光学相干层析技术在血管流场检测方面的研究进展

光学相干层析技术(OCT)能对生物样品进行高分辨、无损的结构成像。通过分析信号中相位或强度的变化,可将成像样品中的运动组织和静态组织区分开,进而提取样品的流场信息;总结了多种血管中血流形态信息的测量方法。OCT不需要注入其他辅助试剂即可对皮肤或眼睛的血管部位成像,逐渐成为临床上血管微循环测量的有力手段。对傅里叶OCT(FD-OCT)中基于强度或相位原理的血管检测和流场测量的6种典型方法进行综述,包括相位多普勒分辨、相位多普勒方差、基于强度的相位多普勒方差、散斑方差、分频幅去相干血管造影和光学微血管造影。在解决相位稳定、流速测量、信噪比、实时性等问题上,每种方法都有各自的优缺点。通过进一步理解成像原理,介绍了一系列的优化造影方法。最后,对这些技术的发展和应用进行了展望。     

GaAs分子束外延中硅阶梯掺杂优化及C-V测量

以硅作为砷化镓分子束外延（MBE）生长中的n型掺杂剂，为了确定硅的掺杂浓度，在一片GaAs半绝缘衬底上生长多个GaAs处延层，每一层中进行不同浓度的Si掺杂，然后用电化学C—V的方法确定各层中的载流子浓度，一次性得到了不同Si掺杂浓度与Si炉的温度之间的关系曲线。本文还介绍了如何采用控制生长的条件得到陡峭的界面，使不同掺杂浓度的层与层之间的界面变化非常明显。     

荧光反猝灭法测定药剂中卡托普利

建立荧光反猝灭法测定卡托普利(CAT)的体系.碘(I-3)与罗丹明B(RhB)缔合作用使罗丹明B荧光信号强度减弱直至荧光猝灭,而卡托普利可将I-3还原为I-,使体系荧光信号再现.在2～20μmol·L-1范围内荧光强度再现值ΔF与卡托普利浓度有线性关系:ΔF=-8.438+10.774c(r=0.9986),检出限为3...     

压电音叉式电荷斩波器及应用

利用压电晶体的“压电效应”制作的电荷斩波器,具有体积小、重量轻、结构简单、安装方便和使用寿命长等优点,是电荷调制的理想器件。本文介绍的电荷斩波器实质上是采用压电陶瓷材料作换能器,利用压电技术制作的用于电荷斩波的压电音叉,实际上它又是利用机电换能器激励和拾取叉状振子固有机械振动的谐振器。就压电音叉而言,作为频率振荡元件和频率选频元件广泛地应用于工业控制、通信设备等领域中。随着科学技术的迅速发展,如何提高获取信息和处理信息的技术水平已成了一个很重要的研究课题,因此在信号检测和处理技术中,那些特殊形状的压电音叉就相继诞生了。近几年来,特别是在光电系统中得到广泛的应用。而作为电荷调制用的压     

一种测量固体火箭发动机羽焰温度的数据处理方法研究

针对连续测量固体火箭发动机羽焰温度的特点 ,提出了一种新的发射率假设模型 ,并在此基础上提出了一种新的多波长高温计的数据处理方法 ,即通过处理两个不同时刻多波长高温计的测量数据 ,由计算可同时获知两个时刻的真温及光谱发射率 .实验结果表明 ,其真温计算值与火箭发动机设计者提供的理论值之差在± 2 0K以内 ,说明该方法是解决固体火箭发动机羽焰温度测量的可行性方法     

一种基于LTCC技术的UHF波段高性能带通滤波器

介绍了一种基于低温共烧陶瓷(LTCC)技术实现的UHF波段高性能带通滤波器,其中心频率为490MHz。由于该滤波器频率较低、波长较长,为了减小滤波器的尺寸,本设计采用了半集总半分布结构来实现。通过增加传输零点和滤波器级联技术大大提高了滤波器的带外抑制度。借助三维仿真软件进行优化仿真,设计出了一个中心频率为490MHz、带宽为100MHz、带外抑制优于40dB、尺寸仅为6.4mm×4.0mm×1.5mm的带通滤波器。实测结果与电磁仿真结果较为吻合。     

基于零知识证明签名和强RSA问题的可分电子现金

针对现有的基于二次剩余的可分电子现金方案存在二叉树深度较大、不同支付节点可链接等弊端,在零知识证明签名和强RSA问题的基础上,首次将群签名的思想引入到离线可分电子现金中,提出了一种新型离线可分电子现金支付系统.该系统克服了只能将父节点分成2个子节点的限制,且同一电子现金分割而得的不同节点具有不可链接性.     

Nd:YAG激光器电光Q开关电路的实验研究

本文报导用于重复频率为40ppsNd:YAG激光器电光Q开关的二种驱动电路的设计和实验研究,并比较了这二种Q开关电路的实验结果.     

基于特征值方法的旋翼尾迹稳定性分析

给出一个旋翼尾迹线性化稳定性分析的方法.在该方法中,尾迹涡线被离散为直线涡段,尾迹的扰动归结为涡元端点的扰动,考虑了桨尖涡的自诱导和涡线的互诱导以及桨尖涡与桨叶的实际干扰.使用该方法,分别以UH-1H和AH-1G模型旋翼为例,对悬停和前飞状态的旋翼尾迹的稳定性进行计算和分析.结果表明:旋翼尾迹运动存在大于0的特征值,是内在不稳定的,且最大发散率随波数变化呈现出一定规律性;前飞与悬停状态不同,其最大发散率减小,不稳定性减弱.     

大功率GaInP/AlGaInP半导体激光器

制备了大功率实折射率GaInP/AlGaInP压应变分别限制量子阱激光器.所用外延材料在15°偏角的GaAs衬底上由有机金属气相外延一次外延生长得到.制备的激光器具有双沟脊波导结构,条宽和腔长分别为3和900μm,前后端面分别蒸镀5%的增透膜和95%的高反膜.分析了室温连续激射时激光器的光电输出性能.阈值电流的典型值为32mA,光学灾变阈值为88mW,功率为80mW时的工作电流为110mA,斜率效率为1W/A,串联电阻为3Ω.基横模光输出功率可达60mW,60mW时的平行结和垂直结的远场发散角分别为10°和32°,激射波长为658.4nm.器件的内损耗为4.1cm-1,内量子效率达80%,透明电流密度为648A/cm2.