基于Parylene的柔性微电极阵列微加工工艺研究

基底集成的柔性微电极阵列(MEAs)从一个全新的角度演绎了植入式神经系统,对神经进行电刺激并记录神经电信号.以一种新型聚合物材料聚对二甲苯(parylene)为基底,制备出了用于神经接口的柔性神经微电极阵列.采用MEMS加工技术,设计了一种基于parylene柔性神经微电极阵列的加工工艺方法,并讨论了在流片过程中的关键问题,如掩膜层的选择、电极的剥离及焊接与封装等.该柔性微电极阵列在用于视觉假体的神经接口方面具有独特的应用优势.     

基于键合技术的新型集成光学干涉仪

提出了一种基于超薄薄膜光电二极管 (PD)构成的新型集成光学干涉仪构造方案 ,基于键合技术 ,论证了超薄薄膜光电二极管阵列集成化构成集成光学干涉仪的可能性。着重描述了集成光学干涉仪构造关键部件———超薄薄膜光电二极管的设计、制造及其特性。所构成的集成光学干涉仪经实验得到初步验证 ,结果表明 ,利用微细加工制作微光学干涉计是完全可行的     

纳米晶钛酸钡粉体制备及陶瓷烧结性能的研究

采用硬脂酸钡和钛酸丁酯为原料的凝胶方法制备了纳米晶钛酸钡粉。ＸＲＤ分析表明晶体为立方相钙钛矿结构,扫描电镜图像显示一次粒子粒径约２０ｎｍ。纳米粉体烧结温度比普通微米粉体烧结温度低,陶瓷显微结构分析表明在陶瓷中晶粒仍保持纳米尺寸,约为１００ｎｍ。所得材料具有良好的热稳定性,在１１９０～１２８０℃的烧结温度范围内,陶瓷体内晶粒无明显长大,且始终维持在纳米尺寸。     

BST溶胶及其纳米晶铁电薄膜特性研究

考察了在溶胶-凝胶(Sol-Gel)工艺中化学添加剂对钛酸锶钡(BST)溶胶的粒度分布的影响。通过对化学添加剂的优选,制备出具有优异电性能的BST薄膜。X-射线衍射(XRD)表明在Pt/Cr/SiO2/Si衬底上制备的BST薄膜具有完整的钙钛矿结构,AFM表面形貌显示BST薄膜表面致密、平整、无裂纹,平均晶粒尺寸约50 nm。漏电流测试表明BST薄膜在0~9 V的外加偏压下始终保持着较低的漏电流,在外加偏压为8.8 V时,漏电流密度为2.9×10-6A/cm2。     

水热合成PZT热电体陶瓷材料烧结性的研究

本文对水热合成ＰＺＴ热电体陶瓷的烧结性进行了研究。结果表明：烧成温度为１１６０℃左右，比用传统的固相合成法烧成温度低６０℃，在烧结过程中，Ｐｂｏ的挥发速度比用固相法小得多。