太赫兹双芯反谐振光纤的设计及其耦合特性

设计了一种新型的太赫兹双芯反谐振光纤,利用有限元分析法对光纤的损耗特性、双芯之间的耦合特性等进行了理论分析.结果表明,单芯反谐振光纤在一定范围内改变内包层管的排列分布,其传输特性并不会受到明显的影响,据此可以改变双芯光纤的内包层管的排列分布,从而利用模式泄漏耦合机制在太赫兹波段实现双芯反谐振光纤的定向耦合.本文通过改变纤芯距离和纤芯间的间隙大小,在2.5 THz的传输频率下实现了耦合长度为0.72 m的定向耦合,这种太赫兹双芯反谐振光纤将在太赫兹光开关、调制器和耦合器等太赫兹光学器件中具有重要的应用价值.     

基于稀土掺杂石英光纤的单频光纤激光器

系统研究了利用稀土掺杂的石英光纤作为激光增益介质来实现分布布拉格反射式单频光纤激光器。实验中,分别将掺有Nd3+、Yb3+、Er3+/Yb3+和Tm3+的商用石英光纤,熔接到激光谐振腔中,实现了基于石英玻璃光纤的光纤激光系统在多波段的单纵模运转。对各光纤激光器的单频特性进行了研究,其中,激光器线宽可达几十千赫（特别是对于Er3+/Yb3+共掺光纤激光器,其线宽窄于7 kHz）,激光系统的强度噪声接近于散粒噪声极限,实验中获得了激光波长由930 nm到2m的单频光纤激光器。实验结果证明:商用的稀土掺杂石英光纤能够作为有效的增益介质来实现短腔型单频光纤激光器。同时,通过进一步的系统集成,基于稀土掺杂石英光纤的单频光纤激光器将得到更加广泛的应用。     

间接顶空固相微萃取-气相色谱-质谱法对红花香雪兰天然花香成分的分析

建立了间接顶空固相微萃取-气相色谱-质谱对红花香雪兰天然花香成分的分析方法。首先利用气体采样装置对花香成分进行固相富集,富集后的花香成分在浸提液中解析,之后利用顶空固相微萃取方法对浸提液中的花香成分进行分析。红花香雪兰花香中主要成分(沉香醇、松油醇、紫罗兰酮和二氢紫罗兰酮)定量分析优化实验条件：Florisil(弗罗里硅土)作为吸附剂,水-甲醇混合液(9∶1, V/V)和0.6 mol/L HCl作为浸提液,萃取温度70℃,平衡时间为25 min。实验结果表明,沉香醇和松油醇在1~100μg/mL范围内有良好的线性关系(R2≥0.981),检出限分别为0.05和0.10μg;二氢紫罗兰酮和紫罗兰酮在0.5~50μg/mL范围内有良好的线性关系(R2≥0.988),检出限为0.02μg。     

1.63kW单纤单振单模连续全光纤激光器

报道了一种单纤单振单模连续全光纤激光器,工作波长为1 080nm,输出功率可达1.63kW。激光器使用7个输出功率为300 W、工作波长为976nm的半导体激光器(LDs)充当泵浦源,并利用短腔长结构成功地抑制了受激拉曼散射(SRS)。测试结果显示,所获得激光的光谱信噪比(SNR)大于40dB,1h内的功率不稳定度小于1%,光-光转换效率约为75.46%。此外,通过对光纤盘绕的合理设计,有效地抑制了光纤中的高阶模式,在满功率输出时成功地获得了单模激光(M2<1.1)。     

侧链含苯甲酰基的芳醚型苯并噁嗪树脂的合成、热稳定性和机械性能研究

报道一种新型的侧链含苯甲酰基的芳香醚型苯并噁嗪单体L-1.这种单体熔点低(125℃)、易溶于普通的有机溶剂.该单体在加热时发生开环聚合,聚合物表现出较高的热稳定性,在氮气中5%的重量损失温度达380℃,在800℃下的残炭率为66%.聚合物也表现出较好的力学性能,用其粘合的两片铝板的层间剪切强度可达6.5 MPa.相反,不含苯甲酰基的芳香醚型苯并噁嗪L-2,其聚合物在氮气中5%热重损失温度、800℃下残炭率和剪切强度分别为322℃,43%和4.7 MPa.可见,芳香醚型苯并噁嗪分子结构中引入大体积的苯甲酰基,可显著地提高树脂的性能.这种新型苯并噁嗪树脂,可望用作纤维增强复合材料基体树脂和金属粘合剂等.     

大气压氦气介质阻挡放电单-多柱演化动力学

介质阻挡放电被众多工业领域用作低温等离子体源,柱状放电是介质阻挡放电的重要形式之一,但其放电理论尚未掌握.进行大气压氦气介质阻挡放电实验,通过降低外施电压低于起始放电电压实现了柱状放电从单柱到多柱的斑图演化,拍摄了电极底面放电图像,测量了外施电压、放电电流、放电转移电荷、放电柱的柱直径和柱间距,计算了放电柱受其他所有柱施加的库仑力与磁场力.结果表明:外施电压变化瞬间电极底面放电图像呈现出动态演化过程.不同层放电柱的柱直径由中心向外层依次增大.计算发现演化稳定后放电柱所受库仑力远大于磁场力,推理存在一约束势平衡库仑力使放电柱稳定分布.不同电压、位置的放电柱所受库仑力不同:不同层的放电柱所受库仑力由最外层至中心柱依次减小,中心柱受力为0,最外层放电柱的约束势应最大而中心放电柱的约束势应该最小;外施电压降低,介质表面电荷和放电柱总数的共同作用导致库仑力增大,约束势也应有所增大,即约束势受介质表面电荷、放电柱总数与位置的共同影响.