一种Boost型PFC电路控制芯片的设计

设计了一种Boost型功率因数校正(Power Factor Correction,PFC)电路的控制芯片.PFC控制策略采用以前研究工作中提出的一种全新方式,适用于CMOS工艺来制备专用控制芯片.通过对这种新控制方式的分析,首先划分出了实现芯片控制电路所需的功能模块,再对各个模块进行了具体的电路设计.模拟结果证实了整体电路能够实现设计要求.     

用全固体差分激光雷达系统测量污染物质

符合工业标准的激光雷达系统发掘出越来越多的工业应用。     

障碍物环境下电波传播的分区计算方法

为研究存在障碍物环境下的电波传播问题,提出利用区域分解原理求解抛物线方程(parabolic equation,PE)的方法.该方法首先建立电波传播的PE数学模型,对障碍物所在区域进行区域分解,对不同区域的场值进行分区计算,即分别使用离散混合傅里叶变换(discrete mixed Fourier transform,...     

一种改进交叉耦合晶体振荡器

设计了一种改进的差分输出晶体振荡器,该振荡器在一般交叉耦合鳍栖的基础上,通过加入RC高通滤波器来改良电路的相位噪声,分析了该RC滤波器对电路的影响并给出了优化方法．基于0．25μm标准CMOS工艺模型的仿真结果表明,该滤波器可有效滤除经过上变频会成为载波附近相位噪声的低频噪声（特别是1／f噪声）,采用普通4MHz晶体谐振器,该振荡器相位噪声可以达到-130．1dBc@100Hz．     

波导阵列与光纤阵列的遗传算法自动对接

设计了一种新的阵列对接方法,即将遗传算法导入光纤、光波导分支耦合器、光纤阵列的自动对接。数值仿真结果表明,常规的八通道波导分支耦合器的对接耦合能实现各通道小于9.1dB的插入损耗,最大值与最小值之差小于0.1dB,即自动对接方案具有良好的性能。     

Electronic State of Bismuth in BaBiO3 up to 9 GPa Investigated by Optical Spectroscopy ＊

Effects of hydrostatic pressure on the mixed-valence (MV) bismuth complex BaBiO3 have been investigated up to ～9 GPa by means of high-pressure Raman scattering and absorption spectra at 300 K. The pressure-induced hardeuing behaviour of the Bi-O stretching mode suggests that the predicted pressure-induced MV to the single-valence (SV) phase change cannot occur. Investigation of absorption spectra with pressure shows the enhanced optical gat Egap, which further indicates the remained MV state of Bi ions.     

As_2S_8 planar waveguide:refractive index changes following an annealing and irradiation and annealing cycle,and light propagation features

The refractive index of as-evaporated amorphous semiconductor As₂S₈ film upon an annealing and saturation irradiation and annealing cycle is reversible.Upon successive treatment with annealing and non-saturation irradiation and further annealing,the refractive index of the as-evaporated amorphous semiconductor As₂S₈ film reaches a maximum value and then its reversibility occurs upon annealing.The annealing of the amorphous semiconductor As₂S₈ films results in the stabilization of the structure through changes of the S-S bonds in the nearest environment,accompanied by a decrease of film thickness.The As₂S₈ planar waveguide after annealing（130℃） and saturation irradiation and annealing（130℃） shows a good propagation characteristic with ca.0.27 dB/cm low propagation loss of the 632.8 nm guided mode.     

光面爆破装药不偶合系数的计算

本文以爆轰气体动力学及岩石断裂理论为基础,给出了不偶合装药时的不偶合系数的计算方法;并分析了不偶合作用在光面爆破参数设计中的作用,通过计算值与实际试验取值对比,证明该计算方法是可靠的。     

采访KEF销售经理

10月29日,四川国际电视节,国际影音展期间,笔者在展览会现场采访了英国KEF公司销售部经理安迪·培尔金斯先生,以下是采访的主要内容。 问:能否为我们的读者简单地介绍一下贵公司的历史? 答:非常高兴。KEF公司是1961年在英国肯特郡麦德斯通(Maidstone)创建的。那里原来有一家工场,叫“肯特工程与铸造加工场”(Kent Engineering ＆Foundry),我们公司的创始人雷蒙德·库克决定沿用它的名字,取其缩写,便将公司命名为KEF。三十几年过去了,公司取得了很大的发展,例如我们曾在喇叭单体振膜的选用上有过成功的突破;我们7O年代初在4位微处理器的电脑上就开始了总体系统的设计;我们