Polarization Induced High A1 Composition A1GaN p-n Junction Grown on Silicon Substrates

Wide bandgap Alx Ga1-x N （x = 0.7-1） p-n junction is realized on a silicon substrate through polarization induced doping. Polarization induced positive charge field is produced by linearly grading from A1N to Al0.7Ga0.3N, and negative charge field is generated by an inverted grading from A10.7Ga0.3N to A1N. The polarization charge field induced hole density is on the order of 10^18 cm^-3 in the graded AIxGaI-xN：Be （x = 0.7-1） p-n junction. Polarization doping provides a feasible way to mass produce lll-nitride devices on silicon substrates.     

往复式划膜仪控制系统的设计

对国内外划膜仪进行研究,针对其存在的局限性,设计了往复式划膜仪控制系统;单片机控制高精度步进电机和滚珠丝杠,使划膜笔支架在X轴方向做往复直线运动,同时通过RS-232通讯与两台高精度工业注射泵协调,抽取试剂,在NC膜上均匀平稳地划膜;划膜浓度、速度和长度由按键输入并显示在LCD屏上;控制系统解决了划膜不均匀、划痕较重等问题,划膜笔间的距离在Y轴可调,能匹配生产需要,适用于速测试纸条的研发及生产。     

磁场辅助热处理金属化碳纳米管场发射性能

利用化学镀方法对多壁碳纳米管(multi-walled carbon nanotubes,MWNTs)表面金属化镀镍(MWNTs/Ni),采用丝网印刷制备MWNTs/Ni场发射阴极,并在磁场辅助下热处理所得阴极,研究磁场辅助热处理对MWNTs/Ni阴极的场发射性能的影响,经300mT磁场辅助热处理的MWNTs/Ni的场发射阴极开启场强约为0.80V·μm~(-1),场增强因子β约为16068,对单根MWNTs/Ni在磁场中的受力情况进行建模分析,实验结果表明:磁场辅助热处理有助于提高MWNTs/Ni在阴极表面的直立分布,提高了MWNTs/Ni的场发射性能。     

含临界指数的p(x)-Laplace方程解的存在性

研究了一含临界指数的p(x)-Laplace方程的Dirichlet边值问题,运用推广的集中紧致性原理,并结合山路引理得到了该问题非平凡弱解的存在性结果.     

Effects of N doping on photoelectric properties of along different directions of ZnO bulk and nanotube

The electronic structures and optical properties of N-doped Zn O bulks and nanotubes are investigated using the firstprinciples density functional method. The calculated results show that the main optical parameters of Zn O bulks are isotropic（especially in the high frequency region）, while Zn O nanotubes exhibit anisotropic optical properties. N doping results show that Zn O bulks and nanotubes present more obvious anisotropies in the low-frequency region. Thereinto, the optical parameters of N-doped Zn O bulks along the [100] direction are greater than those along the [001] direction, while for N-doped nanotubes, the variable quantities of optical parameters along the [100] direction are less than those along the[001] direction. In addition, refractive indexes, electrical conductivities, dielectric constants, and absorption coefficients of Zn O bulks and nanotubes each contain an obvious spectral band in the deep ultraviolet（UV）（100 nm～ 300 nm）. For each of N-doped Zn O bulks and nanotubes, a spectral peak appears in the UV and visible light region, showing that N doping can broaden the application scope of the optical properties of Zn O.     

基于平均交互信息量的DNA序列相似性分析

序列相似性分析是生物信息学中一个重要问题,对于研究物种的进化起源有着重要的意义。序列相似性算法包括基于序列比对的方法及非比对方法两种。基于比对的方法对于序列整体的衡量略有欠缺;非比对算法中有DNA曲线化方法以及比较序列各自整体碱基分布间的信息量差异的方法,只是考虑了序列整体信息间的差异,但未考虑序列各个位点间的差异。因此,提出了一种基于信息熵的相似性度量模型,把序列比对与信息量差异结合起来,将两条比对后的序列间的平均交互信息量与其联合熵之比作为两条序列的相似性度量。使用该度量构建了11个物种的相似性矩阵,对各物种间的相似性进行了分析,结果在一定程度上与生物分类学相契合。通过距离矩阵所构建的进化树,也反映了各物种间的进化关系,表明该模型的设计具有合理性。     

MoO3对有机太阳能电池性能影响的研究

采用MoO3作为阳极缓冲层,制备了结构为ITO/MoO3/P3HT/C60/Bphen/Ag的有机太阳能电池器件,研究了MoO3薄膜厚度对器件性能的影响。采用常用的等效电路模型,仿真计算得到MoO3缓冲层对器件串联电阻的影响。此外,测试了器件的吸收光谱,研究了MoO3缓冲层对器件光子吸收的作用。结果表明,在MoO3厚度为1 nm时,器件的短路电流密度、开路电压和填充因子都得到了提高。MoO3可以改善电极和有机层的界面接触性能,能够有效降低器件的串联电阻,提高载流子的传输和收集效率;同时,MoO3缓冲层透过率高,不会对器件的光吸收效率造成影响。     

学习金字塔模型在“电工学”教学中的应用研究

＂电工学＂是一门理论性和实践性都很强的课程,在教学学时少而内容多的情况下,就更需要不断地探索新的教学方法和教学思想。本文介绍了学习金字塔模型教学法的思想以及在＂电工学＂整个教学活动中的具体运用。这种方法的实施不仅可以获得最大的平均教学保留率,提高教学效果,还可使学生从被动的聆听与吸收提升到主动的学习与建构,从而提高分析...     

室温核辐射CdZnTe像素探测器的研制

采用布里奇曼法生长的CdZnTe(CZT)单晶,制成室温核辐射像素探测器.首先通过红外透过显微(IRTM)成像、电阻率测量以及单元探测器能谱响应测试等手段,综合评定了探测器用CZT晶体的质量,结果表明,晶片富Te相密度为28.43 mm-2且尺寸分布较均匀,电阻率为1010 Ω·cm;电子迁移率寿命积为1.07×10-...     

非傍轴高斯激光束电磁场研究

采用Weniger变换法消除了Lax级数场的发散性.获得收敛的Weniger变换场(WTF).通过与严格满足麦克斯韦方程组的数值电磁场相比较,比较了不同聚焦尺寸下Weniger变换场和复源点球面波场(CSPSWF)的准确性.计算结果表明,当光束聚焦半径大于2.23倍波长时,两者是一致的,而当光束聚焦到更小尺寸时,Wen...