A Novel Depletion-Mode MOS Gated Emitter Shorted Thyristor

More attention has been given to the MOS-gated thyristor and several device struc-tures of MOS-gated thyristor have been reported,such as MOS-controlled thyristor(MCT) [1 ] ,depletion-mode thyristor (DMT) [2 ] ,field assisted turn-off...     

S波段0.3W AlGaAs/GaAsHBT功率管

采用标准的湿法刻蚀工艺研制出了 S波段工作的非自对准 Al Ga As/ Ga As异质结双极晶体管 .对于总面积为 8× 2 μm× 10 μm的 HBT器件 ,测得其直流电流增益大于 10 ,电流增益截止频率 f T 大于 2 0 GHz,最高振荡频率fmax大于 30 GHz.连续波功率输出为 0 .3W,峰值功率附加效率 41%     

发射极-基极-发射极结构PNP型AlGaAs/GaAsHBT电流增益的理论分析

建立了 PNP型异质结双极晶体管基区少数载流子浓度的解析模型 .理论分析了发射极 -基极 -发射极布局的PNP型 HBT的电流增益 .讨论了不同基极电流成分 ,如外基区表面复合电流 ,基极接触处的界面复合电流 ,基区体内复合电流 ,以及刻蚀台面处的台面复合电流对电流增益的影响     

SiGe薄膜材料电阻率与掺杂浓度的关系研究

目前，应变Si1-xGex薄膜材料杂质浓度尚未有准确且简便易行的测试方法。为了快速准确地确定应变Si1-xGex薄膜材料的掺杂浓度，在研究应变Si1-xGex材料多子迁移率模型的基础上，采用Matlab编程模拟仿真，求解并建立了不同Ge组分下应变Si1-xGex薄膜材料掺杂浓度与其电阻率的关系曲线，讨论了轻、重掺杂两种情况下该关系曲线的变化趋势。通过Si1-xGex薄膜材料样品的四探针电阻率测试及电化学C-V掺杂浓度测试的对比实验，对本关系曲线进行了验证。     

SiGe HBT发射极延迟时间模型

在对SiGe HBT(异质结双极晶体管)载流子输运的研究基础上,建立了包括基区扩展效应SiGe HBT发射极延迟时间τe模型.发射极延迟时间与发射结势垒电容和集电结势垒电容密切相关.在正偏情况下,通常采用的势垒区耗尽层近似不再适用,此时需要考虑可动载流子的影响.本文重点分析了电流密度及发射结面积等参数对SiGe HBT发射极延迟时间的影响.     

应变Si_(1-x)Ge_x材料掺杂浓度的表征技术

在分析研究Si1 -xGex 材料多子迁移率模型的基础上,建立了Si1 -xGex 材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度及温度关系的曲线谱图.同时,通过对半导体材料掺杂浓度各种表征技术的分析和实验研究,提出了采用四探针法表征Si1 -xGex 材料掺杂浓度的技术.此表征技术与Si材料掺杂浓度的在线检测技术兼容,且更加简捷.此表征技术的可行性通过实验及对Si1 -xGex 材料样品掺杂浓度的理化分析得到了验证     

Si-SiGe材料三维CMOS集成电路技术研究

根据SiGe材料的物理特性,提出了一种新有源层材料的三维CMOS集成电路.该三维CMOS集成电路前序有源层仍采用Si材料,制作nMOS器件;后序有源层则采用SiGe材料,以制作pMOS器件.这样,电路的本征性能将由Si nMOS决定.使用MEDICI软件对Si-SiGe材料三维CMOS器件及Si-SiGe三维CMOS反相器的电学特性分别进行了模拟分析.模拟结果表明,与Si-Si三维CMOS结构相比,文中提出的Si-SiGe材料三维CMOS集成电路结构具有明显的速度优势.     

高功率密度自对准结构AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管

利用各向异性的湿法刻蚀和侧墙隔离技术实现了发射极金属和基极金属的自对准 ,采用该自对准技术成功地研制出了自对准结构的 Al Ga As/ Ga As异质结双极晶体管 ,器件直流电流增益大于 2 0 ,电流增益截止频率 f T 大于30 GHz,最高振荡频率 fmax大于 5 0 GHz,连续波功率测量表明 :在 1d B增益压缩时 ,单指 HBT可以提供 10 0 m W输出功率 ,对应的功率密度为 6 .6 7W/ m m,功率饱和时最大输出功率 112 m W,对应功率密度为 7.48W/ m m,功率附加效率为 6 7%     

槽栅MOS控制的晶闸管

报道了一种新结构的功率栅控晶闸管,称其为槽栅MOS控制的晶闸管（TMCT）.在该器件结构中,采用UMOS控制晶闸管的开启和关闭.结构中不存在任何的寄生器件,因此,消除了在其它结构的栅控晶闸管中由寄生晶体管引起的各种问题,所以TMCT会有优良的电特性.实验结果表明,多元胞TMCT（600V,有源区面积0.2mm2）的开态压降在300A/cm2时为1.25V,最大可控电流在栅压为-20V和电感负载下达到了296A/cm2.     

PNP型HBT基极接触阻抗的理论估算

给出了非合金接触情况下 ,PNP型 HBT基极比接触电阻和接触阻抗的解析计算方法和结果。讨论了接触阻抗随频率的变化规律 ,并给出了集总元件电路模型