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132.
对纳米金属颗粒复合含能材料这一新兴体系的单脉冲激光作用的热动力学过程进行了理论分析. 推导了分散在介质中的纳米金属颗粒吸收脉冲激光能量的瞬时功率密度. 从热分解机理出发对纳米金属铝复合硝化纤维(Al/NC)薄膜吸收脉冲激光能量过程以及伴随着放热化学反应的热点热量传播过程进行了数值模拟,计算了不同质量分数的Al/NC薄膜样品分别在100ps,10ns,25ns脉冲激光作用下的化学反应直径. 计算结果与实验数据相比较,表明了热分解基本符合10ns,25ns脉冲激光引发含能材料反应的机理,但它并不符合100ps
关键词:
热分解
化学反应
脉冲激光
含能材料 相似文献
133.
关于本科生科研能力培养的思考 总被引:1,自引:0,他引:1
在高等教育人才培养中对本科生进行科研能力的培养不仅是时代的要求,而且也是确保更高层次人才培养质量的基本保障。本文介绍与分析了我国现阶段高等教育开展本科生科研的意义与作用,并针对如何在研究型大学和地方综合性大学两类不同层次的大学中做好本科生科研提出了一些自己的认识,包括如何在本科生科研培养过程中树立端正的学风;应当将教学与科研相结合;如何处理好本科生外语能力的培养与科学研究的关系;建立本科生科研中的合作式学习模式;积极开展课外科技活动的意义和具体实践,合作式学习并探讨了其他国家本科生科研能力培养中值得借鉴的一些经验。 相似文献
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复合材料层合梁在航天航空、核工程、高速列车、建筑等领域有着重要的应用,其振动特性得到了广泛关注。本文针对复合材料层合梁结构,引入了一种新的简化剪切变形理论;同时考虑层间连续性条件,结合Ritz法求解了其振动频率,并与已有文献结果进行了对比。结果表明:两者吻合较好,误差基本保持在1%左右,验证了理论模型的有效性。基于该理论模型,重点研究了铺层方式、纤维铺设角度等关键参数对层合梁振动特性的影响。研究结果表明:对称铺设层合梁的一阶固有频率均高于非对称铺设层合梁的一阶固有频率,且随着铺设层数的增加,其振动频率会趋于稳定值;对比不同铺设角度的层合梁,纤维铺设角度为90°的层合梁的一阶固有频率最低。 相似文献
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A new silica antireflective coating with improved hydrophobicity and optical stability in a vacuum is obtained by a two-step route. Firstly, silica sols are prepared with a sol-gel process, in which tetraethyl orthosilicate is utilized as a precursor. And by introduction of fluorine containing glycol into the sols, the porosity of silica particles and surface polarity of the coatings are decreased. Afterward, coatings are constructed with low surface roughness by modification of PMBA-PMMA. The coatings retain transmission of up to 99.6%, and laser damage threshold of about 50 J/cm^2 at a wavelenth of 532 nm (1-on-1. 10 ns) 相似文献
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设计了环境较差情况下高效精准、辨识汉字的智能车牌识别算法,通过引进属性嵌套计算网格实现了汉字高效辨识的车牌识别算法;算法应用结果表明:算法设计的网格密度与识别率是成正比的,采用的属性嵌套计算网格模型,显著地改进了字符的识别率;将属性计算网格算法与属性嵌套计算网格算法对比可知,采用属性嵌套计算网格算法识别率是98.7%,识别率明显较高;设计算法系统不仅实现了汉字识别的稳定、智能特性,同时表现了抵抗较强外界干扰的特性,这一研究对于智能化汉字识别有明显的借鉴价值。 相似文献
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针对外加横、纵直流电场作用下的单色飞秒激光成丝辐射太赫兹波现象,提出了一种将微观等离子体电流振荡与宏观电流传输线辐射相结合的全电流模型,旨在解释外电场作用下太赫兹波增强、空间分布演变等辐射特征。与现有渡越-切连科夫辐射理论相比,所提出的全电流模型在等光速条件下可实现相位匹配,物理图像清晰、公式简洁,且能很好地复现实验结果。 相似文献
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在硅(Si)上外延生长高质量的砷化镓(GaAs)薄膜是实现硅基光源单片集成的关键因素。但是,Si材料与GaAs材料之间较大的晶格失配、热失配等问题对获得高质量的GaAs薄膜造成了严重影响。本文利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术开展Si基GaAs生长研究。通过采用三步生长法,运用低温成核层、高温GaAs层与循环热退火等结合的方式,进一步降低Si基GaAs材料的表面粗糙度和穿透位错密度。并利用X射线衍射(XRD)ω-2θ扫描追踪采用不同方法生长的样品中残余应力的变化。最终,在GaAs低温成核层生长时间62 min(生长厚度约25 nm)时,采用三步生长、循环热退火等结合的方式获得GaAs(004)XRD摇摆曲线峰值半高宽(FWHM)为401″、缺陷密度为6.8×10^(7) cm^(-2)、5μm×5μm区域表面粗糙度为6.71 nm的GaAs外延材料,在材料中表现出张应力。 相似文献
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