利用线性扫频信号测量扬声器电声特性

介绍利用线性扫频信号测量扬声器系统的频响特性与指向性,由配备专用声卡的笔记本电脑直接产生与接收声信号。与传统的利用模拟信号进行测量的方法相比,该方法最大的优点在于：通过一次测量可以得到所有需要的信息,从而方便地得到扬声器的电声特性。实验结果证明,该方法简便有效,并有相当的精度,具有实际应用价值。     

RbCl和CsCl水溶液结构的X射线散射及经验势结构精修模拟

采用X射线散射法研究了RbCl和CsCl水溶液的结构,利用基于经验势的结构精修(EPSR)方法获得了溶液中的水合Cl^-、Rb⁺、Cs⁺、离子缔合及本体水的对径向分布函数、配位数分布及空间密度分布(3D结构)等结构信息。在水溶液中,Cl^-具有相对稳定的6水合结构,其水合距离为0.321 nm,外加阳离子对其水合作用的影响不明显。7.3 ± 1.4个水分子与Rb⁺水合,其特征水合距离为0.297 nm,8.4 ± 1.6个水分子与Cs⁺水合其水合距离为0.312 nm。Cs⁺不具有第二水合层,而Rb⁺表现出了更强的水合能力,具有较明显的第二水合层。Cl^-、Rb⁺及Cs⁺常被认为是“结构破坏”型离子。从微观角度来看这种所谓的“结构破坏”主要体现在破坏了本体水分子的第二水合层保持四面体构型的趋势。RbCl和CsCl水溶液中部分存在着Rb-Cl和Cs-Cl直接接触离子对,在1.0 mol·dm^-3的溶液中Rb-Cl及Cs-Cl的特征距离分别为0.324和0.336 nm,溶剂分割离子对的距离则都在0.6 nm左右。相对于Cs⁺,Rb⁺与Cl^-离子之间表现出了更强的缔合能力。     

A Strength Softening Phase Transition Observed in Shocked （Mg0.92,Fe0.08）SiO3 Perovskite at About 83 GPa

We report the experimental data of Hugoniot longitudinal sound velocity VL for natural （Mg0.92,Fe0.08）SiO3 enstatite sample at about 40-140 GPa, consisting of three new data and five previously reported data but revised by our new Hugoniot equation of state parameters. Three segments, separated by two discontinuities, appear in the VL-PH （shock pressure） plot. Analyses show that the first discontinuity at about 64 GPa, with a sharp increase of VL of about 21%, is judged to be a phase transition from enstatite to Pbnm perovskite （PV）; while the second one at about 83 GPa, with a dramatic decrease of VL of about 23%, is likely caused by a subtle structural change from Pbnm PV to tetragonal PV, accompanied by material strength softening due to melting of oxygen sublattices. This strength softening evidence is obtained first from shock wave experiments, and probably has profound implications for probing into the origin of low seismic velocity anomaly in the Earth＇s lower mantle and thus constraining the geophysical and geochemical models for the Earth＇s lower mantle.     

可靠性参数不确定性重要度研究

在系统可靠性分析中,参数不确定性是个突出的问题。本文从工程实际应用出发,提出了一种实用的不确定性重要度度量,从而为控制系统可靠性参数不确定性提供了有效途径。本文最后还给出一个算例演示了该重要度的计算。     

超大规模集成电路的一些材料物理问题（Ⅱ）—尺寸缩小带来的巨大挑战

随着CMOS技术缩至100nm或更小，在CMOS器件结构，接触电阻以及大直径硅晶片等方面均遇到一些材料物理的巨大挑战。     

超薄顶层硅SOI衬底上高k栅介质ZrO_2的性能

采用超高真空电子束蒸发法制备了用于全耗尽SOI场效应晶体管(MOSFET)中作为高k栅介质的ZrO2 薄膜.X射线光电子能谱(XPS)分析结果显示:ZrO2 薄膜成分均一,为完全氧化的ZrO2 ,其中Zr∶O =1∶2 2 ,锆氧原子比偏高可能是由于吸附了空气中O2 等杂质.扩展电阻法(SRP)和剖面透射电镜(XTEM)都表征出6 0 0℃退火样品清晰的ZrO2 /topSi/BO/Sisub的结构,其中ZrO2 /topSi界面陡直,没有界面产物生成.选区电子衍射显示薄膜在6 0 0℃快速退火后仍基本呈非晶态.研究了上述MOSOS结构的高频C V性能,得到ZrO2 薄膜的等效氧化物厚度EOT =9 3nm ,相对介电常数ε≈2 1,     

最是那一抹的风情科健K320

生活中,我们常常会发现,不管是美丽的风景、雄伟的建筑还是时尚的服饰,往往对称有对称的美,不对称有不对称的美。对称的美给人以循规蹈矩、不事张扬的感觉,而不对称的美则在给人视觉不平衡的同时,带来更为强烈的冲击感与视觉享受。     

圆锥曲线的范围在解题中的应用

圆锥曲线的范围是圆锥曲线的最基本的几何性质，由于课本上对它们的应用几乎没有介绍，因此，这些性质往往不被人们所重视，以至不能发挥其在解题中的作用．其实，许多数学题用圆锥曲线的范围来解将会有很好的效果．本文就圆锥曲线的范围在解题中的应用，归纳如下几点，供...