VLSI电路可测性设计技术及其应用综述

综述了超大规模集成电路的几种主要的可测试性设计技术,如扫描路径法、内建自测试法和边界扫描法等,并分析比较了这几种设计技术各自的特点及其应用方法和策略.     

一种BiCMOS光电耦合隔离放大器的设计

设计了一种BiCMOS光隔离放大器,给出了其中两个运算放大器的设计电路.设计过程中只在推拉式输出级配置两个双极型晶体管(BJT),而在电路的其余部分则设置CMOS器件.为了提高放大器的增益线性度和稳定性,光电耦合部分和各运放中都引入了负反馈,并采取了优选元器件参数和提速等措施.实验结果表明所设计光隔离放大器的±3 dB带宽比双极型光隔离放大器ISO100增加了约20 kHz,当电源电压为8.6 V时,时延-功耗积比ISO100降低了约17.7 pJ,增益线性度提高到5.5×10-5,因此特别适用于高速通信系统中.     

500V电力线路设计问题分析

随着我国经济的不断发展,我国电力需求也随之增加。在电力行业的迅猛发展中,如何为广大人民群众提供安全、稳定、高质量的电路,是目前电力行业探讨的重要课题。电力线路是电网系统中不可缺少的一部分,也是最重要的一部分。本文针对电力路线设计中的问题,对电力路线的设计进行了具体的分析,并发表自己的观点,以供参考。     

(α,n)反应中子产额与能谱计算方法

发展了(α,n)反应中子产额与能谱蒙特卡罗直接模拟方法,该方法采用通用的连续碰撞方法与SRIM程序计算的阻止本领模拟 α粒子慢化过程,采用基于JENDL/AN-2005加工后ACE格式数据库计算(α,n)反应中子产额与能谱.基于NPTS程序研制了(α,n)反应模拟功能,轻核(α,n)反应产额与实验结果符合较好,B、F、...     

BiCMOS器件应用前景及其发展趋势

为拓宽混合微电子技术研发思路和加大其工程应用力度，综述了BiCMOS器件的发展概况、基本结构、技术特点和应用领域以及目前达到的技术水平，并简述了BiCMOS技术的典型工艺和已获得的研究成果，讨论了BiCMOS电路未来的发展趋势和市场前景。     

电荷泵锁相环的全数字DFT测试法

以电荷泵锁相环为对象,提出了针对电荷泵锁相环各个模块的不同测试方法,着重论述了如何在一个完整的测试方案中把不同的测试方法结合起来--即采用电荷泵锁相环的全数字可测试性设计(DFT)法.这种测试方法简单、成本较低,具有较高的开发价值.     

一种抑制同步开关噪声的超宽带电磁带隙结构

针对谐振电磁带隙（Electromagnetic Band Gap, EBG）结构带宽比较窄的问题,通过研究EBG的等效电路模型,提出了一种新颖的垂直级联型EBG结构.同时使用Ansoft HFSS软件对所设计的结构进行仿真分析及验证.仿真结果表明：新结构在抑制深度为-40 dB时,阻带范围为0.75～15.7 GHz,具有14.95 GHz噪声抑制的超带宽特性.与同尺寸的传统单过孔Mushroom EBG结构相比,带宽增加3.65 GHz,相对带宽提高32.3 %.新结构为改善EBG结构抑制噪声带宽提供一种理论参考的新方法.     

蔗糖/精氨酸体系中碳酸钙结晶的仿生合成

该文以更加接近生物矿化的方法研究了蔗糖/精氨酸体系对碳酸钙晶体取向、形貌和晶型的控制作用.XRD 分析表明,在蔗糖/L-精氨酸混合体系中合成的晶体主要为碳酸钙的球霰石晶型及少量的方解石型,在单独的蔗糖或L-精氨酸溶液中基本是球霰石晶型.SEM分析表明,蔗糖和L-精氨酸均可诱导形成特殊形貌的碳酸钙.实验结果表明,蔗糖/精...     

Banach空间三次方程的稳定性问题

给出了三次Hyers—Ulam—Rassias型泛函方程的一种新表示方法af(x+ay)-f(ax+y)=(a(a~2-1))/2[f(x+y)+f(x-y)]+(a~4-1)f(y)-2a(a~2-1)f(x)其中a为整数且a≠0,土1.关于9个三次泛函方程给出等价性证明。对Banach空间三次方程的稳定性问题给予讨论。     

用0.8μm工艺技术设计的65-kb BiCMOS SRAM

设计了一种65-kb BiCMOS静态随机存取存储器(SRAM)的存储单元及其外围电路,提出了采用先进的0.8mm BiCMOS工艺,制作所设计SRAM的一些技术要点。实验结果表明,所设计的BiCMOSSRAM,其电源电压可低于3V,它既保留了CMOS SRAM低功耗、高集成密度的长处,又获得了双极型(Bipolar)电路快速、大电流驱动能力的优点,因此,特别适用于高速缓冲静态存储系统和便携式数字电子设备中。