扰动角关联在化学中的应用(续)

扰动角关联技术应用于化学扰动角关联在化学中的应用主要可分为固体化学、溶液化学、热原子化学及辐射损伤。除了同质异能跃迁以外,核探针与其衰变母体的化学性质不同。放射性衰变导致了子体的电子核心变化。衰变后效应包括Z 的变化,随着β-衰变产生的电离作用、运动反冲、抖脱激发和次级电离过程,其中同质异能跃迁和β衰变只产生温和的后效应,而电子俘获的Auger 过程则会产生分子和原子的强烈扰动。     

RbCl和CsCl水溶液结构的X射线散射及经验势结构精修模拟（英文）

采用X射线散射法研究了Rb Cl和Cs Cl水溶液的结构,利用基于经验势的结构精修(EPSR)方法获得了溶液中的水合Cl~-、Rb~+、Cs~+、离子缔合及本体水的对径向分布函数、配位数分布及空间密度分布(3D结构)等结构信息。在水溶液中,Cl~-具有相对稳定的6水合结构,其水合距离为0.321 nm,外加阳离子对其水合作用的影响不明显。7.3±1.4个水分子与Rb~+水合,其特征水合距离为0.297 nm,8.4±1.6个水分子与Cs~+水合其水合距离为0.312 nm。Cs~+不具有第二水合层,而Rb~+表现出了更强的水合能力,具有较明显的第二水合层。Cl~-、Rb~+及Cs~+常被认为是"结构破坏"型离子。从微观角度来看这种所谓的"结构破坏"主要体现在破坏了本体水分子的第二水合层保持四面体构型的趋势。Rb Cl和Cs Cl水溶液中部分存在着Rb-Cl和Cs-Cl直接接触离子对,在1.0 mol·dm~(-3)的溶液中Rb–Cl及Cs–Cl的特征距离分别为0.324和0.336nm,溶剂分割离子对的距离则都在0.6 nm左右。相对于Cs~+,Rb~+与Cl~-离子之间表现出了更强的缔合能力。     

RF磁控溅射制备N掺杂Cu2O薄膜及光学特性研究

利用射频(RF)磁控溅射沉积技术,采用Cu2O陶瓷靶作为溅射靶,在N2和Ar气的混合气氛下制备了Cu2O薄膜。通过改变衬底温度和N2流量,研究了RF磁控溅射沉积法对Cu2O薄膜的生长行为、物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,衬底温度为300℃时,低N2流量(12sccm)下沉积的薄膜结构为Cu2O和CuO的混合相,N2流量增大至12sccm时薄膜结构转变为单相的Cu2O;不同N2流量下制备的薄膜均呈现三维的结核生长模式,其表面粗糙度的均方根(RMS)值依赖于N2流量,低N2流量下薄膜表面粗糙度的RMS值随N2流量的增大而增大,高N2流量下,RMS值随N2流量的增大而减小,并在一定N2流量范围内趋于稳定;不同N2流量下制备的薄膜均在475nm附近出现发光峰,峰的相对强度随N2流量的增加而减弱,峰位随N2流量的增加出现蓝移,薄膜的光学带隙Eg约为(2.61±0.03)eV。     

青出于蓝--三菱HC3000 DLP投影机印象

三菱HC3000上市了,首次照面后感觉它太像一个塑料玩具,与HC910/900仿佛一个模子出来的,非常简单,与HC2000的方正大气比起来差了一截。作为音响发烧友,多少也是讲究物料的,我怎样也无法把它跟HC2000旗舰的后继机种联系起来,想想倒是更像HC900的改良型。然而接触后却是有点意外,当日的遮光环境良好,使用器材是PIONEER DV-969AVI(hdmi 720p输出),OS WF202 100”16：9白幕发烧级标准配置,《DTS 9》和《英雄》作软件——第一感觉是HC3000色彩表现跟HC2000有所不同,它更加注重色彩的平衡度和眼睛的舒适感,换个说法就是更见准确自然,白色表现很正(雪白)。HC2000的红色和绿色都比较鲜艳(或者说突出),HC3000好像是有意识地作了适度抑制,立体感和层次过渡非常不错,依然保持一贯的鲜锐感(这一点感觉上明显比HC2000好),菲林感加强,格调上有MARANTZ 12S3的感觉,画面保持有前代高端机的大气,高速动态画面下依然非常稳定。稍感遗憾的是HC3000背景杂讯方面跟HC2000相比未有很大改善,不过总体效果是令人满意的。     

《高等学校化学学报》在中国科技期刊总被引频次的总排序表中居第三位

据中国科技信息研究所编辑出版的《1 999年中国科技期刊引证报告》( 2 0 0 0年 1 1月 )公布的结果 ,《高等学校化学学报》在中国科技期刊总被引频次的总排序表中居第三位 (见附表 )。总被引频次是指某期刊自创刊以来所刊载的全部论文在统计当年被引作参考文献的总次数。这是一个非常客观的评价指标 ,可以显示期刊被使用和受重视的程度以及在学术交流中的作用。总排序表是指中国科技信息研究所选作中国科技论文统计源的 1 3 70余种科技期刊按被引频次大小所做的总排序。中国科技期刊总被引频次排序表 (节选 )名次期刊名称 被引频次影响因子1…     

用激光技术定量测量涂层/基体的结合强度

研究用激光层裂技术定量测量涂层/基体结合强度的机理与实验方法.利用特征线法得出界面处应力的计算公式.实验结果表明,采用相关函数与频谱分析,可以从测量波形中直接判断出界面的脱粘情况,确定界面脱粘的临界状态.     

PDA新秀登场

数字通信是一个很广阔的领域,手机只是其中的一小部分,ＰＤＡ、数码相机、ＭＰ３播放器等都属于这个范畴、随着技术的融合,数字产品之间的界限已经变得很模糊,数码相机有ＭＰ３功能,ＰＤＡ有无线上同功能,现在不少手机也有了ＰＤＡ或ＭＰ３功能,作为一个整体,其他种类的数字产品我们也将陆续介绍。本期我们介绍的是ＰＤＡ,ＰＤＡ是个人数字助理系统的缩写,随着无线上网技术和存储硬件技术的不断发展,ＰＤＡ产品的功能越来越强大,一起快来领略它的魅力吧。     

青出于蓝胜于蓝——初试JVC DLA-HD750投影机

一年一小变,二年一中变,三年一大变,数码时代的投影机发展态势实在是太迅猛了。这不,JVC自从2006年推出DLA-HD1一炮而红之后,2007年推出改良版DLA-HD100,2008年又推出全新的改型DLA-HD750。对笔者而言,用了一年不到的HD100是否值得升级到HD750呢？哎,头痛哦!看来发烧友选择隔代升级也许是一个比较好的选择。     

溅射压强对ITO/Cu2O复合膜结构和光学性能的影响

利用脉冲磁控溅射制备技术,以氧化铟锡(ITO)导电玻璃为基底,采用单质金属Cu 靶作为溅射靶,在O₂和Ar的混合气氛下沉积了Cu₂O薄膜。通过调控溅射压强,研 究了脉冲磁控溅射沉积法在不同溅 射压强下对Cu₂O薄膜的物相结构、表面形貌及光学性能的影响。结果表明,在O₂、Ar流 量比(O₂/Ar)为20∶90的气 氛条件下,在2～3Pa的溅射压强范围内,可获得纯相的Cu₂O薄膜;薄膜表面形貌依赖于 溅射压强,薄膜表面粗糙度的 均方根(RMS)值随溅射压强的增大而减小;在ITO上沉积Cu₂O 薄膜后,薄膜的光学吸收边红移至780 nm, ITO/Cu₂O复合膜的光谱吸收范围拓展至300～780 nm,复合膜的吸收强度随溅射压强的增 大而减小,光学带隙E_g 随溅射压强的增大而增大,E_g值为2.28～2.39eV。