BSTO电光材料及其制备

用ＢＳＴＯ电光材料制作的电光移相器与铁氧体移相器相比,具有非常好的性能,它以高的功率、高的相移速度、低的插入损耗、低的驱动功率、充分宽的工作温度范围以及低的成本,受到相控阵天线技术的关注。文章介绍了ＢＳＴＯ材料及其制备方法,简要概述了这种材料研究的进展,讨论了ＢＳＴＯ电光材料化学组成、工艺制备技术和非铁电相对ＢＳＴＯ电光材料性能的影响,最后提出了发展该材料的方向。     

(Sn,Sb)O2-x基纳米结构厚膜材料气敏特性及机理

对采用水热合成技术所形成的纳米(Sn,Sb)O2 x晶粒结构、厚膜材料的气敏特性及其机理进行了研究,并采用XRD、TEM手段对纳米尺度的（Sn、Sb)O2 x晶粒的结构与表面效应及晶粒形态进行了表征.结果表明,当掺杂Sb5＋的浓度（摩尔分数xSb5＋)为（2.9～5.8)×10－6时,（Sn、Sb)O2 x纳米晶粒表面的电子缺陷浓度增大,增强了对气体的吸附能力,从而提高了对可燃性气体的灵敏度.同时可使晶粒保持短柱状的形态特征,对其灵敏度有一定的控制作用.     

Modeling of Focused Acoustic Field of a Concave Multi-annular Phased Array Using Spheroidal Beam Equation

A theoretical model of focused acoustic field for a multi-annular phased array on concave spherical surface is proposed.In this model,the source boundary conditions of the spheroidal beam equation(SBE) for multi-annular phased elements are studied.Acoustic field calculated by the dynamic focusing model of SBE is compared with numerical results of the O'Neil and Khokhlov-Zabolotskaya-Kuznetsov(KZK) model,respectively.Axial dynamic focusing and the harmonic effects are presented.The results demonstrate that the dynamic focusing model of SBE is good valid for a concave multi-annular phased array with a large aperture angle in the linear or nonlinear field.     

紫外光照下金属氧化物薄膜气敏特性研究进展

介绍了近期文献中对紫外光照下半导体金属氧化物薄膜气敏特性的研究结果:紫外光照引起SnO2,In2O3,ZnO薄膜电导显著增大;提高室温下薄膜对CO,NO2气体检测的灵敏度,减少响应和恢复时间;介绍了一种对紫外光增强气敏机制的物理模型分析方法。最后讨论了当前存在的难点问题(室温下气体检测的灵敏度不高及使用紫外光源不便)及未来研究方向(借改变薄膜的制备方法、工艺条件、优化金属氧化物薄膜的结构;通过掺杂复合改变薄膜的成分以及寻找禁带宽度窄的半导体材料等)。     

基于键合技术的新型集成光学干涉仪

提出了一种基于超薄薄膜光电二极管(PD)构成的新型集成光学干涉仪构造方案，基于键合技术，论证了超薄薄膜光电二极管阵列集成化构成集成光学干涉仪的可能性。着重描述了集成光学干涉仪构造关键部件——超薄薄膜光电二极管的设计、制造及其特性。所构成的集成光学干涉仪经实验得到初步验证，结果表明，利用微细加工制作微光学干涉计是完全可行的。     

Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究

优化了Ni纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸5nm,密度2×1012/cm2的Ni纳米晶。在此基础上,制备了包含Ni纳米晶的MOS电容结构。利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的存储效应主要源于金属纳米晶的限制态。电容-时间(C-t)测试曲线呈指数衰减趋势,保留时间600s,具有较好的保留性能。     

柔性神经微电极阵列设计及微加工工艺研究

采用聚对二甲苯(parylene)作为基底,通过对柔性神经微电极阵列结构、引线排布、电极材料等进行优化选择和设计,并采用微机电加工工艺(MEMS),设计并研制出了2×8柔性神经微电极阵列,旨在为视网膜神经接口电极的研究开发奠定基础.     

一种高电源噪声抑制宽线性范围CMOS压控振荡器设计

给出了一种高电源噪声抑制、高线性范围CMOS压控振荡器的结构：电压调节器用于隔离外部电源以抑制高频与低频噪声．并提供稳定的内部电压给振荡器；振荡器部分则使用双环结构，同时采用改进的V-I电路，提高了VCO电压-频率转换特性的线性范围。在TSMC0．25μmN阱CMOSS工艺参数下仿真表明，VCO的输出频率范围为0．081GHz至1．53GHz．控制电压调节范围81％，线性度6．9％。当输出频率为1GHz时，电源电压变化1V引起的输出周期变化为3ps。     

激光测距仪系统灵敏度的研究

本文根据激光的传输理论,导出激光测距仪系统灵敏度和消光比方程,并进行了实验验证.     

纳米晶PZT薄膜体声波谐振器的研究

采用改进的溶胶-凝胶(Sol-Gel)法,在Si基Pt电极上沉积了PZT压电薄膜,并研制了以SiO2为声反射层的体声波谐振器.用X-射线衍射、电镜扫描及原子力显微镜测试表明,PZT薄膜具有(110)择优取向,良好的短柱状自行晶结构及平滑的表面,晶粒平均尺寸为50～60 nm.介电性能测试结果表明,介电常数保持约800,损耗角为0.02.用网络分析仪测试体声波谐振器得到较好的频率特性,即串、并联谐振频率分别为2.91 GHz和3.01 GHz,机电耦合系数为8.18%.在敏感元电极上加载1 μL浓度为0.2 μg/μL的磁性微球溶液,谐振频率降低了0.09 GHz.