主点与旋转中心距离的标定方法

为了消除在近距离光电测量中光学镜头主点与旋转中心之间距离带来的测量误差,建立了光学镜头主点随旋转机构转动的运动轨迹模型,提出主点与旋转中心之间距离的标定方法。在光轴与旋转轴共面的约束条件下,对主点的运动轨迹进行了分析,得到了满足嵌入式系统实时处理要求的简化模型。实验结果表明,用该方法标定主点与旋转中心之间距离的标定精度可达0.23 mm。能满足近距离光电测量中对主点与旋转中心之间距离标定的要求。     

金属塑料的发明

铈基非晶态金属塑料是一种新的块状非晶合金材料。它具有低于开水温度（100℃）的玻璃转变温度．室温时的强度和超高强度铝镁合金相近．该块体非晶合金在开水中表现出超塑性，可以像聚合物塑料那样进行复杂的变形加工，因此被命名为“非晶态金属塑料”（简称“金属塑料”）．这种新材料不仅具有潜在的应用前景，而且具有重要的基础研究的价值，是一个理想的研究玻璃转变、玻璃形成液体性质等相关问题的新材料．另外，金属塑料作为一种新的概念，开辟了一个新的金属材料研究方向．文章简要介绍了该金属塑料的合成、性能及潜在的应用．     

多孔硅的微结构与发光特性研究

利用原子力显微镜（AFM）和光致荧光（PL）光谱对一系列直流腐蚀和脉冲腐蚀的多孔硅的微结构及发光特性进行了对比研究．表面和侧面的AFM结果表明，多孔硅表面呈“小山”状，有许多小的、突出的硅颗粒．在相同的腐蚀条件（等效）下，脉冲腐蚀的样品表面Si颗粒更加尖锐、突出，侧面的线状结构更明显，多孔硅层更厚．对应的PL谱，脉冲腐蚀的样品发光更强．量子限制效应的理论可以比较成功地解释这个结果 关键词：     

DNA的操纵方法研究：一项可应用于DNA测序及基因图谱的工作

操纵生物大分子以在纳米尺度上的构造分子建筑，是当今分子操纵领域中很具吸收力的研究主题。本文介绍一种通过改进的“分子梳”技术结合原子力显微镜，进行ＤＮＡ拉直操纵及成像。先在云母表面制备小分子单层膜，然后将长链ＤＮＡ转移支该膜上进行操纵。简单讨论了本方法在ＤＮＡ测序及基因图谱方面的应用．     

峰值电流升压型PWM变换器片内补偿网络设计

简要分析了峰值电流升压型PWM变换器环路补偿方式,提出一种新型补偿网络结构,在满足环路稳定要求的情况下,减小了所需补偿电容的数值,从而实现片内补偿,并提高了补偿网络的瞬态性能.仿真结果表明:该补偿网络可以使变换器稳定工作,补偿后,输出电压满足输出的稳定性要求.     

基于复杂网络理论的互联电网Braess悖论现象分析

为了探究互联电力网络中的Braess悖论现象, 采用二阶类Kuramoto相振子模型对电网进行动力学建模, 将两个子网通过大度节点相连构建互联电网。当两个子网间有功率传输时, 分别在两个子网内部新增传输线路探究互联电网发生Braess悖论现象的概率并分析其原因。研究发现: 当互联电网中两个子网间的功率传输达到某一临界值时, 受电子网的同步能力远优于供电子网的同步能力, 供电子网新增传输线路引起互联电网发生Braess悖论的概率远高于受电子网新增传输线路引发的Braess悖论概率。通过定义子网序参数对上述现象的产生进行深入分析。本研究对互联电网的拓扑优化具有重要意义。     

东方超环托卡马克高约束模式边界等离子体输运数值模拟研究

利用SOLPS5.0模拟研究东方超环托卡马克（EAST）高约束模式时的刮削层等离子体. 在高约束模式放电实验参数（第36291炮）的限制下,通过调整上游区径向反常输运系数来实现高约束模式模拟,在上游电子密度和温度与实验符合的条件下能够很好地进行下游区模拟. 在实现高约束模拟的基础上又分别研究了漂移项对偏滤器靶板能流不对称性的影响和上游能流衰减宽度对靶板能流密度峰值的影响. 通过模拟发现,漂移是导致EAST放电内外靶板不对称性的主要原因,增大上游能流衰减宽度可以明显降低入射到靶板的峰值热流,并且偏滤器区辐射以及与中性粒子的相互作用减小了能流的衰减宽度对达到靶板能流的影响. 关键词： 托卡马克 高约束模式 SOLPS5.0 漂移     

一种嵌入式浏览器在数字机顶盒中的实现

介绍了嵌入式浏览器技术以及Access NetFront在数字机顶盒中的实现方法.同时扩展了该浏览器的功能,实现了对SMIL语言的支持.     

基于光斑轮廓特征的目标快速识别算法研究

大视场的视觉着陆引导系统在引导无人机自主着陆过程中,需要快速检测出安装在无人机上的合作目标。该合作目标在图像上是以光斑形式存在,因此为了满足系统的实时性要求,本文提出了基于轮廓特征的快速检测光斑算法。该算法是根据光斑在图像中的特征,采用了目标裁剪方法,将原始图像中的光斑部分裁剪出来,从而降低算法运算量;再通过图像预处理,消除背景的无关信息与噪声干扰,增强光斑的清晰度;最后利用最小二乘算法进行椭圆拟合定位出光斑的中心位置。将本实验算法与其他光斑检测算法进行实验对比,从而验证系统的实时性。结果表明：利用本文算法可以在保证精度的同时将运行时间缩减到36 ms。     

一种采用全温度曲率补偿的2.2-V 2.9-ppm/℃ BiCMOS带隙基准源

本文提出了一种兼容标准BiCMOS工艺的高阶曲率补偿带隙基准源。通过简单的架构产生了一种新型的指数曲率补偿和分段曲率补偿,从而实现了全温度范围内的温度补偿。基于0.6-μm BCD工艺进行验证,实验结果表明该基准在3.6V电源电压下可以达到2.9 ppm/℃的温度系数,高达85 dB的电源抑制比,并且优于0.318mV/V的线性调整率。电路最大仅消耗45 μA供电电流。带隙基准源的有效面积为260×240 μm2。