细长体高速入水过程压力特性试验研究

为了研究高速入水过程物体表面压力特性,对细长体高速入水过程进行了试验研究。试验在水池中开展,采用高速摄影的方法观察入水过程空泡形态演化规律,采用压力传感器测量物体表面压力,获得了细长体高速入水过程中空泡形态和表面压力变化规律。试验结果表明:在高速入水过程中,随着入水深度增加,泡内压力先降低后升高之后再次降低,压力升高主要是因为空泡闭合泡内气体受到压缩,之后降低则是因为闭合空泡泄气等原因;细长体尾部在入水过程中,上方始终处于空泡内,压力与稳定空泡内压力变化一致,下方在触水瞬间会产生一压力高峰;同时,随着速度增大,入水过程空泡内压力降低最大,空泡内部压强最低值随着速度的增加呈线性减小趋势。     

基于FPGA的Edwards曲线标量乘法实现方法

点加和倍点是标量乘法的基本运算。首先对原始的Edwards曲线计算公式进行了研究,再结合FPGA并行计算的特点,提出了一种适合FPGA快速实现的点加和倍点计算方法;其次给出了并行和串行两种标量乘法算法。最后在ALTERA的EP2AGX260 FPGA中分别对两种标量乘法进行了实现和测试。结果表明,该实现方法能达到较理想的效果。     

将一个IRPKE方案改为IRIBE方案的方法研究

假定解密密钥绝对安全是传统加密方案安全性的必要前提。但是,在众多应用场景下解密密钥通常是无法保证绝对安全的。于是,许多密码专家都对入侵容忍加密方案进行了大量研究。通过对一个入侵容忍公钥加密(IRPKE)方案公钥分发机制的研究,提出了一种将IRPKE改为入侵容忍基于身份加密方案(IRIBE)的方法,在不改变原IRPKE方案的安全特性的情况下,解决了系统新增用户时公钥分发困难的问题,更好地满足了信息孤岛间交换信息的密码应用需求。     

多通道SDIO驱动框架设计与实现

为了满足移动互联设备对功耗、性能以及成本的需求,通过对SDIO协议规范以及ARM、PowerPC等多核CPU异步多处理器模式下负载均衡技术进行研究,提出了在linux系统下灵活性和通用性较好的多通道SDIO设备驱动程序构架,并详细描述了通信机制的原理、设备端枚举和初始化过程、驱动构架的实现要点和技术优势。最后,在实际硬件环境中对驱动程序的性能进行了测试和分析,并对如何进一步提高传输速率提出了一些建议。     

太赫兹超材料响应频率及频带的调控

自然界中很多材料在太赫兹(THz)频段没有电磁响应,THz超材料的出现为太赫兹技术的发展和应用带来了新的机遇.但目前超材料太赫兹响应的调节方式比较繁琐,影响了理论与应用研究的开展.作者提出一种调制太赫兹超材料响应的简易新方法,即将超材料的结构单元整体按比例地放大和缩小.仿真结果表明,已满足阻抗匹配条件的超材料结构经整体比例变化之后,仍然满足阻抗匹配条件;而且,调整后超材料的吸收频率与尺寸变化的倍数成反比;令人惊奇的是,超材料的响应频带也随着单元尺寸的整体缩小而变宽.通过这种简易的尺寸变化方式,我们可以利用普通的超材料结构,得到一定范围内对任意入射频率具有完美吸收(吸收峰值大于98%)的太赫兹超材料.这种调制方式使超材料的设计变得更加简化,为超材料的理论与应用(特别是在器件中的应用)研究提供了更广阔的空间.     

一种宽角度极化不敏感的高可调谐红外超材料完美吸波体

提出了一种高度可调、宽角度且具有完美吸收和极化不敏感的超材料吸波体.模拟的结果显示, 在5.8μm处可达到最高吸收率99.9%;通过改变其几何参数, 吸波体的谐振波长在3.4μm到8.6μm的范围内可任意地调节, 且都具有不低于95%的峰值吸收率.在横磁波下, 当入射角度小于80°时, 吸波体的吸收率保持在95%以上;在横电波下, 当入射角小于60°时, 吸收率保持在92%以上.此外, 极化角度在0到90°变化时, 吸波体具有极化不敏感性.     

折反射中波红外探测无热化成像系统设计分析

系统研究分析了红外光学系统中各个光学参数随温度变化的影响情况,根据红外硫系光学材料折射率温度系数较小的特点,并结合折反射结构良好的消热差特性,应用Code-v光学设计软件设计了一种折反式中波红外探测无热化成像系统,系统工作波段为3.7～4.8 m,焦距为109.7 mm,全视场角为6.4,F/#为2.0,满足100%冷光阑效率,采用锗、硫化锌和硫系玻璃AMTIR1三种红外材料,设计结果表明,该系统在低温-40 ℃、高温60 ℃时的成像质量和常温20 ℃的成像质量变化不大,取得了良好的成像性能,可匹配像元尺寸为30 m,像元数320256的凝视型焦平面阵列中波红外探测器。     

高温高压下氮氢协同掺杂对{100}晶面生长宝石级金刚石的影响

在压力为5.5–6.2 GPa, 温度为1280–1450 ℃的条件下, 利用温度梯度法详细考察了氮氢协同掺杂对100晶面生长宝石级金刚石的影响. 实验结果表明伴随合成腔体内氮、氢浓度的升高, 合成条件明显升高, 金刚石生长V形区间上移; 晶体的红外光谱中与氮相关的吸收峰急剧增强, 氮含量可达2000 ppm, 同时位于2850 cm^-1和2920 cm^-1对应于 sp³杂化 C–H 键的对称伸缩振动和反对称伸缩振动的红外特征峰逐渐增强, 表明晶体中既有高的氮含量, 同时又含有氢. 对晶体进行电镜扫描发现, 氮氢协同掺杂对晶体形貌影响明显, 出现拉长的{111}面, 且晶体表面上有三角形生长纹理. 拉曼测试表明, 晶体的峰位向高频偏移、半峰宽变大, 说明氮、氢杂质的进入对晶体内部产生了应力. 本文成功地以{100}晶面为生长面合成出高氮含氢宝石级金刚石单晶, 在探究氮氢共存环境下金刚石生长特性的同时, 也可为理解天然金刚石的形成机理提供帮助.     

某些常微分方程的亚纯解表示与应用

本文运用Nevanlinna值分布理论研究了某些常微分方程亚纯解的存在性. 对于某些具有控制项的常系数常微分方程, 本文得到了亚纯解的表示, 并且给出了求相应偏微分方程精确解的一种方法.作为例子, 本文运用此方法得到了著名的KdV方程的所有亚纯行波精确解. 结果显示该方法比其他方法简单.     

宽带锁相环中的快速频带切换电路

首先讨论了普通频带切换电路及使用它的锁相环的电路结构,指出了其存在切换频带时间较长的问题,进而提出并分析了一种改进的频带切换电路。该电路在锁相环切换频带时,产生与输入参考时钟同步的复位信号用于复位鉴频鉴相器(PFD)和环路分频器,从而加快了锁相环频带的切换。该电路基于smicRF 0.18μm 1.8V CMOS工艺设计和流片验证,测试结果显示与普通频带切换电路相比,改进的频带切换电路明显的减少了频带切换时间。