提供了一条平稳演进的途径。文章在对TD-SCDMA HSDPA技术及HSDPA/R4组网方式分析的基础上,测试了某地TD-SCDMA网络中的HSDPA/R4业务同频互干扰,并对其进行了分析和研究,对TD-SCDMA网络的实际部署具有参考意义。     

高密度光学信息存储的最新进展

本文介绍了高密度信息存储的最新进展,阐述在光折变材料上全息存储的多波长,多角度、多相位记录和读取方法,噪声的改善和全息图的寿命;双光子吸收在聚集光束扫描存储技术中的应用;近场光学记录方法,光纤探针的研制以及孔径－介质间距控制。最后讨论了光存储材料的发展。     

地面集群通信网延伸进入地铁解决方案探讨

文章根据我国地铁的建设情况引出地铁内及地面联动通信、统一指挥调度需求：进而提出地面集群网络延伸进入地铁覆盖的建设方案;重点论述系统部分和覆盖部分的各种建设方案,对比各方案的优缺点。     

波长间隔可调谐多波长光纤光学参量振荡器

提出并实现了一种以高非线性色散位移光纤为增益介质,以光栅对形成谐振腔,简单线形结构的连续光抽运的波长间隔可调谐多波长光纤光学参量振荡器(MW-FOPO)。采用波长可调谐的窄线宽激光器作为抽运种子光源,以伪随机相位调制抽运光来抑制高非线性光纤中的受激布里渊(SBS)散射效应,结合高功率掺铒光纤放大器构成光纤光学参量振荡器的大功率抽运,通过四波混频(FWM)效应获得了室温下稳定的多波长激光输出。MW-FOPO的波长间隔可以通过调节抽运波长进行调谐。在1505~1615 nm光谱范围内,获得了17条消光比大于10 dB的多波长谱线。实验证明了MW-FOPO实现多波长激光光源的优异特性。